本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：源线；字线，与源线平行设置；字线接触孔结构，与字线垂直相交设置，且字线接触孔结构与字线相交形成的接触面靠近字线上远离源线的一侧边缘设置。该半导体器件中，通过将字线接触孔结构与字线相交形成的接触面靠近字线上远离源线的一侧边缘设置，从而增加了字线接触孔与源线之间的距离，并减小了字线接触孔结构和源线之间的寄生电容，进而提高了半导体器件的击穿电压。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路
，具体而言，涉及一种半导体器件。
技术介绍
在半导体器件中，源线（SL)与字线接触孔（WLCT)之间的距离很小，使得源线与字 线接触孔之间产生较大的寄生电容，导致字线与源线之间容易被击穿而产生短路，进而降 低半导体器件的性能。例如在存储器件中，由于源线与字线接触孔之间距离的很小，使得存 储器件很容易被击穿，进而使得存储器件的存储性能发生失效。 图1示出了一种现有半导体器件的剖面结构示意图。如图1所示，该半导体器件 包括源线10'、字线20'、位线40'、字线接触孔结构30' W及位线接触孔结构50'。其 中字线20'与源线10'平行设置，字线接触孔结构30'与字线20'垂直设置，且字线接触 孔结构30'与字线20'相交形成的接触面位于字线20'的正中必。同时，位线40'垂直 于字线20'和字线接触孔结构30'设置，位线接触孔结构50'与字线接触孔结构30'平 行设置。 上述半导体器件还包括晶体管，其中晶体管的栅极与字线接触孔结构30'相连， 晶体管的源极与源线10'相连，形成如图2所示的剖面结构。如图2所示，字线接触孔结构 30'和源线10'之间由介质层隔离开来。随着半导体集成电路的集成度日益增加，半导体 器件中源线与字线接触孔之间的距离也随着缩小，介质层的厚度也逐渐减小，使得字线接 触孔结构和源线之间的寄生电容逐渐增大，从而使得半导体器件的耐击穿性能下降。因此， 如何在不影响半导体器件的性能的情况下提高源线与字线接触孔之间的击穿电压，成为半 导体器件的设计和制作领域中急需解决的难点之一。
技术实现思路
本申请旨在提供一种半导体器件，W提高半导体器件中源线与字线接触孔之间的 击穿电压。 为了解决上述问题，本申请提供了一种半导体器件。该半导体器件包括；源线；字 线，与源线平行设置；字线接触孔结构，与字线垂直相交设置，且字线接触孔结构与字线相 交形成的接触面靠近字线上远离源线的一侧边缘设置。 进一步地，上述半导体器件中，接触面包括靠近源线的第一侧边和远离源线的第 二侧边，字线包括靠近源线的第一边缘和远离源线的第二边缘，第二侧边和第二边缘之间 的距离与第一侧边和第一边缘之间的距离的比值为0~3/4。 进一步地，上述半导体器件中，第一侧边和第二侧边之间的距离为第一边缘和第 二边缘之间的距离的1/4~1/2。 进一步地，上述半导体器件中，接触面为长方形。 进一步地，上述半导体器件中，半导体器件包括至少一个结构单元，每个结构单元 包括；一个源线；两个字线，对称地设置于源线的两侧；两组字线接触孔结构单元，对称地 设置于源线的两侧，且分别与所对应的字线相连。 进一步地，上述半导体器件中，结构单元中，每组字线接触孔结构单元包括一个或 多个字线接触孔结构；当每组字线接触孔结构单元包括多个字线接触孔结构时，相邻的字 线接触孔结构之间的距离相同。 进一步地，上述半导体器件中，半导体器件还包括：位线，同时垂直于字线和字线 接触孔结构设置；位线接触孔结构，与字线接触孔结构平行，且位线接触孔结构的一端与相 邻结构单元之间的位线相连。 进一步地，上述半导体器件中，半导体器件还包括晶体管，晶体管的栅极与字线接 触孔结构相连，晶体管的源极与源线相连，晶体管的漏极与位线接触孔结构相连。 进一步地，上述半导体器件中，半导体器件为存储器件。 进一步地，上述半导体器件中，半导体器件还包括设置有存储单元区的衬底，晶体 管设置于存储单元区中。 应用本申请的技术方案，通过将字线接触孔结构与字线相交形成的接触面靠近字 线上远离源线的一侧边缘设置，从而增加了字线接触孔与源线之间的距离，并减小了字线 接触孔结构和源线之间的寄生电容，进而提高了半导体器件的击穿电压。