半导体基板清洗用组合物制造技术

本发明专利技术提供一种半导体基板清洗用组合物，其在将膜形成于半导体基板表面而除去基板表面的异物的工艺中，能够高效率地除去基板表面的颗粒，且能够容易地从基板表面除去所形成的膜。本发明专利技术涉及一种半导体基板清洗用组合物，其含有溶剂和聚合物，该聚合物含有氟原子、硅原子或者它们的组合。作为上述溶剂中的水的含量，优选为20质量％以下。优选进一步含有非聚合物的有机酸。作为上述有机酸，优选多元羧酸。优选上述聚合物的酸解离常数小于上述有机酸的酸解离常数。作为上述有机酸在25℃时在水中的溶解度，优选为5质量％以上。上述有机酸在25℃时优选为固体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体基板清洗用组合物。
技术介绍
半导体基板的制造工序中，为了除去在形成有图案的基板的表面附着的颗粒等污 染物质而进行清洗。近年来，推进所形成的图案的微细化、高长宽比化。在使用了液体、气 体的清洗中，由于液体、气体难以流到基板表面的附近、图案间，所以难以除去微小的颗粒、 附着于上述图案间的颗粒。 日本特开平7 - 74137号公报中，公开了向基板表面供给涂布液而形成薄膜后，用 粘性胶带等进行剥离，由此除去基板表面的颗粒的方法。认为根据该方法，能够减少对半导 体基板的影响，同时能够以高的除去率除去微小的颗粒、图案间的颗粒。但是，该方法中存 在如下问题：需要从基板表面以物理方式剥离薄膜，工序繁琐，在薄膜的一部分残留在图案 内的情况下难以除去。 日本特开2014 - 99583号公报中，公开了向基板表面供给用于形成膜的处理液， 使其固化或者硬化后，利用除去液使固化或者硬化的处理液全部溶解，由此除去基板表面 的颗粒的基板清洗装置和基板清洗方法。专利技术的详细说明中作为处理液的非限定性的例子 而记载了顶涂液，但关于何种处理液适合，并没有详细的记载。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开平7 - 74137号公报 专利文献2 :日本特开2014 - 99583号公报
技术实现思路
本专利技术是基于如上情况而作出的。即，本专利技术的目的在于提供一种在将膜形成于 半导体基板的表面而除去基板表面的异物的工艺中，能够高效率地除去基板表面的颗粒， 且能够从基板表面容易地除去所形成的膜的半导体基板清洗用组合物。 为了解决上述课题而作出的专利技术为一种半导体基板清洗用组合物，其含有溶剂 (以下，也称为"溶剂"）和聚合物（以下，也称为"聚合物")，该聚合物含有氟原子、 硅原子或者它们的组合。 根据本专利技术，能够提供在将膜形成于基板表面而除去基板表面的异物的工艺中， 能够高效率地除去基板表面的颗粒，且能够从基板表面容易地除去所形成的膜的半导体基 板清洗用组合物。本专利技术的组合物能够适合用于预想今后会越发推进微细化、高长宽比化 的半导体元件的制造工序中。【附图说明】【图1A】图IA是使用本专利技术的半导体基板清洗用组合物的半导体基板的清洗方法 的说明图。 【图1B】图IB是使用本专利技术的半导体基板清洗用组合物的半导体基板的清洗方法 的说明图。 【图1C】图IC是使用本专利技术的半导体基板清洗用组合物的半导体基板的清洗方法 的说明图。【具体实施方式】 <半导体基板清洗用组合物> 本专利技术的半导体基板清洗用组合物（以下，也简称为"清洗用组合物"）是用于清 洗半导体基板的组合物。通过使用该清洗用组合物在半导体基板的表面形成膜，并除去该 膜，从而能够高效率地除去附着于基板的表面、尤其是图案间等的颗粒等。 该清洗用组合物含有溶剂和聚合物。推测通过使聚合物含有氟原子 和/或硅原子，从而该清洗用组合物显示出对基板表面的适度的润湿扩展性，并且所形成 的膜具有对除去液的亲和性和适度的溶解速度，以包裹基板表面的颗粒的状态迅速地被除 去，实现尚的除去效率。 该清洗用组合物可以进一步含有非聚合物的有机酸（以下，也简称为"有机 酸"）。这里，"非聚合物的"是指不具有由聚合或者缩合反应而产生的重复结构。该清洗用 组合物通过含有有机酸，变得更容易从基板表面上除去。例如，与形成于硅基板表面的 膜相比，形成于氮化硅基板、氮化钛基板的表面的膜的除去有时耗费时间。通过添加有 机酸，能够缩短除去所需的时间。该理由尚不明确，但认为理由之一是例如，形成于基板表 面的膜变成有机酸分散于聚合物中的膜，从而膜的强度适度下降。其结果，认为即 便是氮化硅基板等与聚合物的相互作用强的基板，涂膜的除去也变得更容易。 