发光二极管结构制造技术

本发明专利技术涉及一种发光二极管结构，其中，该发光二极管结构包括：发光晶片以及导电支架。发光晶片具有多个发光二极管单元。导电支架具有电连接线路、与电性连接到电连接线路的至少一对电极，其中，发光二极管单元对向于电连接线路，且发光二极管单元经由电连接线路而彼此电性连接。多个发光二极管单元之间的电路连接关系可藉由外部的电连接线路而达成，能简化制程并提升良率。

【技术实现步骤摘要】
本申请为2011年10月08日递交的申请号为201110296432.8，专利技术名称为“发光二极管结构及其制造方法”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种光电元件结构，尤其涉及一种发光二极管结构(LightEmittingDiodestructure，简称LEDstructure)。
技术介绍
随着发光二极管(LightEmittingDiode,LED)的技术发展，发光二极管已逐渐地取代传统灯泡而被应用于照明领域。由于已知的发光二极管采用直流电驱动，所以只能应用于直流电驱动的环境；或者，需要使用交流-直流电源转换器以及变压器将市用交流电转换成低压直流电，才能够提供给发光二极管使用。然而，一般的市售用电均为110V/220V的交流电，因此，已知采用直流电的发光二极管存在着使用不方便的问题。承上述，有研究者发展了交流发光二极管(ACLED)或是高压发光二极管(HVLED)，交流发光二极管无需额外的变压器、整流器或驱动电路，直接使用交流电就可对交流发光二极管进行驱动，而高压发光二极管(HVLED)，则无须转换成低压直流电，可使用一般直流电进行驱动，藉此减少变压器所产生的能量损耗。目前的交流/高压发光二极管都是在尺寸相当微小的单晶片上形成发光二极管单元矩阵(LEDunitmatrix)以及内连线线路(metalinterconnection)，利用内连线线路串联或并联多个发光二极管单元，以使交流/高压发光二极管具备可调整电压及电流的特性。但是，在单晶片上制作内连线线路的制程相当复杂，且在单晶片上制作内连线线路的制作过程中，常会发生内连线线路的断线或接触不良的问题。如此，会使得交流发光二极管的制作良率低、且交流/高压发光二极管容易产生漏电现象。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种发光二极管结构，能直接使用交流电或高压直流电，具有良好的制作良率、且能够降低漏电现象。本专利技术提出一种发光二极管结构，包括：导电支架、发光芯片以及突起。导电支架具有电连接线路。发光芯片具有至少一个发光二极管单元，其中发光芯片以下表面对向于电连接线路而设置于导电支架上，且发光二极管单元与电连接线路电性连接。突起设置于发光芯片与导电支架之间，其中突起抵接发光芯片的下表面。在本专利技术的一实施例中，上述的导电支架还具有与发光芯片的下表面相对的上表面，其中突起连接上表面，且电连接线路位于上表面上。在本专利技术的一实施例中，上述的突起在上表面上定义出至少一凹陷区域。在本专利技术的一实施例中，上述的发光芯片还具有位于下表面上的沟渠，在发光芯片以下表面对向于上表面而设置于导电支架上时，沟渠与突起相配合。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管单元的数量为多个。沟渠区隔这些发光二极管单元在本专利技术的一实施例中，上述的导电支架还具有至少一对电极。电连接线路包括内连接线路以及外连接线路。外连接线路设置于内连接线路的外侧，用以电性连接内连接线路与对电极。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管单元的数量为多个。内连接线路对应于这些发光二极管单元而设置，藉由内连接线路使这些发光二极管单元彼此电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管单元包括第一接点以及第二接点，分别位于下表面上，并与内连接线路电性连接。本专利技术提出一种发光二极管结构，包括：导电支架、至少一个发光二极管单元以及突起。电支架具有电连接线路。发光二极管单元以下表面对向于电连接线路而设置于导电支架上，并与电连接线路电性连接。突起设置于发光二极管单元与导电支架之间，其中突起抵接发光二极管单元的下表面。在本专利技术的一实施例中，上述的导电支架还具有与发光二极管单元的下表面相对的上表面，其中突起连接上表面，且电连接线路位于上表面上。基于上述，本专利技术的发光二极管结构将电连接线路制作在外部的导电支架上，利用外部的电连接线路来串联、并联发光晶片上的多个发光二极管单元。因此，在发光晶片的制程中无需同时制作电连接线路(内连线制程)，而能够简化发光晶片的制程。此外，以外部制作的电连接线路来取代内部连线，不易有断线的现象，所以可有效地解决发光二极管结构的漏电问题。再者，采用上述的发光二极管结构，能够根据客户所需要的预定电压或电流来进行电连接线路的设计，所以可使相同的发光晶片结合不同的导电支架之后，即能够具有不同的预定电压或电流。因此，上述的发光二极管结构可达到十分良好的产品相容性。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术较佳实施例的一种发光二极管结构的立体分解示意图；图2为本专利技术较佳实施例的一种发光晶片的立体示意图，图2中还显示发光晶片的仰视示意图；图3为本专利技术较佳实施例的一种发光晶片的多个发光二极管单元的排列示意图；图4为发光二极管的剖面结构示意图，从图4可看到两个彼此电性绝缘的发光二极管单元、以及发光二极管单元与导电支架的电性连接方式；图5A为本专利技术较佳实施例的一种导电支架的立体示意图，图5A中还显示导电支架的俯视示意图；图5B为本专利技术较佳实施例的另一种导电支架的俯视示意图；图6为本专利技术较佳实施例的一种发光二极管结构的制造方法的步骤流程图。主要元件符号说明：100：发光二极管结构；110：发光晶片；112：发光二极管单元；112a：第一接点；112b：第二接点；112c：第一型掺杂半导体层；112d：第二型掺杂半导体层；112e：发光层；112G：发光二极管单元组；114：绝缘单元；120：导电支架；122：电连接线路；122a：内连接线路；122b：外连接线路；130：导电元件；140：外部电子装置；124a、124b：电极；200：发光二极管结构的制造方法；LS：下表面；R：凹陷区域；S：非半导体基板；S210～S230：步骤；US：上表面。具体实施方式发光二极管结构图1为本专利技术较佳实施例的一种发光二极管结构的立体分解示意图。请参照图1，发光二极管结构100包括：发光晶片110以及导电支架120。发光晶片110具有多个发光二极管单元112(图1中显示四个)。导电支架120具有电连接线路122、与电性连接到电连接线路122的至少一对电极124a、124b。发光二极管单元112对向于电连接线路122，且发光二...

