屏蔽膜及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种屏蔽膜结构及其制造方法，其屏蔽膜结构由一绝缘层、一导电屏蔽层以及一胶粘层共同构成，并凭借其制造方法为(A)将一基材与一导电屏蔽层连接后共同形成凹穴；(B)在上述导电屏蔽层表面形成一绝缘层填充于凹穴中；(C)在上述绝缘层表面形成一载体膜；(D)将基材去除；(E)最后，于上述导电屏蔽层表面设置一胶黏层，并使上述金属接地电极外露形成一散布图案。利用上揭结构与制造方法可使上述屏蔽膜得到较优良的接地效果以及黏着强度，间接提升电磁屏蔽效果，又，上揭制造方法也具有降低成本、简化制程的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种屏蔽膜结构及其制造方法，尤指一种增加屏蔽膜的接地性能进而 增进电磁屏蔽效益的屏蔽膜结构及其制造方法。
技术介绍
现今产业为因应目前电子及通讯产品的发展需求，故于产品构装上要求轻、薄、 短、小，并在功能上要求高效能性。 然而，为了达到上述目的，往往使得电子产品线路密集化及频率高频化，使得电磁 福射问题日趋严重，并会造成设备间的干扰，甚至影响人体的健康。W往为了解决电磁福射的问题惟需凭借电路的特殊设计及规划，但此方法需要较 长的时间及较高的成本支出。于是近年来，发展出利用屏蔽膜屏蔽电磁波的方法，由于屏蔽 膜具有无需重新设计、使用方便及低成本的优势特点，使得屏蔽膜近年来被广泛使用于业 界当中。 屏蔽膜主要原理为利用导电性良好的屏蔽层贴覆于电子工作组件的上下表面，并 进一步导通电路接地线。当电磁福射进入于屏蔽层时，因电磁福射与屏蔽层产生电磁交互 作用，并经由接地电路吸收电磁能量，使得屏蔽层达到屏蔽电磁福射的效果。由于屏蔽层与电子工作组件间的接地电路导通性将会直接影响屏蔽膜的电磁屏 蔽效能，故当接地接触电阻越小，电磁交互作用越强时，可获得越佳的屏蔽效能。 如图1、图IA所示一种现有屏蔽膜1掲示的结构，主要由一绝缘层11、屏蔽层12 W及导电黏胶层13所组成。绝缘层11为阻隔导电的屏蔽层12与电子组件接触，导电黏胶 层13中由黏胶剂添加导电粒子13a组成，凭借上述导电粒子13a导通电子组件的接地线路 及屏蔽层12,W及通过导电黏胶层13的热硬化制程，使得上述屏蔽膜1可固设于电子组件 的上方，达到屏蔽电磁波的目的。[000引然而，如图1所示上述屏蔽膜1现有结构由于在导电黏胶层13中添加导电粒子 13a，此结构虽可达到黏着与导电的功用，但导电粒子13a间的接触电阻大，易造成导电性 不佳而间接影响屏蔽效果，且导电粒子13a尺寸的均一性、分散度W及沉降现象均会影响 屏蔽膜1的导电度及黏着度，因而降低屏蔽膜1的屏蔽效果。有鉴于现有屏蔽膜具有其缺失，实有必要提供一种凭借简易、低成本制程却可快 速生产具有优良屏蔽电磁波功能的屏蔽膜结构及其制造方法。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于将导电屏蔽层的复数个金属接地电极之间的大范围区域 进行填充一填充胶黏层于其中，W避免现有技术添加导电粒子于导电胶黏层中使得导电粒 子间的高接触电阻降低导通效果，故本专利技术屏蔽膜具有较良好接地效果。 本专利技术的次要目的为凭借本专利技术屏蔽膜结构无需添加导电粒子于粘胶层中，故不 会造成粘着胶的粘性降低，影响粘着强度，据此，本专利技术屏蔽膜具有较强粘着强度。 本专利技术的又一目的在于提供一种屏蔽膜的制造方法，可生产出高电导通性、优良 黏着强度W及良好屏蔽效能的屏蔽膜，且此制造方法也具有制程简单的特点，可达到降低 成本的目的，进而大幅提升产业应用性的特点。 为实现前述目的，本专利技术一种屏蔽膜，包含： 一绝缘层；至少一导电屏蔽层，布设于上述绝缘层表面，且一部分区域外凸形成复 数个金属接地电极，并由上述金属接地电极共构一散布图案，而复数个金属接地电极之间 的大范围区域将形成一填充空间；一胶黏层，容设于上述填充空间中。 上述绝缘层可由一第一绝缘材单独构成或于由一第一绝缘材与一接着材共同构 成绝缘层。 在第一实施例中，上述导电屏蔽层设有至少一与上述绝缘层连接的金属屏蔽材， 并在上述金属屏蔽材表面设有复数个金属接地电极。 在第二实施例中，上述导电屏蔽层设有至少一与上述绝缘层连接的金属屏蔽材， 且上述金属屏蔽材外凸形成复数个金属接地电极。 