一种UV灯多极驱动电源制造技术

技术编号:12797426 阅读:115 留言:0更新日期:2016-01-30 18:39
本实用新型专利技术公开一种UV灯智能驱动电源,包括:依次逐级连接的BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路和高频逆变方波输出级电路,所述BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路包括开关管Q1、续流二极管D1、滤波储能电感L1、输入电容C3和输出电容C4,所述高频逆变方波输出级电路包括由MOSFET开关管Q2~Q5、主变压器T1和限流电感L2。本实用新型专利技术点亮灯管的技术采用电流软启动技术,避免了现有的UV电源点亮灯管时的大电流对UV灯管的损伤,这样大大延长了灯管的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及到电源领域,尤其是涉及一种UV灯多级驱动电源。
技术介绍
现有的UV电源的供电方式是采用工频变压器串接大电容来调节UV灯的输出方式。该方式的缺陷是:体积大、效率低下、发热量大,UV灯管将电能转换成有效紫外线的比例低、UV灯管发出的紫外线的强度不平稳;现有的UV电源只能通过并联一个工频变压器来调节功率档位,很难实现真正需要的功率调节,体积庞大,又重,同时UV灯管的紫外线的能量输出会根据输入电压的波动而波动,影响使用效果,工频变压器能量的传输完全是开环传输,比如输入是380AC,变比是1:2这输出是760VAC,如果输入变为320VAC,这输出是640VAC,这样就导致了 UV灯管的紫外线的能量输出会减小,达不到要求,如果输入电压增大这时的UV灯管的紫外线的能量输出会增大甚至出现爆管的可能;现有的UV电源在启动的时候能量是根据输入电压来决定的,特别是在交流电压的波峰处,其电流相当的大,是有效值的1.414倍,对灯管的寿命有严重的影响,大大缩短了灯管的使用寿命;现有的UV电源都要一个单独的点火电路来实现点火,只有在点火成功后UV灯才可以正常工作,但是一般的点火电路都是使用的是高压小电流,采用的启动峰值电压都较高,数值在4.0?5.0 kV,远远高于所需的启动电压,出现新灯燃点开始就造成阴极溅射非常厉害,阴极损耗加剧,击穿电压值快速增大。这种点火方式的缺陷是UV灯、金卤灯在还没有进入寿命的后期时,就因为阴极损害而不能点亮了,大大影响了 UV灯管的使用寿命ο
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种UV灯多极驱动电源,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种UV灯智能驱动电源,包括:依次逐级连接的BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路和高频逆变方波输出级电路,所述BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路包括开关管Q1、续流二极管D1、滤波储能电感L1、输入电容C3和输出电容C4,所述高频逆变方波输出级电路包括由M0SFET开关管Q2~Q5、主变压器T1和限流电感L2,所述M0SFE开关管Q2-Q5与所述BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出端连接,所述BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路后面连接所述高频逆变方波输出级电路,所述高频逆变方波输出级电路是全桥逆变电路、对称半桥逆变电路、不对称半桥逆变电路或推挽逆变电路,高频逆变方波输出级电路输出端串联一个电感后接上UV灯管。作为本技术的优选方案:所述BUCK功率级电路中的续流二极管D1替换为开关管,成为所述BUCK功率级衍生电路的第一种连接,所述MOSFET开关管Q1的漏极连接MOSFET开关管Q6的源极,MOSFET开关管Q6的漏极连接在输入正母线上,所述滤波储能电感L1的一端连接在MOSFET开关管Q1漏极和MOSFET开关管Q6源极,另一端联接在输出负母线上,所述输出电容C4跨接在输出正母线和输出负母线之间;所述滤波储能电感L1连接在输入正母线与输出正母线之间,成为所述BUCK功率级衍生电路的第二种连接,所述滤波储能电感L1的一端连接在输入正母线上,另一端连接输出正母线,所述MOSFET开关管Q1的源极连接在输入负母线上,所述二极管D1的阳极连接所述MOSFET开关管Q1的漏极,所述二极管D1的阴极连接在输入正母线上,所述输出电容C4跨接在输出正母线和输出负母线之间;所述MOSFET开关管Q1连接在输入正母线上,所述的续流二极管D1是可以是开关管;所述滤波储能电感L1连接在输出端的正母线上,MOSFET开关管Q1也在正母线上,成为所述BUCK功率级衍生电路的衍生电路的第三种连接,所述MOSFET开关管Q1的漏极连