镶嵌有至少一个金属装饰物的陶瓷元件制造技术

技术编号:12775199 阅读:94 留言:0更新日期:2016-01-27 18:40
本发明专利技术涉及一种包括陶瓷体部(11)的镶嵌陶瓷元件(10),该陶瓷体部(11)具有形成用于装饰物(13)的造型的至少一个凹部(12)。根据本发明专利技术,所述至少一个凹部被大约50nm的第一和第二导电层(14、15)以及一金属流电镀层(16)完全填充,以便形成具有改进的视觉呈现效果的镶嵌有至少一个金属装饰物(13)的陶瓷元件(10)。本发明专利技术还涉及制造镶嵌陶瓷元件的方法。本发明专利技术属于带装饰的陶瓷部件领域。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2011年4月22日、申请号为201110102928.7、发明名称为“镶嵌有至少一个金属装饰物的陶瓷元件”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种镶嵌有至少一个金属装饰物的陶瓷元件,更具体地涉及用于安装在钟表中的这种类型的元件。
技术介绍
已知形成至少部分地由合成蓝宝石制成的表圈,以便通过透明性示出镀覆在表圈下面的凹部中的沉积物,所述沉积物例如形成刻度或者商标名称。这种构造的优点是,通过利用蓝宝石部件完全覆盖沉积物来保护沉积物免于任何机械劣化。但是,这种构造可能难以读取装饰物,这不仅由于透射过的沉积物的色彩弱化,而且由于在蓝宝石和沉积物之间缺少颜色差别。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是克服上述缺陷中的全部或一些,同时仍保持机械强度的优点以及增加了视觉品质改进的优点。因此,本专利技术涉及一种用于制造镶嵌陶瓷元件的方法,该方法包括以下步骤:a)形成陶瓷体部;b)在陶瓷体部的一个面中蚀刻至少一个凹部,所述至少一个凹部中的每一个形成用于装饰物的造型/图案;c)在包含所述至少一个凹部的整个面上沉积大约50nm的第一层,d)在包含所述至少一个凹部的整个面上沉积大约50nm的第二导电层,以便覆盖第一层;e)从所述第二导电层流电沉积金属材料或者金属材料的合金,以便完全填充所述至少一个凹部;f)除了所述至少一个凹部的空腔之外,从陶瓷体部的表面去除所有沉积物。显然清楚的是,装饰物和/或陶瓷的色度的变化不再受到陶瓷的透明性的限制,同时仍确保了良好的耐磨性。因此,作为示例,可以通过使陶瓷具有闪亮的外表和使每个装饰物具有似缎的(satin)光洁度,来获得复杂的视觉呈现效果。有利地,还清楚的是,所述陶瓷元件尤其可形成钟表的全部或者部分,即,表壳、表链、表圈、表盘、表面玻璃、按钮和/或表冠。本专利技术还可应用于珠宝的全部或者部分,或甚至应用于餐具。根据本专利技术的其它有利特征:-步骤a)通过烧结实现;-陶瓷体部基于氧化锆;-步骤b)通过激光执行;-所述至少一个凹部中的每一个包括不具有棱边的内表面,以便有助于实施步骤e);-步骤c)通过自催化镀或者通过气相沉积实现;-第一导电层是Cr、Cr2N、TiN、TiW、Ni、NiP、Cu、Ti或Zr层;-步骤d)通过气相沉积实现;-第二导电层包含金和/或铜和/或银和/或铟和/或铂和/或钯和/或镍,以便优化第二导电层的附着性和良好导电性,以及提供接近于流电镀层的颜色;-在步骤e)期间沉积的金属材料包含金和/或铜和/或银和/或铟和/或铂和/或钯和/或镍;-该方法包括用于沉积基本透明的层的最终步骤g),以保护装饰物免于老化,所述层例如为氮化硅层。附图说明参照附图,从下文作为非限制性举例给出的描述,可以清楚地看到其它特征和优点,在附图中:-图1是根据本专利技术的钟表的图;-图2是根据本专利技术的镶嵌陶瓷元件的截面图;-图3至8是根据本专利技术的制造方法的连续步骤;-图9是根据本专利技术的方法的流程图。具体实施方式如图1所示,可看到总体上由1指示的钟表,该钟表包括至少一个镶嵌陶瓷元件。每个镶嵌陶瓷元件用于形成一个非常耐磨的部分,该部分包括其视觉品质尤其在对比度方面提高的至少一个金属装饰物。根据本专利技术的镶嵌陶瓷元件可形成钟表1的外部部分的全部或一部分。因此,其可形成表壳2、表链3、表圈4、表盘5、表面玻璃6、按钮7和/或表冠8的全部或一部分。在下文所说明的示例中,将参照陶瓷环10对本专利技术进行说明,该陶瓷环10包括形成表圈4的刻度的镶嵌装饰物13。如图1、2和8所示,镶嵌陶瓷元件10包括陶瓷体部11,该陶瓷体部11包含形成用于装饰物13的造型的至少一个凹部12。图1示出,有利地根据本专利技术,每个装饰物13可具有任何形状,例如几何图形或者字母数字符号。根据本专利技术,每个凹部12被两个导电层14、15以及一流电沉积物16完全填充,其中每个导电层具有大约50nm的厚度,并且所述流电沉积物16是由金属材料形成的。此构造保护了在非常耐磨的陶瓷体部11中的各装饰物13。为了改善装饰物13在体部11中的附着性,凹部12优选具有100μm的最小深度P。此外,出于相同原因,各凹部12优选地具有连续的、至少部分倒圆角的表面R,即,凹部的内表面不具有棱边。实际上,流电沉积物可能由于在具有棱边的区域中的峰的影响而产生填充缺陷。陶瓷体部11可由多种材料获得。但是,鉴于机械特性、抛光能力以及(在较小程度上)鉴于提供很宽的色度调色范围(broadpalletofshades)的能力,优选使用基于氧化锆的陶瓷。当然,显然可以设想其他陶瓷,例如基于碳化钛的陶瓷。第一层14用于提高将来的装饰物13在陶瓷体部11上的附着力。实际上,尽管凹部12的底部的微粗糙度有助于附着,但是优选地沉积第一层14。优选地,第一层14具有大约50nm的厚度,并且位于第二导电层15和陶瓷体部11之间。根据用于第一层14的沉积方法,可设想若干类型的材料,例如Cr,Cr2N,TiN,TiW,Ni,NiP,Cu,Ti或Zr。类似地,对于第二导电层15和流电沉积物16,也可设想多种材料。优选地,第二导电层15被选择为尽可能接近流电沉积物16的颜色。还根据其附着特性以及电沉积所需的高导电水平来选择第二层15。此外,根据本专利技术,各装饰物13的视觉呈现效果主要是通过流电沉积物16的颜色获得的。因此,用于流电沉积物16的材料将优选地取决于它的颜色,或者更概括地说取决于它的美学外观。因此,金属流电沉积物16以及顺带提及的第二层15包括金和/或铜和/或银和/或铟和/或铂和/或钯和/或镍。作为示例,因此,可以通过使陶瓷体部11具有闪亮的外观和使装饰物13具有似缎的外表,来获得复杂的视觉呈现效果。为了使颜色一致,还可设想形成装饰物13的材料与围绕陶瓷体部11的材料相同。因此,在图1的示例中,表圈4的装饰物13与表壳2、表链3、表圈4的其余部分、表盘5、按钮7和/或表冠8的材料相同。最后,如图8所示,根据本专利技术,镶嵌陶瓷元件10还可设有任选的、基本上透明的层18,以保护装饰物13免于老化。此层18可例如包括氮化硅,以便尤其在层15和/或16主要基于银时防止层15和/或16失去光泽。现在将参照图3至9说明制造镶嵌陶瓷元件10的方法21本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造镶嵌陶瓷元件(10)的方法(21),该方法包括以下步骤:a)形成(22)陶瓷体部(11);b)在陶瓷体部(11)的一个面(F)中通过激光蚀刻(23)至少一个凹部(12),所述至少一个凹部中的每一个形成用于装饰物(13)的造型并且具有100μm的最小深度(P);c)在包含所述至少一个凹部的整个面(F)上沉积(24、25)大约50nm的第一层(14),d)在包含所述至少一个凹部的整个面(F)上沉积(26)大约50nm的第二导电层(15),以便覆盖第一层(14);e)从所述第二导电层(15)流电沉积(27)金属材料(16),以便完全填充所述至少一个凹部;f)除了所述至少一个凹部的空腔之外,从陶瓷体部(11)的表面去除(28)所有沉积物(14、15、16),其中,所述至少一个凹部(12)中的每一个包括不具有棱边的内表面,并且具有至少部分倒圆角的表面(R),以便有助于实施步骤e)。

