【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金刚石加工
，具体属于一种金刚石膜抛光装置。
技术介绍
近年来，低压化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜技术得到迅速发展,研究开发了诸如灯丝热解CVD法、微波等离子体CVD法、直流等离子体喷射CVD法和燃焰法等多种金刚石薄膜合成方法。根据不同的沉积方法和沉积条件，在1～980μm/h的沉积速度下，可得到厚度为0.5～1000μm的薄(厚)膜，可沉积出直径达300mm的大面积金刚石膜，为金刚石膜的广泛应用奠定了基础。由于气相沉积的金刚石膜为多晶膜，晶粒较多，表面凸凹不平，在许多情况下不能直接使用，因而金刚石膜的光整加工(抛光)是必不可少的重要工艺步骤。由于金刚石膜硬度高、厚度薄、整体强度低，因此抛光效率低，且膜极易破裂及损伤，加工难度较大。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术的目的是提供了一种金刚石膜抛光装置，采用离子体通过阴极表面时将产生弯曲，使之在工件与阴极之间产生半聚焦的电子束，同时容器保持一定的真空度，电子束辅助等离子体加工可用于处理最小厚度仅为5μm的极薄金刚石膜，加工速度约为10～40nm/min。本专利技术采用的技术方案如下：一种金刚石膜抛光装置，包括封闭的容器，所述容器下端设有支撑腿支撑于地面，所述的容器侧面设有水冷装置，所述的水冷装置前端部插入容器内，所述的水冷装置前端设有铝板制成的阴极，阴极连接直流电源，阴极外侧设有绝缘层，...
【技术保护点】
一种金刚石膜抛光装置，包括封闭的容器，所述容器下端设有支撑腿支撑于地面，其特征在于：所述的容器侧面设有水冷装置，所述的水冷装置前端部插入容器内，所述的水冷装置前端设有铝板制成的阴极，阴极连接直流电源，阴极外侧设有绝缘层，在阴极对面设有托架，金刚石膜设置于托架上，所述的托架上还连接电热偶，形成电子束，所述的容器下端设有气泵，气泵连接气源，气源为氧气和氢气。
【技术特征摘要】
1.一种金刚石膜抛光装置，包括封闭的容器，所述容器下端设
有支撑腿支撑于地面，其特征在于：所述的容器侧面设有水冷装置，
所述的水冷装置前端部插入容器内，所述的水冷装置前端设有铝板制
成的阴极，阴极连接直流电源，阴极外侧设有绝缘层，在阴极对面设
有托架，金刚石膜设置于托架上，所述的托架上还连接电热偶，形成
电子束，所述的容器下端设有气泵，气泵连接气源，气源为氧气和氢
气。
2.根据权利要求1所述的一种金...
【专利技术属性】
技术研发人员：李凯，
申请(专利权)人：安庆市凯立金刚石科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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