一种半导体封装件10具有管芯12，管芯12具有多个电连续管芯导线键合部位30，所述多个电连续管芯导线键合部位包括第一管芯导线键合部位32和第二管芯导线键合部位34。该封装件包括基板22，基板22具有多个电连续基板导线键合部位40，所述多个电连续基板导线键合部位包括第一基板导线键合部位42和第二基板导线键合部位44。第一键合线52被连接在第一管芯导线键合部位32与第一基板导线键合部位42之间，并且第二键合线54被连接在第二管芯导线键合部位34与第二基板导线键合部位44之间。第一和第二键合线52、54位于相邻的基本平行的键合线平面AA、BB内。第二键合线54相对于第一键合线52充分偏移。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】
技术介绍
导线键合是长久以来用于连接集成电路封装件的电气元件的方法。在导线键合连接中，薄键合线的相对端被焊接到将被电连接的两个不同组件的导电接触区。为了机械可靠性、热性能和易于连接到印刷电路板(PCB)，导线键合封装件诸如四方扁平无引脚封装(QFN)和四方扁平封装(QFP)比晶片级封装(WSP)和倒装芯片球栅阵列(FCBGA)封装更为优选。与WSP和FCBGA封装不同，QFN和QFP封装件具有使用键合线制成的接地线和信号连接件。与典型WSP接地连接件的约70pH电感不同，单个键合线接地线的典型电感是大约0.7nHo然而，存在与键合线封装件中的高寄生电感相关的问题。这些问题包括:功率放大器(PA)和噪声因数(NF)的效率退化；低噪声放大器(LNA)的退化；直流-直流(D⑶C)变换器的效率退化；DOTC变换器的高纹波水平；低压降稳压器(LD0)的电源抑制比(PSRR)退化；功能性问题，诸如像PA和LNA的射频(RF)块的不稳定性；功能性问题，比如中频(IF)级和LD0中的振铃和振荡；以及各种电路块之间的隔离程度降低。减小寄生电感的一种常规方法是当连接两个电气组件如管芯和引线框时，使用并联电连接的多个导线而不是单个导线。这样一来，通常基本相同大小和形状的导线被布置在紧密间隔开的平行平面上。然而，这种布置的问题是由流过紧密相邻的导线的电流导致的互耦k抵消了使用多个导线将会发生的寄生电感的减少。【附图说明】图1是集成电路封装件的俯视平面图。图2是图1的集成电路封装件的侧面正视图。图3是集成电路封装件的第二实施例的俯视平面图。图4是图3的集成电路封装件的侧面正视图。图5是将管芯电连接到基板的方法的流程图。图6是定义在本说明书中使用的某些术语时所使用的投影区域的图示。【具体实施方式】图1示出具有管芯12和基板22的集成电路封装件10。管芯12可以被安装在基板22上。管芯12具有多个电连续导线键合部位(site) 30，电连续导线键合部位30可以包括第一部位32、第二部位34、第三部位36和第四部位38。导线键合部位30可以是与公共导体接触的管芯接触焊盘。在另一个实施例中，导线键合部位30可以被管芯12的导电性顶表面部分上的部位间隔开。在图1所示的实施例中，多个导线键合部位30被定位在管芯12的顶表面14上的单个列中。在由图1和图2所示的集成电路封装件中，基板22可以具有多个电连续(短接在一起)导线键合部位40，所述电连续导线键合部位40可以包括第一导线键合部位42、第二导线键合部位44、第三导线键合部位46和第四导线键合部位48。在一个实施例中，基板22是引线框，并且所述导线键合部位被引线框的物理部分间隔开。基板22具有顶表面24和相对的底表面26。可以在基板22的顶表面24上提供多个基板导线键合部位40。在一个实施例中，管芯12的底表面16被键合到基板22的顶表面24。多个键合线50(例如，单独的键合线52、54、56、58)中的每一个具有第一端62和第二端64。键合线50可以被连接在管芯12上的多个电连续导线键合部位30和基板22上的多个电连续导线键合部位40之间。多个管芯导线键合部位30和多个基板导线键合部位40可以被布置为使得多个键合线50被定位在基本垂直于管芯的顶表面14和基板22的顶表面24延伸的基本平行的键合线平面AA、BB、CC和DD中。虽然本文中仅例示了四个键合线50，但应当理解的是可以使用布置成并行键合线的任意数量的键合线。在图3和图4的实施例中，管芯10和基板22的一般结构可以与图1和图2中例示的相同，区别在于基板接触焊盘41、43、45、47是交错的并被定位成两行，而不是如图1所示的单行。