本发明专利技术涉及一种集成电路引线框架用复合材料，其特征是选用纯铜Q195材料，厚度比是：Cu∶Q195∶Cu＝10～15％∶70～80％∶10～15％，经爆炸焊接、热轧、冷轧工艺，制得在Q195钢层的两面各包覆上一薄层纯铜，成品厚度为0.2～0.4mm，此Cu/Q195/Cu复合材料同美国的Cu/SUS430/Cu复合材料相比，机械物理性能与之相当，其导热率约高出2倍，而成本则降低一半，这种复合材料主要用做冲制集成电路引线框架。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】引线框架用铜钢铜复合材料 本专利技术属IC(集成电路）引线框架用复合材料领域。 引线框架材料是现代电子工业不可缺少的材料。引线框架材料的发展大致经历了 从化-Ni-Co可代合金到化Ni42合金再到铜合金的S个阶段。集成电路的发展对引线框架 材料的性能提出了更高的要求，即在具有高的强度的同时又具有高导电导热性。80年代初， 美国德克萨斯仪器公司开发了铜包不诱钢引线框架材料，它是在铁素体430不诱钢忍层的 两面复W高纯铜，其厚度比是10 %铜80% 430不诱钢/10 %铜，其导热率达到98. 7w/mk，其 导电率达到37. 41 % 1ACS，其抗拉强度达到621MPa，约为铜合金CDA194的1. 4倍。但是，由 于430不诱钢的导热性较差，使得运种复合材料的导热率仅只有铜合金CDA194的2/5,而 且，由于运种材料冲制引线框架后余下的边角料难W回收利用，致使制取单片引线框架的 成本远高于铜合金。见（Copper-cladstainlesssteeioutperformsotherIead-Frame materials，Internationalsemiconductor, 1982, 3)"新型铜合金引线框架材料的开发与 应用"《仪表材料》1986. 4,Vol. 17,228-232页。 本专利技术的目的是：提供一种经爆炸焊接+热社+冷社工艺制得导热率高，价格低的 复合引线框架材料的材料种类及配比。 本专利技术所采用技术方案是：选用T3工业纯铜板（铜含量99. 7% )、国产Q195铜板 (含C0. 06-0. 12%、Mn0. 25-0. 5%、Si《0. 03%、S《0. 05%、P《0. 045%、化余量）。 各层和的厚度比是：化10~15%:Q19570~80%:化10~15%，经铜板、钢板的表面 处理一爆炸焊接一热社一冷社工艺制得，复合材料成品厚度为0. 2-0. 4mm。 阳0化]本专利技术所得到的化/9195/化复合材料的机械物理性能同美国化/SUS430/化相 当，但其导热率约为化/SUS430/化复合材料的2倍，使复合材料的导热性能相应得到改善、 提高，且化/9195/化复合材料的成本仅为化/SUS430/化的一半。 实施例：选用厚度比为：Cu:Q195 :Cu= 12. 5% : 75% : 12. 5%的纯铜板和Q195钢，铜板和钢板分别经表面处理后，采用爆炸焊接+热社+冷社工艺，使其成为在Q195 钢层的两面各包复一薄层纯铜的成品厚度为0.2mm的复合材料，复合材料性能对比如下： 化/9195/化复合材料主要用于制做集成电路引线框架。【主权项】1. 一种引线框架用铜钢铜复合材料，其特征是芯层为Q195钢板，在Q195钢层的两面各 复一纯铜层。2. 根据权利要求1所述的引线框架用铜钢铜复合材料，其特征是：三层的厚度比是： Cu:Q195 :Cu= 10 ~15% : 70 ~80% : 10 ~15%〇【专利摘要】本专利技术涉及一种集成电路引线框架用复合材料，其特征是选用纯铜Q195材料，厚度比是：Cu∶Q195∶Cu＝10～15％∶70～80％∶10～15％，经爆炸焊接、热轧、冷轧工艺，制得在Q195钢层的两面各包覆上一薄层纯铜，成品厚度为0.2～0.4mm，此Cu/Q195/Cu复合材料同美国的Cu/SUS430/Cu复合材料相比，机械物理性能与之相当，其导热率约高出2倍，而成本则降低一半，这种复合材料主要用做冲制集成电路引线框架。【IPC分类】H01L23/495【公开号】CN105321920【申请号】CN201510852914【专利技术人】不公告专利技术人 【申请人】孙典学【公开日】2016年2月10日【申请日】2015年11月27日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种引线框架用铜钢铜复合材料，其特征是芯层为Q195钢板，在Q195钢层的两面各复一纯铜层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：孙典学，
类型：发明
国别省市：山东;37
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