一种功率放大器老化装置制造方法及图纸

技术编号:12784810 阅读:151 留言:0更新日期:2016-01-28 09:52
本发明专利技术公开了一种功率放大器老化装置,该装置包括老化电路板和老化电路;老化电路板包括插卡、老化板、老化夹具和测试端,老化夹具位于老化板上,通过老化板上布线与插卡连接,待老化功率放大器通过老化夹具接入老化电路;老化夹具包括下基座、上基座、引脚和插针,在上、下基座装配中,位于下基座凹槽中的引脚闭合,压紧待老化功率放大器引线,插针焊接在引脚底部,与老化板上布线相连;外部信号发生器产生信号,加载于待老化功率放大器,经电流放大后,由待老化功率放大器输出,输出信号通过老化板上布线传输到测试端,对待老化功率放大器进行监测;本发明专利技术解决了功率放大器老化时结温控制问题和插拔对引线镀层损伤问题,提高了老化筛选效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功率放大器领域,特别涉及一种半导体功率放大器的老化装置。
技术介绍
老化是电子元器件可靠性筛选的基本试验,其目的是为了剔除由于制造工艺控制不当引入了缺陷或使用的原材料本身具有缺陷的元器件。为了使元器件在使用前将有缺陷的元器件筛选出来,一般需要在高温、高压、高电流环境中试验,使寿命较短的元器件在老化试验中提前显示出来。一般的半导体器件,通常使用高温试验进行老化,即控制器件芯片的结温在一定温度范围内。半导体功率器件,其结温往往不易控制,老化时功率大,容易导致器件温度过高,可能会烧毁器件。目前,功率放大器的老化多是参照产品手册设计电路,没有考虑实际使用情况。例如中国技术专利说明书CN201340448Y中公开了一种开关三极管的老炼电路装置,对功率器件的老化电路进行了设计,但其只设计了老化电路,而没有考虑器件的结温,在实际应用中不能准确控制结温,老化不一定能达到预期效果。而对于T0-8等封装类型的功率器件,不仅结温不易控制,而且器件的引线即长又细,在进行老化时,如果器件引线夹具设计不当,在器件进行拔插时极易损坏引线镀层。例如中国技术专利说明书CN201138360Y公开了一种老化装置,增加了老化元器件的数量,并且增加了夹具的寿命,但其并没有解决元器件引线镀层损伤的问题。因此,需对T0-8等封装类型的器件设计一种老化装置,解决T0-8等封装类型元器件的结温控制问题和引线镀层损伤问题。
技术实现思路
针对上述现有技术,本专利技术的目的在于提供一种功率放大器老化装置,用于克服现有技术中,对于T0-8等封装类型的功率放大器老化试验中结温不易控制,元器件引线镀层容易损伤,老化效率低,不能满足大批量筛选要求等缺点。为了达到上述目的,本专利技术采用以下技术方案。本专利技术一种功率放大器老化装置,该装置包括老化电路板和老化电路;所述老化电路板包括:用于连接外部电源的插卡、由绝缘材料制成的老化板、用于装载待老化功率放大器的老化夹具、用于对待老化功率放大器进行监测测试端和用于连接器件的布线;插卡位于老化板的上端,老化夹具装配在老化板上,老化夹具通过老化板上的布线分别与插卡和测试端连接,测试端位于老化板下端;所述老化电路包括:电阻1?1、1?2、1?3、1?4、1?5、1^,电容C1、C2、C3 ;电阻R1的一端与外部脉冲发生器相连,另一端连接待老化功率放大器反向输入端;正电源ν+和负电源V为待老化功率放大器供电,正电源v+和调节电阻R4串联,与待老化功率放大器正电源端和正电源端电流控制端相连;负电源V和调节电阻R5串联,与待老化功率放大器负电源端和负电源端电流控制端相连;滤波电容C1 一端连接待老化功率放大器正电源端,另一端接地;电滤波容C2 —端连接待老化功率放大器负电源,另一端接地;电阻R3的一端接地,另一端连接待老化功率放大器同相输入端;反馈电阻R2 —端连接待老化功率放大器反向输入端,另一端连接待老化功率放大器输出端;电容C3 —端连接待老化功率放大器补偿端,另一端连接待老化功率放大器输出端;电阻& 一端连接待老化功率放大器输出端,另一端接地。所述老化夹具包括下基座、上基座、引脚和插针;下基座呈凸台形结构,包括下基座芯体、下基座底板和卡子;下基座芯体固连在下基座底板上,下基座芯体为立方体结构,其四个侧面分别加工有竖直凹槽,凹槽贯穿下基座芯体的上底面和下底面,下基座底板左右两侧各加工有一对卡子;上基座为中空的立方体形结构,上基座的中间的通孔形状为矩形,矩形通孔截面的各个边与处于同一截面的上基座的各个边平行,矩形通孔大小与下基座芯体相应;矩形通孔四个侧面上分别加工有装配槽,装配槽为盲孔,其一端贯穿上基座下底面,但未贯穿上基座上底面,盲孔底部向外倾斜,装配槽与下基座芯体侧面的凹槽相对应;上基座左右外侧面上分别加工有一对卡合槽,卡合槽上端加工有V形槽,与下基座底板左右两侧的卡子相应;在下基座与上基座装配过程中,上基座下压到底时,下基座底板的上底面与上基座的下底面接触,上基座的上底面与下基座芯体的上底面平齐,位于下基座底板左右两侧的卡子,会自动卡住上基座外侧面的卡合槽上端V形槽;引脚位于下基座侧面的凹槽中,引脚底部焊有插针,插针露出下基座的下底面,与老化板上的布线连接。所述老化电路中,电阻R1阻值范围为4.7±0.5ΚΩ,电阻R2阻值范围为10.0±0.5ΚΩ,电阻R3阻值范围为3.0±0.5ΚΩ,电阻R4阻值范围为50±10Ω,电阻R5阻值范围为50±10Ω,电阻&阻值范围为100±10Ω,电容C1的值为0.1 μ F,电容C2的值为0.1 μ F,电容C3的取值范围为680±50pF。所述老化夹具的下基座和上基座由绝缘材料制成。所述下基座的凹槽每个侧面的数量依据待老化功率放大器弓I线数确定。所述下基座的凹槽每个侧面的数量为3个或4个。所述老化夹具的引脚为U字形结构,由弹性导电材料制成,其一侧有伸出端,引脚位于下基座侧面的凹槽中,在下基座与上基座装配过程中,上基座的装配槽会压缩引脚的伸出端,使引脚逐渐闭合,夹紧待老化功率放大器引线。所述老化夹具的插针由导电材料制成。所述老化夹具依据待老化功率放大器的数量并联多个安装,对于待老化功率放大器的每个Pin脚引线,老化夹具上存在对应的引脚与该Pin脚接触。外部信号发生器产生的输入信号,加载于待老化功率放大器反向输入端,经待老化功率放大器进行电流放大后,由功率放大器输出端输出,再通过老化板上的布线输出到测试端,对待老化功率放大器的老化过程进行监测。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是:(1)通过对T0-8等封装类型的功率放大器进行老化试验,计算监测得到老化结温为115°C?125°C,符合半导体器件老化对结温的要求,因此,本专利技术所述的老化电路,满足筛选中对半导体器件结温的控制要求。(2)该老化试验夹具上的插孔属于非直接插拔类型,器件的引线通过U字形引脚夹紧,减小了插拔对引线镀层的损伤,且此方式在安装器件时减少安装时间,夹具尺寸与器件尺寸相当,可在老化电路板上安置多个夹具,大大提高了老化筛选的效率。【附图说明】图1为本专利技术一种功率放大器老化装置的老化电路板结构示意图;图2为本专利技术一种功率放大器老化装置的老化试验夹具立体图;图3为本专利技术一种功率放大器老化装置的老化试验夹具闭合时的夹具剖面示意图;图4为本专利技术一种功率放大器老化装置的老化电路图。图中:1-插卡,2-老化板,3-老化夹具,4-测试端,5-功率放大器正电源端,6_功率放大器反向输入端,7-功率放大器同相输入端,8-功率放大器负电源端,9-正电源端电流控制端,10-功率放大器补偿端,11-负电源端电流控制端,12-功率放大器输出端,31-下基座,32-上基座,33-引脚,34-插针,311-下基座芯体,312-下基座底板,313-凹槽,314-卡子,321-装配槽,322-卡合槽。【具体实施方式】下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作详细说明。本专利技术功率放大器老化装置的一种实施方式包括:老化电路板和老化电路。如图1所示,本专利技术功率放大器老化装置的老化电路板包括用于连接外部电源的插卡1、由绝缘材料制成的老化板2、用于装载待老化功率放大器的老化夹具3、用于对待老化功率放大器进行监测的测试本文档来自技高网...
一种功率放大器老化装置

