【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种增加密级的发射电路由双NPN三极管型振荡电路、双向模拟开关、编码集成电路、高频发射电路共同组成;其中:双NPN三极管型振荡电路由NPN三极管、交连电容、放电发光管、与两个基极电阻、两个集电极电阻组成;第一NPN三极管的集电极与第二NPN三极管的基极之间接第一交连电容,第一集电极电阻一端接电源,另一端接第一NPN三极管的集电极,第二NPN三极管的基极对地接第一放电发光管,第一NPN放电三极管的基极对地接第二放电发光管,第二NPN三极管的集电极与第一NPN三极管的基极之间接第二交连电容,两个NPN三极管的基极电阻都接电源,其中一个NPN三极管的集电极作为双NPN三极管型振荡电路的输出,连接双向模拟开关的控制端;双向模拟开关的输入端接地,双向模拟开关的输出接编码集成电路的变码端;编码集成电路的电源与高频发射电路的电源接在一起,编码集成电路的固定码线中的两位码线电源,其余接地线,编码集成电路的输出端接调制电阻后连接到调制三极管的基极;高频发射电路由发射电路、铜箔天线与外接天线共同组成;控制开关的另一端不仅成为双NPN三极管型振荡电路的电源也是高频发射电路的电源,保护电阻的一端连接电源,另一 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋丹,杨远静,
申请(专利权)人:重庆尊来科技有限责任公司,
类型:新型
国别省市:重庆;85
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