半导体存储装置和具有半导体存储装置的电子系统制造方法及图纸

一种半导体存储装置包括：存储器电路单元；射频(RF)信号单元，其无线地传送和接收信号；以及控制电路单元，其响应于通过RF信号单元接收的信号来访问存储器电路单元以及将存储器电路单元的数据提供给RF信号单元。RF信号单元和控制电路单元中的至少一个具有带存储器电路单元的单芯片结构。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求在2014年7月24日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2014-0094137的韩国申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
各种实施例涉及一种半导体集成电路，且更具体涉及一种半导体存储装置和具有该半导体存储装置的电子系统。
技术介绍
评估半导体存储装置的性能的指标之一是操作时间。可以通过半导体存储装置的带宽来确定操作速度，并且带宽取决于时钟频率和数据总线的数目。也就是说，随着时钟频率的增加以及数据总线的数目的增加，带宽也增加，并且半导体存储装置可以高速操作。数据总线可以称为用于半导体存储装置和外部装置之间的数据输入/输出(I/O)的双向配线。为了提高半导体存储装置的操作速度，已经对增加数据总线的数目或者以层叠芯片结构制造存储装置进行了研究。当前可以采用连线方式来设计数据总线，因而在具有有限尺寸的存储器芯片中可以形成的数据总线的数目存在限制。
技术实现思路
根据一个实施例，提供了一种半导体存储装置。该半导体存储装置可以包括：存储器电路单元；射频(RF)信号单元，其无线地传送和接收信号；以及控制电路单元，其响应于通过RF信号单元接收的信号来访问存储器电路单元以及将存储器电路单元的数据提供给RF信号单元。RF信号单元和控制电路单元中的至少一个可以具有带存储器电路单元的单芯片结构。根据一个实施例，提供了一种电子系统。该电子系统可以包括第一芯片和至少一个第二芯片，第一芯片包括射频(RF)收发单元，而第二芯片无线地向第一芯片传送信号和从第一芯片接收信号。第二芯片可以包括：存储器电路单元；射频(RF)信号单元，其无线地传送和接收信号；以及控制电路单元，其响应于通过RF信号单元接收的信号来访问存储器电路单元以及将存储器电路单元的数据提供给RF信号单元。RF信号单元和控制电路单元中的至少一个可以具有带存储器电路单元的单芯片结构。根据一个实施例，提供了一种电子系统。该电子系统可以包括：处理器，其对来自外部装置的命令输入执行解码；存储器控制器，其根据处理器的控制无线地向存储装置传送信号和从存储装置接收信号；以及存储装置，其包括：存储器电路单元；射频(RF)信号单元，其无线地向存储器控制器传送信号和从存储器控制器接收信号；以及控制电路单元，其响应于通过RF信号单元接收的信号来访问存储器电路单元以及将存储器电路单元的数据提供给RF信号单元。RF信号单元和控制电路单元中的至少一个可以具有带存储器电路单元的单芯片结构。根据一个实施例，提供了一种电子系统。该电子系统可以包括：存储装置，其包括存储器电路单元；射频(RF)信号单元，其无线地传送和接收信号；以及控制电路单元，其响应于通过RF信号单元接收的信号来访问存储器电路单元以及将存储器电路单元的数据提供给RF信号单元，其中RF信号单元和控制电路单元中的至少一个具有带存储器电路单元的单芯片结构；存储器控制器，其无线地向控制电路单元传送信号和从控制电路单元接收信号，以及控制存储装置的操作；以及卡接口，其执行主机和存储器控制器之间的数据交换。下面在题为“具体实施方式”的部分中描述这些和其他特征、方面和实施例。附图说明根据结合附图所进行的以下详细描述，将更清楚地理解实施例的以上和其他方面、特征和优点，在附图中：图1是图示根据实施例的半导体存储装置的配置的视图；图2是图示根据实施例的半导体存储装置的配置的视图；图3是图示根据实施例的半导体存储装置的配置的视图；图4是图示根据实施例的RF信号单元和控制电路单元的配置的视图；图5是图示根据实施例的控制电路单元的配置的视图；图6是图示根据实施例的RF信号单元的配置的视图；图7是图示图6的电压发生单元的配置的视图；图8是图示根据实施例的半导体存储装置的单芯片结构的视图；图9是图示根据实施例的半导体存储装置的配置的视图；图10是图示根据实施例的半导体存储装置的配置的视图；图11是图示根据实施例的电子系统的配置的视图；图12是图示根据实施例的电子系统的配置的视图；以及图13是图示根据实施例的电子系统的配置的视图。具体实施方式将参照附图更详细地描述示例性实施例。本文参照作为示例性实施例(包括中间结构)的示意性图解的横截面图解来描述示例性实施例。照此，会预见到由于例如制造技术和/或公差的差异引起的在图解形状方面的变化。因此，实施例不应被解释为限于本文所图示的特定形状，而是可以包括修改。在附图中，为了清楚起见层和区域的长度和尺寸可能被放大。附图中同样的附图标记表示同样的元件。还应当理解，当把一层称为在另一层或衬底“上”时，它可以直接在该另一层或衬底上，或者也可能存在中间层。还应当注意，在本说明书中，“连接/耦接”指的是如下情况，一个部件直接地连接/耦接到另一部件或者通过中间部件间接地连接/耦接到另一部件。此外，单数形式可以包括复数形式，且反之亦然，只要没有另外具体提及即可。本文参照作为示意图解的横截面图和/或平面图解来描述实施例。然而，实施例不应当被解释为限于此。尽管将示出并描述若干实施例，但是将认识到，在这些实施例中可以进行修改。图1至图3是图示根据实施例的半导体存储装置的配置的视图。图1中所示的半导体存储装置10可以包括在半导体衬底的第一区域中形成的存储器电路单元110、在半导体衬底的第二区域中形成的射频(RF)信号单元120、以及在半导体衬底的第三区域中形成的控制电路单元130。存储器电路单元110、RF信号单元120和控制电路单元130可以形成在一个芯片中。存储器电路单元110可以包括存储器单元阵列、地址解码器、输入/输出(I/O)电路块等。RF信号单元120可以接收从外部无线地传送的信号并且将接收的信号提供给控制电路单元130。RF信号单元120可以无线地发送从控制电路单元130提供的信号。通过RF信号单元120无线地传送和接收的信号可以是数据、地址信号和控制信号。控制电路单元130控制存储器电路单元110和RF信号单元120的操作。图1中所示的半导体存储装置10通过RF信号单元120无线地向诸如中央处理单元(CPU)、主机计算机或单独的半导体存储器芯片之类的外部装置传送信号和从其接收信号。因此，通过操纵传送/接收频率、为传送/接收分配的时长等，可以容易地控制所传送和接收的RF信号的带宽。从而，可以充分地增加带宽。图2图示了半导体存储装置10-1的另一示例。在该实施例中，存储器电路单元110...