接到输入正母线上,MOSFET开关管Q1的源极同时连接在所述滤波储能电感L1的一端和所述续流二极管D1的阴极,续流二极管D1的阳极连接输出负母线,输入负母线与输出负母线连接在一起,所述输出电容C4跨接在输出正母线和输出负母线之间;所述MOSFET开关管连接在输入正母线上,所述的续流二极管D1是可以是开关管;所述滤波储能电感L1连接在输入负母线上,MOSFET开关管Q1也在正母线上,成为所述BUCK功率级衍生电路的第四种连接,所述MOSFET开关管Q1的漏极连接在输入正母线上,所述滤波储能L1的一端连接在BUCK功率级电路的输入负母线上,另一端连接在输出负母线上,所述续流二极管D1的阳极连接在输入负母线,阴极和所述MOSFET开关管Q1的源极连接在输出正母线上,所述输出电容C4跨接在输出正母线和输出负母线之间,所述的续流二极管D1可以是开关管。所述BUCK功率级电路通过交错并联,成为所述BUCK功率级衍生电路的第五种连接,两路或者多路BUCK功率级电路通过交错并联后连接高频逆变输出级,所述的续流二极管D1是可以是开关管。作为本技术的优选方案:所述全桥逆变电路主变压器原边与所述开关管组成的Η桥中心连接;所述对称半桥逆变电路的主变压器的原边一头与所述开关管组成的半桥中心点连接,一头与两个串联电容的中点连接;所述不对称半桥逆变电路的主变压器的原边一头与所述开关管组成半桥中心点连接,一头与输入母线负连接;所述推挽逆变电路的主变压器的原边两头分别与所述开关管连接,主变压器原边中心抽头与输入母线正连接。作为本技术的优选方案:所述全桥逆变电路中的MOSFET开关管Q2的漏极和MOSFET开关管Q5的漏极连接后挂接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出正母线、MOSFET开关管Q3的源极和MOSFET开关管Q4的源极连接后挂接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出负母线上,变压器T1原边的一端同时连接MOSFET开关管Q2的源极和MOSFET开关管Q3的漏极,变压器T1原边的另一端同时连接MOSFET开关管Q4的漏极和MOSFET开关管Q5的源极,变压器T1的副边连接限流电感L1和UV灯管RL1 ;所述对称半桥逆变电路的器件连接:把全桥逆变电路中的MOSFET开关管Q5、Q4替换为电容C5、C6 ;BP MOSFET开关管Q2的漏极和电容C5的一端连接后挂接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出正母线、MOSFET开关管Q3的源极和电容C6的一端连接后挂接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出负母线上,变压器T1原边的一端同时连接MOSFET开关管Q2的源极和MOSFET开关管Q3的漏极,变压器T1原边的另一端同时连接电容C6的另一端和电容C5的另一端,变压器T1的副边连接限流电感L1和UV灯管RL1 ;所述不对称半桥逆变电路的器件连接:把全桥逆变电路中的MOSFET开关管Q5、Q4去掉;8卩MOSFET开关管Q2的漏极联接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出正母线、MOSFET开关管Q3的源极联接到BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出负母线上,变压器T1原边的一端同时连接MOSFET开关管Q2的源极和当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种UV灯智能驱动电源,包括:依次逐级连接的BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路和高频逆变方波输出级电路,所述BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路包括开关管Q1、续流二极管D1、滤波储能电感L1、输入电容C3和输出电容C4,高频逆变方波输出级电路包括由MOSFET开关管Q2~Q5、主变压器T1和限流电感L2,MOSFET开关管Q2~Q5与所述BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路的输出端连接,其特征在于,所述BUCK功率级电路或BUCK功率级衍生电路后面连接所述高频逆变方波输出级电路,高频逆变方波输出级电路是全桥逆变电路、对称半桥逆变电路、不对称半桥逆变电路或推挽逆变电路,高频逆变方波输出级电路输出端串联一个电感后接上UV灯管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴金鹏王丽霞
申请(专利权)人:深圳市通宇电气有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1