本发明专利技术公开了一种二次光学一体化设计LED元件，用于LED闪光灯，其特征在于：所述LED元件包括支架，所述支架上开设外部开口的凹槽，所述凹槽底部平整，用于放置底部光源体，所述外部开口面积大于底部面积，所述凹槽内壁从外部开口至底部为两层或者多层平整斜面，每层斜面与水平面的夹角均不同，所述凹槽四个内壁的斜面均是对称设置。本发明专利技术直接将二次光学透镜设计在底部光源体二次内壁內。改善因外部增加的二次光学装配公差或机构干涉等影响照度不足，角度偏心,或光斑现象。将LED元件与光学部分整合成一个整体，增加了LED结合性以及可靠度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及一种二次光学一体化设计L邸元件，属于LED闪光灯
技术介绍
目前市场上手机闪光灯运用方式主要两种，一种是在外壳上安装透镜，并设计相 应的透镜纹路W达到与相机想匹配的出光效果，但是由于每款手机主板与外壳之间的距离 不等，位置因各种元器件的干扰而很难固定下来，所W关于透镜的设计也较为复杂。 另一种是直接将反射镜安装在闪光灯内部，但是由于是两层组成零件，结合性可 靠度较差。
技术实现思路
为了克服上述不足，本专利技术采用一体化设计，通过设计和修改L邸灯珠的二次内 壁结构来改变光线的传播路径，从而满足不同电子产品针对L邸照度/角度的各种需求。 阳〇化]为了达到上述目的，本专利技术的技术方案如下： 一种二次光学一体化设计L邸元件，用于L邸闪光灯，所述L邸元件包括支架，所述支 架上开设外部开口的凹槽，所述凹槽底部平整，用于放置底部光源体，所述外部开口面积大 于底部面积，所述凹槽内壁从外部开口至底部为两层或者多层平整斜面，每层斜面与水平 面的夹角均不同，所述凹槽四个内壁的斜面均是对称设置。 作为优选方案，上述凹槽内壁外部开口为正八边形、正方形、矩形中的任意一种形 状，其凹槽底部形状与外部开口形状对应一致。 作为优选方案，上述凹槽内壁外部开口为正方形、矩形时，每个夹角处为圆弧设 计，所述圆弧处对应的斜面为曲面设计，直接延伸至凹槽底部。 作为优选方案，上述底部光源体为一颗或多颗晶片。 作为优选方案，上述晶片的波段为260~llOOnm。 作为优选方案，上述晶片中包含混光LED。 本专利技术所达到的有益效果： 本专利技术直接将二次光学透镜设计在底部光源体二次内壁內。改善因外部增加的二次光 学装配公差或机构干设等影响照度不足，角度偏屯、，或光斑现象。 本专利技术将L邸元件与光学部分整合成一个整体，增加了L邸结合性W及可靠度。 本专利技术可运用在车载，照明等对出光角度和出光强度有一定要求的领域中。【附图说明】 图1是本专利技术的结构示意图； 图2是实施例1的支架结构示意图； 图3是实施例2的支架结构示意图。【具体实施方式】 下面结合附图对本专利技术作进一步描述。W下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术 的技术方案，而不能W此来限制本专利技术的保护范围。 如图1所示，一种二次光学一体化设计L邸元件，用于LED闪光灯，L邸元件包括 支架1，支架1上开设外部开口的凹槽，凹槽底部平整，用于放置底部光源体3,外部开口面 积大于底部面积，凹槽内壁从外部开口至底部为两层或者多层平整斜面2,每层斜面2与水 平面的夹角均不同，凹槽四个内壁的斜面2均是对称设置。 作为优选方案，上述底部光源体3为一颗或多颗晶片。 阳01引作为优选方案，上述晶片的波段为260~llOOnm。 作为优选方案，上述晶片中包含混光LED。 作为优选方案，如图2、图3所示，上述凹槽内壁外部开口为正八边形、正方形、矩 形中的任意一种形状，其凹槽底部形状与外部开口形状对应一致。 作为优选方案，如图3所示，上述凹槽内壁外部开口为正方形、矩形时，每个夹角 处为圆弧设计，所述圆弧处对应的斜面为曲面设计，直接延伸至凹槽底部。 阳02引实施例1: 如图2所示，支架的凹槽的外部开口为正八边形，底部同样是正八边形，外部开口为正 八边形面积大于底部正八边形。