【技术特征摘要】
2010.04.23 EP 10160893.31.一种用于制造镶嵌陶瓷元件(10)的方法(21),该方法包括以
下步骤:
a)形成(22)陶瓷体部(11);
b)在陶瓷体部(11)的一个面(F)中通过激光蚀刻(23)至少一
个凹部(12),所述至少一个凹部中的每一个形成用于装饰物(13)的造
型并且具有100μm的最小深度(P);
c)在包含所述至少一个凹部的整个面(F)上沉积(24、25)大约
50nm的第一层(14),
d)在包含所述至少一个凹部的整个面(F)上沉积(26)大约50nm
的第二导电层(15),以便覆盖第一层(14);
e)从所述第二导电层(15)流电沉积(27)金属材料(16),以便
完全填充所述至少一个凹部;
f)除了所述至少一个凹部的空腔之外,从陶瓷体部(11)的表面去
除(28)所有沉积物(14、15、16),
其中,所述至少一个凹部(12)中的每一个包括不具有棱边的内表面,
并且具有至少部分倒圆角的表面(R),以便有助于实施步骤e)。
2.根据权利要求1的方法(21),其特征在于,步骤a)通过烧结实
现。
3.根据权利要求1的方法(21),其特征在于,陶瓷体部(11)基于<...

【专利技术属性】
技术研发人员:P·格罗森巴赫M·凯劳德A·奈图希尔
申请(专利权)人:奥米加股份有限公司
类型:发明
国别省市:瑞士;CH

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