一种低功耗可校准高压稳压电路制造技术

技术编号:12789424 阅读:114 留言:0更新日期:2016-01-28 19:21
本发明专利技术属于微电子技术领域,具体涉及一种低功耗可校准高压稳压电路,包括隔离高压模块1、电压复位模块一2、带校准电容的分压模块3、电压复位模块二4、电荷补偿模块5和控制模块6;所述隔离高压模块1由一个PMOS晶体管M1构成;所述电压复位模块一2由NMOS晶体管M2~M4构成;所述带校准电容的分压模块3由若干个电容和若干个编码控制开关构成;所述电压复位模块二4由一个PMOS晶体管M6和一个NMOS晶体管M7组成;所述电荷补偿模块5由一个PMOS晶体管M5构成,所述控制模块6为一个差分输入、单端输出的比较器COMP构成。本发明专利技术提出的高压稳压结构,容易使流片后产生的高压稳定在要求的幅值,提高流片后的芯片良率,能够很有效的解决高压正向漂移的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子
,具体涉及一种低功耗可校准高压稳压电路,它主要应用于存在高压工作情况的非易失存储器中,例如快闪存储器Flash Memory、电可擦除可编程只读存储器EEPR0M等等。
技术介绍
在多数的非易失存储器擦写数据的时候需要使用电荷栗产生高压,高压的稳定是存储器擦写数据时所必须的,而且晶体管被暴露在高压环境时面临被击穿损坏的危险,所以高压不仅需要保证其幅值具有较小的波动幅度,而且不能够在整个高压有效的过程中产生漂移。而在一些功耗要求比较严格的应用环境中还要利用低功耗方法来设计稳压电路,例如应用在无源RFID标签芯片中的非易失存储器中的高压稳压器,它需要从面积和功耗两个性能指标中进行严格的控制。目前在一些文献中也有提出的一些低功耗的高压稳压方法,但是他们多数是不能够进行外部校准,一次性设计流片之后产生的高压幅值不能够进行修正导致流片失败,并且高压在长时间的工作情况时产生正向漂移,使高压变得更高,具有击穿晶体管的隐患。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种低功耗可校准的高压稳压电路,在保证低功耗和不占用太大面积的情况下使高压电路的设计在流片之后可以方便修正高压幅值,并且利用简单的电荷补偿方法解决了高压在工作过程中存在漂移的情况。本专利技术具体的技术方案如下:—种低功耗可校准高压稳压电路,包括隔离高压模块1、电压复位模块一 2、带校准电容的分压模块3、电压复位模块二 4、电荷补偿模块5和控制模块6 ;所述隔离高压模块1由一个PM0S晶体管Ml构成,所述PM0S晶体管Ml的源极连接至电荷栗CP的高压输出端口 VPP,栅极连接至电荷栗CP的中压输出端口 VMID,其漏极连接至节点N1 ;所述电压复位模块一 2由NM0S晶体管M2?M4构成,所述晶体管M2的漏极连接至节点N1,源极连接至节点N2,栅极连接至电源VDD ;所述晶体管M3的栅极与源极连接并连接至节点N2,漏极连接至电源VDD ;所述晶体管M4的漏极连接至节点N2,源极连接至地端GND,栅极连接至端口 WR_N ;所述带校准电容的分压模块3由若干个电容和若干个编码控制开关构成,电容CA连接在节点N1和N3之间,电容CB连接在节点N3和地端GND之间,电容C。?C ,的一端连接至节点N3,另外一端分别与对应的编码控制开关S〈0>?S〈N>连接,其中,i表示序号,S〈i>表示第i个编码开关,对应电容(;,N表示电容总个数;S〈i> = 0表示开关处于断开状态,S〈i> = 1则表示开关处于闭合状态;所述电压复位模块二 4由一个PM0S晶体管M6和一个NM0S晶体管M7组成,晶体管M6、M7的源极相连之后连接至地端GND,漏极相连之后连接至节点N3 ;晶体管M6的栅极连接至端口 WR,晶体管M7的栅极连接至端口 WR_N。其中端口 WR的信号与端口 WR_N的信号总是反相的。所述电荷补偿模块5由一个PM0S晶体管M5构成,它的栅极与其源极均与电源VDD相连接,漏极连接至节点N3 ;所述控制模块6为一个差分输入、单端输出的比较器C0MP构成,反相输入端连接至节点N3,其正向输入端连接至端口 REF,输出端连接到节点N4。