外部开口至底部有二层斜面，第一层斜面是外部开口处的 八条边向底部延伸，第二层斜面是底部的八条边向外部开口延伸，两层斜面交汇至内壁中 段，形成一个折角。 阳02引实施例2: 如图3所示，支架的凹槽的外部开口为正方形，每个直角处设计为圆弧，底部同样是正 方形，外部开口为正方形面积大于底部正方形。第一层斜面是外部开口处的四条边和圆弧 向底部延伸，圆弧处对应的斜面为曲面，第二层斜面是底部的四条边和圆弧向外部开口延 伸，圆弧处对应的斜面为曲面，两层斜面交汇至内壁中段，形成一个折角。 本专利技术的出光角度及照度均可达到与传统加透镜或反射盖形式一致且更优的效 果。本专利技术实施例1中3432尺寸型号的参数与传统加透镜或反射盖成品的参数对比 如下：W上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来 说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可W做出若干改进和变形，运些改进和变形也应 视为本专利技术的保护范围。【主权项】1. 一种二次光学一体化设计LED元件，用于LED闪光灯，其特征在于：所述LED元件包 括支架，所述支架上开设外部开口的凹槽，所述凹槽底部平整，用于放置底部光源体，所述 外部开口面积大于底部面积，所述凹槽内壁从外部开口至底部为两层或者多层平整斜面， 每层斜面与水平面的夹角均不同，所述凹槽四个内壁的斜面均是对称设置。2. 根据权利要求1所述的二次光学一体化设计LED元件，其特征在于：所述凹槽内壁 外部开口为正八边形、正方形、矩形中的任意一种形状，其凹槽底部形状与外部开口形状对 应一致。3. 根据权利要求2所述的二次光学一体化设计LED元件，其特征在于：所述凹槽内壁 外部开口为正方形、矩形时，每个夹角处为圆弧设计，所述圆弧处对应的斜面为曲面设计， 直接延伸至凹槽底部。4. 根据权利要求1所述的二次光学一体化设计LED元件，其特征在于：所述底部光源 体为一颗或多颗晶片。5. 根据权利要求4所述的二次光学一体化设计LED元件，其特征在于：所述晶片的波 段为 260 ~llOOnm。6. 根据权利要求4所述的二次光学一体化设计LED元件，其特征在于：所述晶片中包 含混光LED。【专利摘要】本专利技术公开了一种二次光学一体化设计LED元件，用于LED闪光灯，其特征在于：所述LED元件包括支架，所述支架上开设外部开口的凹槽，所述凹槽底部平整，用于放置底部光源体，所述外部开口面积大于底部面积，所述凹槽内壁从外部开口至底部为两层或者多层平整斜面，每层斜面与水平面的夹角均不同，所述凹槽四个内壁的斜面均是对称设置。本专利技术直接将二次光学透镜设计在底部光源体二次内壁內。改善因外部增加的二次光学装配公差或机构干涉等影响照度不足，角度偏心,或光斑现象。将LED元件与光学部分整合成一个整体，增加了LED结合性以及可靠度。【IPC分类】F21S10/06, F21V19/00, F21Y105/10【公开号】CN105299581【申请号】CN201510746892【专利技术人】陶燕兵, 蔡志嘉 【申请人】江苏欧密格光电科技股份有限公司【公开日】2016年2月3日【申请日】2015年11月5日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种二次光学一体化设计LED元件，用于LED闪光灯，其特征在于：所述LED元件包括支架，所述支架上开设外部开口的凹槽，所述凹槽底部平整，用于放置底部光源体，所述外部开口面积大于底部面积，所述凹槽内壁从外部开口至底部为两层或者多层平整斜面，每层斜面与水平面的夹角均不同，所述凹槽四个内壁的斜面均是对称设置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陶燕兵，蔡志嘉，
申请(专利权)人：江苏欧密格光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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