在图2和图4中，为了避免附图杂乱，仅示出第一键合线52、54和第二键合线51、53。在图1和图2以及图3和图4两个说明性实施例中，多个键合线50具有以充分偏移的关系定位的相邻导线，即第二键合线相对于第一键合线充分偏移，第三键合线相对于第二键合线充分偏移，并且第四键合线相对于第三键合线充分偏移，反之亦然。现在将参考图6解释充分偏移和在本说明书中使用的其他术语的含义。键合线1或2的投影区域是键合线如键合线1、管芯3和基板4所对向(subtended)的区域在正交于基板的平面(平行于键合线的平面)上的投影。偏移率是两个键合线1、2的投影区域的交集与两个键合线1、2的投影区域的并集的比值的补数。在图6中，虽然没有在附图中明确提及，但“A”是第一键合线的投影区域，即在导线1下面且在水平线3和4上面的区域。“B”是第二键合线的投影区域，即在导线2下面且在水平线3和4上面的区域。偏移率“S”可以在数学上被定义为:S = 1-其中(A η B)=(带x的区域)，并且(A U B)=(带X的区域)+ (带点的区域)+ (带正方形的区域)。图2是垂直于键合线平面AA、BB、CC、DD的视图，其示出了键合线52和54具有交叠的投影轮廓，即每个导线到平行于键合线平面AA、BB等的公共投影平面上的投影。这些投影轮廓以及管芯12和基板22的顶表面依次限定轮廓封闭区域“a”、“b”和“c”。第一投影区域“a”开始于与键合线附接点32、34对齐的点72并且结束于两个导线52、54投影交叠的点73。在点72和73之间的导线52和54的投影轮廓的部分限定了封闭区域“a”。投影轮廓封闭区域“b”从点73延伸到与基板键合线接触部位42和44对齐的点74，并且是由在点73和74之间延伸的导线52和54的投影轮廓的部分界定的区域。投影轮廓封闭区域“c”具有由导线52和54的两段投影轮廓中的较低者限定的上边界，所述两段投影轮廓即在点72与点73之间延伸的导线54的投影轮廓段以及在点73与点74之间延伸的导线52的投影轮廓段。封闭区域“c”的下边界由与管芯12的顶表面14以及基板22的顶表面24相关的水平线限定，所述水平线直接位于上述导线52和54的投影轮廓段的下面。如在本说明书中使用的术语相邻键合线的偏移率在一种情况下是指投影轮廓封闭区域“a”和“b”的总和除以所有封闭区域“a”和“b”以及“c”的总和。因此，在诸如图1和图2所示的键合线配置中，偏移率=1- 。在这种情况下，在侧立面图中，第一和第二基板导线键合部位是对齐的，并且因此代表单个点74。图3和图4示出键合线51、53、55、57的相邻键合线如51、53终止于基板22上的键合线接触部位41、43的情况，如图4所示，键合线接触部位41、43未对齐，并且因此当从侧面(即在垂直于键合线平面AA、BB等的方向)观察时，键合线接触部位41、43投影为两个不同的点85、86。在该实施例中，两个键合线51、53的投影轮廓限定了四个投影轮廓封闭区域“p”、“q”、“r”、“s”。图4所示的投影轮廓中的两个导线51、53开始于与管芯接触焊盘32、34相关联的公共点82。在图4中，导线51、53的投影轮廓再次在点83处当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体封装件，其包括：管芯，其具有多个电连续管芯导线键合部位，所述多个电连续管芯导线键合部位包括第一管芯导线键合部位和第二管芯导线键合部位；基板，其具有多个电连续基板导线键合部位，所述多个电连续基板导线键合部位包括第一基板导线键合部位和第二基板导线键合部位；第一键合线，其被连接在第一管芯导线键合部位与所述第一基板导线键合部位之间；第二键合线，其被连接在所述第二管芯导线键合部位与所述第二基板导线键合部位之间，所述第一键合线和所述第二键合线位于相邻的基本平行的键合线平面内；以及其中所述第二键合线相对于所述第一键合线是充分偏移的。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·P·乔希，G·拉金德兰，B·帕克斯，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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