一种半导体功率器件双芯片混合封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体功率器件双芯片混合封装结构，属于半导体技术领域。包括塑封体、焊盘、引出端子、芯片、金属引线，其中引出端子与焊盘相连，芯片一面通过焊料焊接于焊盘上，另一面通过金属引线与其他未放置芯片的焊盘相连，焊盘数量设置不少于四个，且两两相向设置，与焊盘相连的引出端子数量与焊盘设置数量相同，芯片数量为两个，未放置芯片且相对设置的其中两个焊盘彼此相连。本实用新型专利技术特别针对低功耗多器件应用领域，采用双芯片集成封装结构，能有效减小器件的占位面积，有利于电路的微型化设计，也大大降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体功率器件双芯片混合封装结构，属于半导体

技术介绍
半导体功率分立器件作为一种传统的电子元器件被广泛应用于各种电路中，因其只执行单一的功能，往往被独立封装，即一个封装器件内只含有一颗芯片。当在某些特殊的应用领域，需要同时使用数量较多的半导体功率分立器件时，这种常规的封装因占位面积大，不利于电路的微型化，制造成本也较高。例如:麻将机根据机型的不同，需要配置8?18个电机，每个电机需要使用一个晶闸管作为开关元件，现有技术是借助于现有的封装结构如T0-220封装或T0-252封装，将单颗晶闸管芯片封装于内，因现有封装结构封装体积大，使用器件数量较多，线路板上占位面积大，无法进一步小型化。
技术实现思路
本技术针对诸如麻将机等低功耗应用领域，提供了一种半导体功率器件双芯片混合封装结构，可将两颗芯片同时封装于同一封装体内，可大幅度减少器件的使用数量和占位面积，本案由此产生。为达到上述目的，本技术所采用的技术方案为:一种半导体功率器件双芯片混合封装结构，包括塑封体、焊盘、引出端子、芯片、金属引线，连接焊盘的引出端子有部分外露于塑封体外，芯片一面通过焊料焊接于焊盘上，另一面通过金属引线与其他未放置芯片的焊盘相连，所述焊盘数量设置不少于四个，且两两相向设置，与焊盘相连的所述引出端子的数量与焊盘设置数量相同，所述芯片数量为两个，未放置芯片且相向设置的其中两个焊盘彼此相连。若所封装的两颗芯片为同种类相同芯片，则所述相向设置的焊盘及所述引出端子彼此呈中心对称结构，在后续器件测试和包装工序，无须区分器件方向，可省去器件排向的麻烦。进一步设置，所述引出端子在塑封体外露部分呈欧翼型，散热路径更长，也便于器件的焊接。将所述放置芯片的焊盘所连接的引出端子的宽度，设置为大于其他未放置芯片的焊盘所连接的引出端子的宽度，更有利于芯片的散热，同时也可作为引出端子极性的特殊标识Ο本技术特别针对低功耗多器件应用领域，采用双芯片集成封装结构，能有效减小器件的占位面积，有利于电路的微型化设计，也大大降低了制造成本。以下结合附图和【具体实施方式】对本技术作进一步说明。【附图说明】图1为本技术实施例之一外观结构示意图；图2为图1的内部框架结构示意图；图3为本技术实施例之二外观结构示意图；图4为图3的内部框架结构示意图。【具体实施方式】如图1和图2所示的一种半导体功率器件双芯片混合封装结构，包括塑封体1、焊盘2、引出端子3、芯片、金属引线，连接焊盘2的引出端子3有部分外露于塑封体1外，芯片一面通过焊料焊接于焊盘2上，另一面通过金属引线与其他未放置芯片的焊盘2相连，其中焊盘2数量设置不少于四个，且两两相向设置，与焊盘2相连的引出端子3的数量与焊盘2设置数量相同，芯片数量为两个，未放置芯片且相向设置的其中两个焊盘2彼此相连。上述结构所封装的两颗芯片，可以是同种类相同芯片，也可以是两颗不同种类芯片。所封装的芯片类型，包括晶闸管芯片、三极管芯片、M0S管芯片、二极管芯片。焊盘2以及连接焊盘2的引出端子3的数量设置，则根据所封装芯片类型的需要，例如:所封装的两颗芯片为晶闸管芯片、三极管芯片、M0S管芯片，则焊盘2及引出端子3各设置为六个；所封装的两颗芯片同为二极管芯片，则焊盘2及引出端子3各设置为四个。当所封装的两颗芯片为同种类相同芯片时，相向设置的焊盘2及连接焊盘2的引出端子3彼此之间呈中心对称结构，这样设置在后续器件的测试和包装工序，则可以省去排向的麻烦。对于上述方案中引出端子3外露于塑封体1的部分，可设置成欧翼型，使得散热路径更长，也便于器件的焊接。