【技术保护点】
一种发光二极管结构，其特征在于，包括：导电支架，具有电连接线路；发光芯片，具有至少一个发光二极管单元，其中该发光芯片以下表面对向于该电连接线路而设置于该导电支架上，且该发光二极管单元与该电连接线路电性连接；以及突起，设置于该发光芯片与该导电支架之间，其中该突起抵接该发光芯片的该下表面。

【技术特征摘要】
2011.08.29 TW 1001309191.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：
导电支架，具有电连接线路；
发光芯片，具有至少一个发光二极管单元，其中该发光芯片以下表面对
向于该电连接线路而设置于该导电支架上，且该发光二极管单元与该电连接
线路电性连接；以及
突起，设置于该发光芯片与该导电支架之间，其中该突起抵接该发光芯
片的该下表面。
2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该导电支架还
具有与该发光芯片的该下表面相对的上表面，其中该突起连接该上表面，且
该电连接线路位于该上表面上。
3.根据权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，该突起在该上
表面上定义出至少一凹陷区域。
4.根据权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，该发光芯片还
具有位于该下表面上的沟渠，在该发光芯片以该下表面对向于该上表面而设
置于该导电支架上时，该沟渠与该突起相配合。
5.根据权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于，该发光二极管
单元的数量为多个，该沟渠区隔该些发光二极管单元。
6.根据权利要求1所述的发光二...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡胜杰，苏柏仁，孙圣渊，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71