【技术保护点】
一种功率放大器老化装置,其特征在于:该装置包括老化电路板和老化电路;所述老化电路板包括:用于连接外部电源的插卡(1)、由绝缘材料制成的老化板(2)、用于装载待老化功率放大器的老化夹具(3)、用于对待老化功率放大器进行监测的测试端(4)和用于连接器件的布线;插卡(1)位于老化板(2)的上端,老化夹具(3)装配在老化板(2)上,老化夹具(3)通过老化板(2)上的布线分别与插卡(1)和测试端(4)连接,测试端(4)位于老化板(2)下端;所述老化电路包括:电阻R1、R2、R3、R4、R5、RL,电容C1、C2、C3;电阻R1的一端与外部脉冲发生器相连,另一端连接待老化功率放大器反向输入端(6);正电源V+和负电源V‑为待老化功率放大器供电,正电源V+和调节电阻R4串联,与待老化功率放大器正电源端(5)和正电源端电流控制端(9)相连;负电源V‑和调节电阻R5串联,与待老化功率放大器负电源端(8)和负电源端电流控制端(11)相连;滤波电容C1一端连接待老化功率放大器正电源端(5),另一端接地;滤波电容C2一端连接待老化功率放大器负电源(8),另一端接地;电阻R3的一端接地,另一端连接待老化功率放大器同相输入端(7);反馈电阻R2一端连接待老化功率放大器反向输入端(6),另一端连接待老化功率放大器输出端(12);电容C3一端连接待老化功率放大器补偿端(10),另一端连接待老化功率放大器输出端(12);电阻RL一端连接待老化功率放大器输出端(12),另一端接地。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:崔德胜陈朝杰延峰官岩彭磊邬文浩高憬楠周康熊盛阳林德健
申请(专利权)人:中国运载火箭技术研究院
类型:发明
国别省市:北京;11

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