进一步优化，可将放置芯片的焊盘2所连接的引出端子3的宽度，设置为大于其他未放置芯片的焊盘2所连接的引出端子3的宽度，更有利于芯片的散热，同时也可作为引出端子3极性的特殊标识。下面针对麻将机中电机应用领域，以封装两颗相同的双向晶闸管芯片为例，来说明本技术的【具体实施方式】之一:一种半导体功率器件双芯片混合封装结构，包括塑封体1、第一焊盘21、第二焊盘22、第三焊盘23、第四焊盘24、第五焊盘25、第六焊盘26、焊接于第一焊盘21上的第一双向晶闸管芯片、焊接于第四焊盘24上的第二双向晶闸管芯片、以及依次与第一焊盘21至第六焊盘26相连的引出端子31?36，其中第一焊盘21至第三焊盘23与第四焊盘24至第六焊盘26呈中心对称结构，同样引出端子31至33与引出端子34至36也呈中心对称结构，第二焊盘22与第五焊盘25相向设置且彼此连接，第一双向晶闸管芯片的门极通过金属引线与第六焊盘26相连，与第一焊盘21相连的引出端子31为T2极，第一双向晶闸管芯片的T1极通过金属引线与第二焊盘22相连，同理，第二双向晶闸管芯片的门极通过金属引线与第三焊盘23相连，与第四焊盘24相连的引出端子34为T2极，第二双向晶闸管芯片的T1极通过金属引线与第五焊盘25相连，将引出端子2外露于塑封体1的部分设置为欧翼型，同时，将引出端子31和34的宽度设置相同，大于引出端子32、33、35、36的宽度。以全自动四口麻将机为例，通常有14个电机，即:使用现有T0-252封装器件需要用到14个器件，若将具有本技术上述封装结构的双向晶闸管器件应用于麻将机电机上，则只需使用7个器件，占位面积大幅度减少，制造成本下降明显。特别是针对类似麻将机中使用，不始终处于工作状态的低功耗应用领域，本技术的封装结构还可根据芯片面积的减小进一步减小封装体积，使占位面积和制造成本的下降更加显著。以下结合图3和图4来说明针对封装二极管芯片应用领域，给出本技术的实施方式之二:一种半导体功率器件双芯片混合封装结构，包括塑封体1、第一焊盘21、第二焊盘22、第三焊盘23、第四焊盘24、焊接于第一焊盘21上的第一二极管芯片、焊接于第三焊盘23上的第二二极管芯片、以及依次与第一焊盘21至第四焊盘24相连的引出端子31?34，其中第一焊盘21、第二焊盘22与第三焊盘23、第四焊盘24呈中心对称结构，同样引出端子31、32与引出端子33、34也呈中心对称结构，第二焊盘22与第四焊盘24相向设置且彼此连接，第一二极管芯片的阴极与第一焊盘21相连，第一二极管芯片的阳极通过金属引线与第二焊盘22相连，与第一焊盘21相连的引出端子31为二极管的阴极，同理，第二二极管芯片的阴极与第三焊盘23相连，第二二极管芯片的阳极通过金属引线与第四焊盘24相连，与第三焊盘23相连的引出端子33为另一个二极管的阴极，两个通过第二焊盘和第四焊盘彼此相连的引出端子32和34作为两个二极管芯片的共阳极端子，将引出端子2外露于塑封体1的部分设置为欧翼型，同时，将引出端子31和33的宽度设置相同，大于引出端子32、34的宽度。【主权项】1.一种半导体功率器件双芯片混合封装结构，包括塑封体、焊盘、引出端子、芯片、金属引线，连接焊盘的引出端子有部分外露于塑封体外，芯片一面通过焊料焊接于焊盘上，另一面通过金属引线与其他未放置芯片的焊盘相连，其特征在于:所述焊盘数量设置不少于四个，且两两相向设置，与焊盘相连的所述引出端子数量与焊盘设置数量相同，所述芯片数量为两个，未放置芯片且相对设置的其中两个焊盘彼此相连。2.根据权利要求1所述的一种半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体功率器件双芯片混合封装结构，包括塑封体、焊盘、引出端子、芯片、金属引线，连接焊盘的引出端子有部分外露于塑封体外，芯片一面通过焊料焊接于焊盘上，另一面通过金属引线与其他未放置芯片的焊盘相连，其特征在于：所述焊盘数量设置不少于四个，且两两相向设置，与焊盘相连的所述引出端子数量与焊盘设置数量相同，所述芯片数量为两个，未放置芯片且相对设置的其中两个焊盘彼此相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢晓东，
申请(专利权)人：浙江明德微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33