【技术保护点】
一种半导体存储装置，包括：存储器电路单元；射频(RF)信号单元，其适于无线地传送和接收第一信号；以及控制电路单元，其适于响应于通过所述RF信号单元接收的第二信号来访问所述存储器电路单元，以及还适于将所述存储器电路单元的数据提供给所述RF信号单元，其中所述RF信号单元和所述控制电路单元中的至少一个与所述存储器电路单元一起设置在单个芯片中。

【技术特征摘要】
2014.07.24 KR 10-2014-00941371.一种半导体存储装置，包括：
存储器电路单元；
射频(RF)信号单元，其适于无线地传送和接收第一信号；以及
控制电路单元，其适于响应于通过所述RF信号单元接收的第二信号来访问所述存
储器电路单元，以及还适于将所述存储器电路单元的数据提供给所述RF信号单元，
其中所述RF信号单元和所述控制电路单元中的至少一个与所述存储器电路单元一
起设置在单个芯片中。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述存储器电路单元和所述RF
信号单元形成在第一芯片中，以及
其中所述控制电路单元形成在第二芯片中。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述存储器电路单元和所述控制
电路单元形成在第一芯片中，以及
其中所述RF信号单元形成在第二芯片中。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述RF信号单元包括：
传送单元，其适于无线地传送从所述控制电路单元提供的第三信号；以及
接收单元，其适于无线地接收来自外部装置的第四信号并且将所述第四信号提供给
所述控制电路单元。
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，所述RF信号单元还包括电压发
生单元，以及
其中所述电压发生单元适于响应于从所述外部装置无线地提供的第五信号来生成操
作电压。
6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，所述电压发生单元包括：
电压倍增单元，其适于响应于从所述外部装置无线地提供的第六信号来生成直流
(DC)电压以及使所生成的DC电压升高；以及
充电单元，其适于储存在所述电压倍增单元中升高的DC电压以及提供所述DC电
压以作为操作电压。
7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中，所述存储器电路单元和所述充电
单元形成在第一芯片中，以及
其中所述控制电路单元、所述传送单元、所述接收单元和所述电压倍增单元形成在
不同于所述第一芯片的第二芯片中。
8.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴海赞，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR