一种低压直流载波电路制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种低压直流载波电路，解决了目前对电源要求高，电压需要相对稳定，而导致的电压波动的时候误差很大的技术问题，通过简易的低压直流载波电路，即利用低压直流供电的电线既实现供电功能，又实现通信功能。本实用新型专利技术实施例包括：供电电路和受电电路；所述供电电路包括：MCU1、三极管Q1、三极管Q2和光耦合器件IC1；受电电路包括：MCU2、整流桥BRID1、三极管Q3和光耦合器件IC2。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子电路
，尤其涉及一种低压直流载波电路。
技术介绍
设备、产品各个模块之间的低压直流供电线路和通信线路需要独立连线，设备、产品各个模块之间供电线和通信线公用，看上去整洁美观，连线少，成本还低，电力线载波就是大家常说的PLC，利用交流的供电线路实现通信。目前，直流载波大部分都是通过把逻辑0和逻辑1的电平升高，使逻辑0的时候供电线路还有一定的电压，给受电端供电。然而上述的直流载波大部分都是通过把逻辑0和逻辑1的电平升高实现受电端供电，由于对电源要求高，电压需要相对稳定，从而导致电压波动的时候误差很大的技术问题。
技术实现思路
本技术实施例提供了一种低压直流载波电路，解决了目前对电源要求高，电压需要相对稳定，而导致的电压波动的时候误差很大的技术问题，通过简易的低压直流载波电路，即利用低压直流供电的电线既实现供电功能，又实现通信功能。本实施例提供的一种低压直流载波电路，包括:供电电路和受电电路；所述供电电路包括:MCU1、三极管Q1、三极管Q2和光耦合器件IC1 ;所述受电电路包括:MCU2、整流桥BRID1、三极管Q3和光耦合器件IC2 ;所述MCU1与所述三极管Q1的基极端连接，所述三极管Q1发射极端接地，所述三极管Q1集电极端与所述三极管Q2的基极端连接，所述三极管Q2的集电极端与所述光耦合器件IC1原边连接，所述三极管Q2的集电极端还与所述供电电路一输出端连接，所述光耦合器件IC1副边与所述供电电路另一输出端连接；所述供电电路的所述输出端与所述受电电路两输入端连接，所述受电电路的所述输入端与所述整流桥BRID1连接，所述整流桥BRID1还与所述三极管Q3的发射极端连接，所述三极管Q3的基极端和发射极端均与所述光耦合器件IC2副边连接，所述光耦合器件IC2原边与所述MCU2连接。优选地，所述三极管Q3的集电极端还与所述光耦合器件IC3原边连接，所述光耦合器件IC3副边与所述MCU连接。优选地，所述光耦合器件IC3副边还通过相互串联的电阻R9和电阻R7，与所述光耦合器件IC2原边连接。优选地，所述光耦合器件IC3副边和所述光耦合器件IC2原边均与所述MCU2的TXD端连接。优选地，所述光耦合器件IC3原边与V-1N端连接。优选地，所述三极管Q1的基极端通过电阻R1与所述MCU1的TXD端。优选地，所述光耦合器件IC1副边与所述MCU1的RXD端连接。优选地，所述三极管Q1的集电极端还与相互串联的电阻R2和电阻R3与所述供电电路电源端VDD连接。优选地，所述光耦合器件IC1副边还与所述供电电路用于给所述MCU1供电的VCC-1端连接；所述光耦合器件IC2主边还与所述供电电路用于给所述MCU2供电的VCC-2端连接;所述光耦合器件IC3副边还与所述供电电路用于给所述MCU2供电的VCC-2端连接。优选地，所述整流桥BRID1为防反向整流桥。从以上技术方案可以看出，本技术实施例具有以下优点:本技术实施例提供的一种低压直流载波电路，包括:供电电路和受电电路；所述供电电路包括:MCU1、三极管Q1、三极管Q2和光耦合器件IC1 ;受电电路包括:MCU2、整流桥BRID1、三极管Q3和光耦合器件IC2 ;MCU1与三极管Q1的基极端连接，三极管Q1发射极端接地，三极管Q1集电极端与三极管Q2的基极端连接，三极管Q2的集电极端与光耦合器件IC1原边连接，三极管Q2的集电极端还与供电电路一输出端连接，光耦合器件IC1副边与供电电路另一输出端连接；供电电路的输出端与受电电路两输入端连接，受电电路的输入端与整流桥BRID1连接，整流桥BRID1还与三极管Q3的发射极端连接，三极管Q3的基极端和发射极端均与光耦合器件IC2副边连接，光耦合器件IC2原边与MCU2连接。本实施例中，通过MCU1输出高电平，三极管Q1的发射极(E极)、集电极(C极)两端导通，从而三极管Q2的发射极(E极)、集电极(C极)两端导通，通过供电电路的三极管Q2和光耦合器件IC1的原边给受电电路供电，电流经过整流桥BRID1，通过三极管Q3和光耦合器件IC2给受电端供电，解决了目前对电源要求高，电压需要相对稳定，而导致的电压波动的时候误差很大的技术问题，通过简易的低压直流载波电路，即利用低压直流供电的电线既实现供电功能，又实现通信功能。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本技术实施例提供的一种低压直流载波电路的一个实施例的结构示意图。【具体实施方式】本技术实施例提供了一种低压直流载波电路，解决了目前对电源要求高，电压需要相对稳定，而导致的电压波动的时候误差很大的技术问题，通过简易的低压直流载波电路，即利用低压直流供电的电线既实现供电功能，又实现通信功能。为使得本技术的技术目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而非全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。供电电路和受电电路；供电电路包括:MCU1、三极管Q1、三极管Q2和光耦合器件IC1 ;受电电路包括:MCU2、整流桥BRID1、三极管Q3和光耦合器件IC2 ;MCU1与三极管Q1的基极端连接，三极管Q1发射极端接地，三极管Q1集电极端与三极管Q2的基极端连接，三极管Q2的集电极端与光耦合器件IC1原边连接，三极管Q2的集电极端还与供电电路一输出端连接，光耦合器件IC1副边与供电电路另一输出端连接；供电电路的输出端与受电电路两输入端连接，受电电路的输入端与整流桥BRID1连接，整流桥BRID1还与三极管Q3的发射极端连接，三极管Q3的基极端和发射极端均与光耦合器件IC2副边连接，光耦合器件IC2原边与MCU2连接。进一步地，三极管Q3的集电极端还与光耦合器件IC3原边连接，光耦合器件IC3副边与MCU连接。进一步地，光耦合器件IC3副边还通过相互串联的电阻R9和电阻R7，与光耦合器件IC2原边连接。进一步地，光耦合器件IC3副边和光耦合器件IC2原边均与MCU2的TXD端连接。进一步地，光耦合器件IC3原边与V-1N端连接。进一步地，三极管Q1的基极端通过电阻R1与MCU1的TXD端。进一步地，光耦合器件IC1副边与MCU1的RXD端连接。进一步地，三极管Q1的集电极端还与相互串联的电阻R2和电阻R3与供电电路电源端VDD连接。进一步地，光耦合器件IC1副边还与供电电路用于给MCU1供电的VCC-1端连接；光耦合器件IC2主边还与供电电路用于给MCU2供电的VCC-2端连接；光耦合器件IC3副边还与供电电路用于给MCU2供电的VCC-2端连接。进一步地，整流桥BRID1为防反向整流桥。为了便于理解，下面对电路的工作进行详细的描述:VDD为供电电路1给受电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低压直流载波电路，其特征在于，包括：供电电路和受电电路；所述供电电路包括：MCU1、三极管Q1、三极管Q2和光耦合器件IC1；所述受电电路包括：MCU2、整流桥BRID1、三极管Q3和光耦合器件IC2；所述MCU1与所述三极管Q1的基极端连接，所述三极管Q1发射极端接地，所述三极管Q1集电极端与所述三极管Q2的基极端连接，所述三极管Q2的集电极端与所述光耦合器件IC1原边连接，所述三极管Q2的集电极端还与所述供电电路一输出端连接，所述光耦合器件IC1副边与所述供电电路另一输出端连接；所述供电电路的所述输出端与所述受电电路两输入端连接，所述受电电路的所述输入端与所述整流桥BRID1连接，所述整流桥BRID1还与所述三极管Q3的发射极端连接，所述三极管Q3的基极端和发射极端均与所述光耦合器件IC2副边连接，所述光耦合器件IC2原边与所述MCU2连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇，
申请(专利权)人：从兴技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44