为进一步理解本专利技术,将各模块功能说明如下,隔离高压模块负责隔离由电荷栗CP产生的高压VPP外部挂载的电容对分压电容CA、CB造成的影响;电压复位模块一 2为节点N1电压复位模块,负责在写信号无效时即端口 WR_N = 1时将节点N1电位置为初始电位0V ;带校准电容的分压模块负责将节点N1的,电位经过电容的分压在节点N3处得到分压;电压复位模块二为节点N3电压复位模块,负责在写信号无效时即端口 WR = 0、WR_N = 1时将节点N3的电位置为初始电位0V ;电荷补偿模块是为节点N3进行电荷补偿的模块;控制模块负责产生电荷栗工作使能信号并输出到节点N4。采用本专利技术取得的技术效果:本专利技术提出一种能够方便调整高压幅值的高压稳压结构,容易使流片后广生的尚压稳定在要求的幅值,提尚流片后的芯片良率;本专利技术中提供了一种简洁的电荷补偿结构,能够很有效的解决高压正向漂移的问题。【附图说明】图1是本专利技术的低功耗可校准高压稳压电路结构图。【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行说明。如图1所述,一种低功耗可校准高压稳压电路,包括隔离高压模块1、电压复位模块一 2、带校准电容的分压模块3、电压复位模块二 4、电荷补偿模块5、控制模块6 ;所述隔离高压模块1由一个PM0S晶体管Ml构成,所述PM0S晶体管Ml的源极连接至电荷栗CP的高压输出端口 VPP,栅极连接至电荷栗CP的中压输出端口 VMID,其漏极连接至节点N1 ;这样可以有效的解除高压输出端口外加电容负载对节点N1的影响,从而确保模块3在节点N3处能够得到可靠正确的分压。电荷栗CP是高压产生电路,采用现有技术中的产品即可实现高压输出。所述电压复位模块一 2由NM0S晶体管M2?M4构成,所述晶体管M2的漏极连接至节点N1,源极连接至节点N2,栅极连接至电源VDD ;所述晶体管M3的栅极与源极连接并连接至节点N2,漏极连接至电源VDD ;所述晶体管M4的漏极连接至节点N2,源极连接至地端GND,栅极连接至端口 WR_N ;所述带校准电容的分压模块3由若干个电容和若干个编码控制开关构成,电容CA连接在节点N1和N3之间,电容CB连接在节点N3和地端GND之间,电容C。?C ,的一端连接至节点N3,另外一端分别与对应的编码控制开关S〈0>?S〈N>连接,其中,i表示序号,S〈i>表示第i个编码开关,对应电容(;,N表示电容总个数;S〈i> = 0表示开关处于断开状态,S〈i> = 1则表示开关处于闭当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功耗可校准高压稳压电路,其特征在于,包括隔离高压模块(1)、电压复位模块一(2)、带校准电容的分压模块(3)、电压复位模块二(4)、电荷补偿模块(5)和控制模块(6);所述隔离高压模块(1)由一个PMOS晶体管M1构成,所述PMOS晶体管M1的源极连接至电荷泵CP的高压输出端口VPP,栅极连接至电荷泵CP的中压输出端口VMID,其漏极连接至节点N1;所述电压复位模块一(2)由NMOS晶体管M2~M4构成,所述晶体管M2的漏极连接至节点N1,源极连接至节点N2,栅极连接至电源VDD;所述晶体管M3的栅极与源极连接并连接至节点N2,漏极连接至电源VDD;所述晶体管M4的漏极连接至节点N2,源极连接至地端GND,栅极连接至端口WR_N;所述带校准电容的分压模块(3)由若干个电容和若干个编码控制开关构成,电容CA连接在节点N1和N3之间,电容CB连接在节点N3和地端GND之间,电容C0~CN的一端连接至节点N3,另外一端分别与对应的编码控制开关S<0>~S<N>连接,其中,i表示序号,S<i>表示第i个编码开关,对应电容Ci,N表示电容总个数;S<;i>=0表示开关处于断开状态,S<i>=1则表示开关处于闭合状态;所述电压复位模块二(4)由一个PMOS晶体管M6和一个NMOS晶体管M7组成,晶体管M6、M7的源极相连之后连接至地端GND,漏极相连之后连接至节点N3;晶体管M6的栅极连接至端口WR,晶体管M7的栅极连接至端口WR_N;所述电荷补偿模块(5)由一个PMOS晶体管M5构成,它的栅极与其源极均与电源VDD相连接,漏极连接至节点N3;所述控制模块(6)为一个差分输入,单端输出的比较器COMP构成,反相输入端连接至节点N3,其正向输入端连接至端口REF,输出端连接到节点N4。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王宏义李文晓李聪曾祥华郑黎明吴建飞陈娅玲徐顺强
申请(专利权)人:中国人民解放军国防科学技术大学
类型:发明
国别省市:湖南;43

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