此外，在不损害本专利技术的效果的范围内，该清洗用组合物除含有~成分以 外，还可以含有其它的任意成分。 以下，对各成分进行说明。 < 溶剂〉 溶剂只要为溶解或者分散聚合物的溶剂，就可使用，但优选为溶解聚 合物的溶剂。另外，添加有机酸时，优选为溶解有机酸的溶剂。 作为溶剂，例如，可举出醇系溶剂、醚系溶剂、酮系溶剂、酰胺系溶剂、酯系溶 剂、烃系溶剂等有机溶剂；水等。 作为醇系溶剂的例子，可举出乙醇、异丙醇、戊醇、4-甲基-2-戊醇、环己醇、 3, 3, 5-三甲基环己醇、糠醇、苯甲醇、二丙酮醇等碳原子数为1~18的1元醇，乙二醇、丙二 醇、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、三丙二醇等碳原子数为2~12的2元醇、它们的部分醚 等。 作为醚系溶剂的例子，可举出二乙醚、二丙醚、二丁醚、二异戊醚等二烷基醚系溶 剂，四氢呋喃、四氢吡喃等环状醚系溶剂，二苯醚、苯甲醚等含芳香环的醚系溶剂等。 作为酮系溶剂的例子，可举出丙酮、甲基乙基酮、甲基正丙基酮、甲基正丁基酮、二 乙基酮、甲基异丁基酮、2-庚酮、乙基正丁基酮、甲基正己基酮、二异丁基酮、三甲基壬酮等 链状酮系溶剂，环戊酮、环己酮、环庚酮、环辛酮、甲基环己酮等环状酮系溶剂，2, 4-戊二酮、 丙酮基丙酮、苯乙酮等。 作为酰胺系溶剂的例子，可举出Ν，Ν' -二甲基咪唑啉酮、N-甲基吡咯烷酮等环状 酰胺系溶剂，N-甲基甲酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二乙基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰 胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基丙酰胺等链状酰胺系溶剂等。 作为酯系溶剂的例子，可举出乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸苄酯、乙酸环己酯、乳酸乙 酯、3-甲氧基丙酸乙酯等1元醇羧酸酯系溶剂，烷撑二醇单烷基醚的单羧酸酯、二烷撑二醇 单烷基醚的单羧酸酯等多元醇部分醚羧酸酯系溶剂，丁内酯等环状酯系溶剂，二乙基碳酸 酯等碳酸酯系溶剂，草酸二乙酯、邻苯二甲酸二乙酯等多元羧酸烷基酯系溶剂。 作为烃系溶剂的例子，可举出正戊烷、异戊烷、正己烷、异己烷、正庚烷、异庚烷、 2, 2, 4-三甲基戊烧、正辛烧、异辛烧、环己烷、甲基环己烷等脂肪族烃系溶剂，苯、甲苯、二甲 苯、三甲苯、乙基苯、三甲基苯、甲基乙基苯、正丙基苯、异丙基苯、二乙基苯、异丁基苯、三乙 基苯、二异丙基苯、正戊基萘等芳香族烃系溶剂等。 其中，优选有机溶剂，优选醇系溶剂、醚系溶剂、酮系溶剂、酯系溶剂，更优选1元 醇、2元醇的部分醚、二烷基醚系溶剂、环状酮系溶剂、1元醇羧酸酯系溶剂、环状酯系溶剂、 多元醇部分醚羧酸酯系溶剂，进一步优选4-甲基-2-戊醇、二异戊基醚、丙二醇单乙醚、乳 酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、丁内酯、丙二醇单甲醚乙酸酯。 作为溶剂中的水的含有率，优选为20质量％以下，更优选为5质量％以下，进 一步优选为2质量％以下，特别优选为0质量％。通过使溶剂中的水的含有率为上述 上限以下，能够更适度地降低所形成的膜的强度，其结果是能够提高由该清洗用组合物产 生的清洗性。 作为溶剂的含量的下限，优选为50质量％，更优选为80质量％，进一步优选 为90质量％。作为上述含量的上限，优选为99. 9质量％，更优选为99. 5质量％，进一步优 选为99.0质量％。通过使溶剂的含量为上述下限与上限之间，能够进一步提高该清洗 用组合物对氮化硅基板的清洗性。该清洗用组合物可以含有1种或者2种以上的溶剂。 < 聚合物〉 聚合物为含有氟原子、硅原子或者它们的组合的聚合物。 聚合物的种类没有特别限定，从合成的容易本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体基板清洗用组合物，含有溶剂和聚合物，所述聚合物含有氟原子、硅原子或者它们的组合。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：望田宪嗣，岛基之，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP