本实用新型专利技术公开了一种双屏蔽等电位内冷式电磁线圈。旨在提供一种局部放电量低、承受瞬态电压高、过载能力强，体积小、寿命长、运行可靠的双屏蔽等电位内冷式电磁线圈。其特征在于，其结构为，由内向外依次是圆管状电磁导线、导体半导电屏蔽层、绝缘体层、绝缘体半导电屏蔽层，其中导体半导电屏蔽层、绝缘体层和绝缘体半导电屏蔽层这三层经XPLE交联聚乙烯共挤而相互包覆，在整根电磁导线外部的中心位置设有等电位装置，并且将绝缘半导电屏蔽层连接在等电位装置上，它起到一种降低绝缘层上的电位差和均匀电场的作用，使电磁线圈局部放电电压进一步提高，也为阀电抗器铁芯提供了等电位连接位置。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电器设备，尤其是涉及制造阀电抗器专用部件的双屏蔽等电位内冷式电磁线圈。
技术介绍
阀电抗器是高压直流输电换流阀装置中用于保护的关键部件，其目的是为半导体器件晶闸管在开关过程中，对电气回路中产生较高的电流上升率di/dt、电压上升率du/dt起限制的作用。从而为晶闸管的换流运行提供了一种可靠而高效的保护部件。众所周知，阀电抗器是换流阀的关键性部件之一，阀电抗器本身必须具有瞬态承受高电压的能力和大电流的过载能力。目前设计的阀电抗器存在局部放电量大、内部铁芯电位有悬浮、运行温度高、绝缘寿命短等问题。
技术实现思路
本技术的目的是提供了一种局部放电量低、承受瞬态电压高、过载能力强，体积小、寿命长、运行可靠的双屏蔽等电位内冷式电磁线圈。为了达到上述要求，本技术是通过以下方案实现的:其特征在于，其结构为，由内向外依次是圆管状电磁导线、导体半导电屏蔽层、绝缘体层、绝缘体半导电屏蔽层，其中导体半导电屏蔽层、绝缘体层和绝缘体半导电屏蔽层这三层经XPLE交联聚乙烯共挤而相互包覆，在整根电磁导线外部的中心位置设有等电位装置，并且将绝缘半导电屏蔽层连接在等电位装置上，它起到一种降低绝缘层上的电位差和均匀电场的作用，使电磁线圈局部放电电压进一步提高，也为阀电抗器铁芯提供了等电位连接位置。所述的圆管状电磁导线的两个端口焊接有带电极的管接口，内部根据运行的需要从外部接入冷却液循环，实现降低电磁线圈温度的目的。根据上述方案制造的双屏蔽等电位内冷式电磁线圈，双屏蔽等电位装置能够限制电磁线圈两端产生的高电压所引起的场强不均而造成局部放电量大的现象，解决了阀电抗器中的铁芯电位存在悬浮的现象。电磁线圈的圆管状电磁导线还可以通过循环冷却液，将电磁线圈在工作状态下产生的热量由冷却液带出，限制了电磁线圈温度升高对XPLE交联聚乙烯绝缘产生的热老化问题。因此，这种双屏蔽等电位内冷式电磁线圈具有局部放电量低、承受瞬态电压高、过载能力强，体积小、寿命长、运行可靠等特点，全面提升了电磁线圈绝缘的稳定性，延长了电磁线圈的使用寿命，实现了阀电抗器运行更安全，更可靠、体积更小、绝缘寿命更长的技术要求。【附图说明】图1是双屏蔽等电位内冷式电磁线圈的主视图；图2是图1的A-A剖面放大图。图中:1、圆管状电磁导线；2、导体半导电屏蔽层；3、绝缘体层；4、绝缘体半导电屏蔽层；5、等电位装置；6、螺栓连接装置；7、带电极的管接口。【具体实施方式】下面通过附图并结合实施例对本技术作进一步的描述。图1、图2是双屏蔽等电位内冷式电磁线圈的结构示意图。从图中可以看出，其结构由内向外依次是圆管状电磁导线1、导体半导电屏蔽层2、绝缘体层3、绝缘体半导电屏蔽层4，其中导体半导电屏蔽层2、绝缘体层3和绝缘体半导电屏蔽层4这三层经XPLE交联聚乙烯共挤而相互包覆，在整根圆管状电磁导线1外部的中心位置设有等电位装置5，并且用螺栓连接装置6将绝缘半导电屏蔽层4连接在等电位装置5上，它起到一种降低绝缘层3上的电位差和均匀电场的作用，使电磁线圈局部放电电压进一步提高，也为阀电抗器铁芯提供了等电位连接位置。所述的圆管状电磁导线1的两个端口焊接有带电极的管接口 7，内部根据运行的需要从外部接入冷却液循环，实现降低电磁线圈温度的目的。【主权项】1.双屏蔽等电位内冷式电磁线圈，其特征在于，其结构为，由内向外依次是圆管状电磁导线、导体半导电屏蔽层、绝缘体层、绝缘体半导电屏蔽层，其中导体半导电屏蔽层、绝缘体层和绝缘体半导电屏蔽层这三层经XPLE交联聚乙烯共挤而相互包覆，在整根电磁导线外部的中心位置设有等电位装置，并且将绝缘半导电屏蔽层连接在等电位装置上，它起到一种降低绝缘层上的电位差和均匀电场的作用，使电磁线圈局部放电电压进一步提高，也为阀电抗器铁芯提供了等电位连接位置。2.根据权利要求1所述的双屏蔽等电位内冷式电磁线圈，其特征是所述的圆管状电磁导线的两个端口焊接有带电极的管接口，内部根据运行的需要从外部接入冷却液循环，实现降低电磁线圈温度的目的。【专利摘要】本技术公开了一种双屏蔽等电位内冷式电磁线圈。旨在提供一种局部放电量低、承受瞬态电压高、过载能力强，体积小、寿命长、运行可靠的双屏蔽等电位内冷式电磁线圈。其特征在于，其结构为，由内向外依次是圆管状电磁导线、导体半导电屏蔽层、绝缘体层、绝缘体半导电屏蔽层，其中导体半导电屏蔽层、绝缘体层和绝缘体半导电屏蔽层这三层经XPLE交联聚乙烯共挤而相互包覆，在整根电磁导线外部的中心位置设有等电位装置，并且将绝缘半导电屏蔽层连接在等电位装置上，它起到一种降低绝缘层上的电位差和均匀电场的作用，使电磁线圈局部放电电压进一步提高，也为阀电抗器铁芯提供了等电位连接位置。【IPC分类】H01F27/34, H01F27/28, H01F27/10【公开号】CN205050682【申请号】CN201520751060【专利技术人】汪得利 【申请人】嘉善华瑞赛晶电气设备科技有限公司【公开日】2016年2月24日【申请日】2015年9月26日本文档来自技高网...
【技术保护点】
双屏蔽等电位内冷式电磁线圈，其特征在于，其结构为，由内向外依次是圆管状电磁导线、导体半导电屏蔽层、绝缘体层、绝缘体半导电屏蔽层，其中导体半导电屏蔽层、绝缘体层和绝缘体半导电屏蔽层这三层经XPLE交联聚乙烯共挤而相互包覆，在整根电磁导线外部的中心位置设有等电位装置，并且将绝缘半导电屏蔽层连接在等电位装置上，它起到一种降低绝缘层上的电位差和均匀电场的作用，使电磁线圈局部放电电压进一步提高，也为阀电抗器铁芯提供了等电位连接位置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汪得利，
申请(专利权)人：嘉善华瑞赛晶电气设备科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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