【附图说明】 构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实 施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中： 图1示出了现有半导体器件的剖面结构示意图； 图2示出了图1所示的半导体器件中沿AA方向的剖面结构示意图； 图3示出了本申请实施方式所提供的半导体器件的剖面结构示意图；W及 图4示出了图3所示的半导体器件中沿AA方向的剖面结构示意图。【具体实施方式】 需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可W相 互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。 需要注意的是，送里所使用的术语仅是为了描述【具体实施方式】，而非意图限制根 据本申请的示例性实施方式。如在送里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式 也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用属于"包含"和/或"包 括"时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。 正如
技术介绍
中所介绍的，半导体器件中源线与字线接触孔之间的距离很小，导 致半导体器件的很容易被击穿。本申请的专利技术人针对上述问题进行研究，提出了一种半导 体器件。如图3和图4所示，该半导体器件包括：源线10、字线20和字线接触孔结构30。 其中，字线20与源线10平行设置；字线接触孔结构30与字线20垂直相交设置，且字线接 触孔结构30与字线20相交形成的接触面靠近字线20上远离源线10的一侧边缘设置。上述半导体器件中，通过将字线接触孔结构30与字线20相交形成的接触面靠近 字线20上远离源线10的一侧边缘设置，从而增加了字线接触孔与源线10之间的距离，并 减小了字线接触孔结构30和源线10之间的寄生电容，进而提高了半导体器件的击穿电压。 本领域的技术人员可W根据本申请的教导设置所形成的接触面的位置。在一种优 选的实施方式中，接触面包括靠近源线10的第一侧边和远离源线10的第二侧边，字线20 包括靠近源线10的第一边缘和远离源线10的第二边缘，第二侧边和第二边缘之间的距离 与第一侧边和第一边缘之间的距离的比值为0~3/4。该实施方式能够尽可能地增加字线 接触孔与源线10之间的距离，从而尽可能减小字线接触孔结构30和源线10之间的寄生电 容，使得半导体器件的耐击穿性能达到最优值。 接触面的尺寸（即第一侧边和第二侧边之间的距离）和形状可W根据现有技术进 行设置。在一种优选的实施方式中，第一侧边和第二侧边之间的距离为第一边缘和第二边 缘之间的距离的1/4~1/2。此时，字线接触孔结构30和字线20能够形成良好的接触面， 有利于提高半导体器件的稳定性。更优选地，接触面为长方形。 本申请提供的半导体器件中源线10、字线20 W及字线接触孔结构30的排布有很 多种，本领域的技术人员可W根据本专利技术的教导设置源线10、字线20 W及字线接触孔结构 30的排布方式。在一种优选的实施方式中，半导体器件包括至少一个结构单元，每个结构单 元包括：一个源线10 ;两个字线20,对称地设置于源线10的两侧；两组字线接触孔结构单 元，对称地设置于源线10的两侧，且分别与所对应的字线20相连。其中，每组字线接触孔 结构单元包括一个或多个字线接触孔结构30,当每组字线接触孔结构单元包括多个字线接 触孔结构30时，优选相邻的字线接触孔结构30之间的距离相同。该实施方式提供的源线 10、字线20 W及字线接触孔结构30的排布方式为本领域中最常见的排布本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：源线；字线，与所述源线平行设置；字线接触孔结构，与所述字线垂直相交设置，且所述字线接触孔结构与所述字线相交形成的接触面靠近所述字线上远离所述源线的一侧边缘设置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨芸，李绍彬，王成诚，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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