在第H实施例中，上述绝缘层具有复数个第一隆起部，而上述导电屏蔽层设有至 少一与上述绝缘层连接的金属屏蔽材，上述金属屏蔽材对应每一第一隆起部分别形成一金 属接地电极。 在一可行实施例中，上述导电屏蔽层另设有至少一耐候层。 在一较佳实施例中，上述导电屏蔽层设有至少一第二绝缘材，上述第二绝缘材的 上、下表面分别连接于一金属屏蔽材的表面上。上述接着材的材料选自于媒（Ni)、锡（Sn)、锋狂n)、银（Ag)、铜（Cu)、铅（Al)、铁 (Ti)、館（Cr)、钢（Mo)、鹤（W)、铁（Fe)、饥（V)、钻（Co)、银（Nb)、高分子材料的其中至少一 种材料或为上述材料的氧化物所构成。 上述金属屏蔽材的的厚度介设于0. 1至15微米，上述金属屏蔽材的材料选自于铜 似1)、银（Ag)、铅（Al)、媒（化）、锋（Zn)、锡（Sn)、铁（Fe)、碳似、石墨（Graphite)、石墨帰 (Graphene)、导电高分子材料的其中至少一种材料所构成。 上述金属接地电极的高度介于3至30微米，上述金属接地电极的材料选自于 铜（Cu)、银（Ag)、铅（Al)、媒（Ni)、锋（Zn)、铁（Fe)、碳似、石墨（Graphite)、石墨帰 (Graphene)的其中至少一种材料所构成。在第四实施例中，一种屏蔽膜，包含：一绝缘层，上述绝缘层中具有绝缘导热材料 粒子；一导电屏蔽层，布设于上述绝缘层表面，且一部分区域外凸形成复数个金属接地电 极，并由上述金属接地电极共构一散布图案，而复数个金属接地电极之间的大范围区域将 形成一填充空间；一胶黏层，容设于上述填充空间中，上述胶黏层中设置有金属粒子。在第五实施例中，一种屏蔽膜，包含；一导电屏蔽层，上述导电屏蔽层的一部分区 域外凸形成复数个金属接地电极，并由上述金属接地电极共构一散布图案，而复数个金属 接地电极之间的大范围区域将形成一填充空间；一胶黏层，容设于上述填充空间中。 在第一实施例的一种屏蔽膜的制造方法中，包含W下步骤=(A)将一基材与一导 电屏蔽层连接，并由上述基材与导电屏蔽层共同形成复数个凹穴；度）在上述导电屏蔽层 表面形成一绝缘层，并由上述绝缘层填充上述凹穴；(C)在上述绝缘层表面形成一载体膜； 值）将上述导电屏蔽层表面的基材去除，上述导电屏蔽层表面凸起形成复数个金属接地电 极；巧）在上述导电屏蔽层表面设置一胶黏层，并使上述金属接地电极外露形成一散布图 案。 在第一方法实施例中，其步骤（A)包含；将上述基材压铸形成复数个凹穴；W及于 上述基材表面及凹穴形成上述导电屏蔽层。 在第二方法实施例中，其步骤（A)包含；于上述基材表面形成上述导电屏蔽层；W 及将上述基材与导电屏蔽层共同压铸形成复数个凹穴。 在第H方法实施例中，其步骤（A)包含；压铸一母版模形成上述凹穴；并于上述母 版模表面形成一导电材；对上述导电材进行纯化的表面处理；W及于上述导电材表面形成 上述导电屏蔽层。 在第四方法实施例中，一种屏蔽膜的制造方法，包含W下步骤：(A)提供一绝缘 层；度）在上述绝缘层表面形成一导电屏蔽层；（C)对上述绝缘层与导电屏蔽层同时压铸形 成一凸起的金属接地电极；值）在上述导电屏蔽层表面设置一胶黏层，并使上述金属接地 电极外露形成一散布图案。 一种屏蔽膜的制造方法，包含W下步骤： (A)提供一绝缘层，上述绝缘层层表面形成复数个凸起；度）在上述绝缘层上形成 一导电屏蔽层，上述导电屏蔽层对应上述凸起形成金属接地电极；（C)在上述导电屏蔽层 表面设置一胶黏层，并使上述金属接地电极外露形成一散布图案。 在第五方法实施例中，其步骤（A)提供一第一绝缘材；度）为涂布一高分子材料于 上述第一绝缘材上并进行预固化；（C)在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种屏蔽膜，其特征在于，包含：一绝缘层；一导电屏蔽层，布设于上述绝缘层表面，且一部分区域外凸形成复数个金属接地电极，并由上述金属接地电极共构一散布图案，而复数个金属接地电极之间的大范围区域将形成一填充空间；一胶黏层，容设于上述填充空间中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赖玉豪，
申请(专利权)人：欣永立企业有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71