制造光源的方法技术

提供了一种制造光源的方法，所述方法包括以下步骤：提供当向其施加电力时发射光的半导体光源；向半导体光源供应电力；接收半导体光源发射的光，并且执行对所接收的光的光学性质的第一测量；自第一测量已过去一段时间之后，接收半导体光源发射的光并执行对所接收的光的光学性质的第二测量；通过比较光学性质的第一测量和光学性质的第二测量的结果来确定半导体光源是否有缺陷；以及通过提供半导体光源的外围部件来构造包括半导体光源的光源，其中，作为确定半导体光源是否有缺陷的结果，所述半导体光源被确定为正常。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2014年7月16日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0089793号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
本专利技术的示例性实施例涉及一种制造光源的方法。
技术介绍
半导体发光装置响应于向其施加的电流通过电子-空穴复合来发射光，并且半导体发光装置由于其诸如以功耗较低、亮度级别高以及紧凑性为例的若干优点而被广泛用作光源。自从开发出氮化物发光器件，这样的器件已经得到更广泛的应用。例如，正在采用诸如发光二极管(LED)的半导体发光器件来用在例如汽车前照灯或者包括室内照明的普通照明装置中。允许制造具有改善的可靠性的产品的半导体光源测试方法和用于该测试的半导体光源测试装置将是极为有利的。
技术实现思路
在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，一种制造光源的方法包括以下步骤：提供当向其施加电力时发射光的半导体光源；向半导体光源供应电力；接收半导体光源发射的光，并且执行对所接收的光的光学性质的第一测量；自第一测量已过去一段时间之后，接收半导体光源发射的光，并执行对所接收的光的光学性质的第二测量；通过比较光学性质的第一测量和光学性质的第二测量的结果来确定半导体光源是否有缺陷；以及通过提供半导体光源的外围部件来构造包括半导体光源的光源，其中，作为确定半导体光源是否有缺陷的结果，所述半导体光源被确定为正常。在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，一种制造光源的方法包括确定半导体光源是否有缺陷的步骤，所述步骤包括：确定基于在第一测量中获得的光学性质的、第一测量和第二测量之间的光学性质的变化量；如果计算出的变化量等于或大于预定值，则将半导体光源确定为有缺陷。在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，在制造光源的方法中，在第一测量和第二测量中获得的光学性质为半导体光源发射的光的亮度级别。在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，在制造光源的方法中，利用光电二极管来获得所述光学性质。在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，在制造光源的方法中，在第一测量和第二测量中获得的光学性质包括半导体光源发射的光的色坐标值。在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，在制造光源的方法中，利用光谱仪来获得所述光学性质。在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，在制造光源的方法中，执行第一测量和第二测量的步骤包括：通过使半导体光源发射的光成像来获得第一图像和第二图像，确定半导体光源是否有缺陷的步骤包括：比较第一图像和第二图像的明度级别，并且如果明度级别的变化量等于或大于预定值，则将半导体光源确定为有缺陷。在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，在制造光源的方法中，测试多个半导体光源，确定所述多个半导体光源是否有缺陷的步骤包括：在第一图像和第二图像中的每个图像上设定与所述多个半导体光源的位置对应的分割区域；以及针对每个分割区域比较第一图像和第二图像的明度级别，并且如果明度级别的变化量等于或大于预定值，则将位于与分割区域对应的位置中的半导体光源确定为有缺陷。在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，在制造光源的方法中，光源为发光模块；半导体光源为发光器件封装件，发光器件封装件包括封装基底和半导体发光器件，封装基底具有第一端子和第二端子，半导体发光器件位于封装基底上并且具有电连接到第一端子和第二端子的第一电极和第二电极；构造光源的步骤包括：在模块基底上设置发光器件封装件，其中，作为确定发光器件封装件是否有缺陷的结果，所述发光器件封装件被确定为正常。在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，在制造光源的方法中，将半导体发光器件的第一电极和第二电极设置为面对封装基底的第一端子和第二端子。在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，在制造光源的方法中，在第一测量和第二测量中获得的光学性质为发光器件封装件发射的光的亮度级别，第一测量和第二测量之间的时间间隔为40毫秒或更短，如果第一测量和第二测量之间的亮度级别的变化量为基于第一测量中获得的亮度级别的5％或更大，则将发光器件封装件确定为有缺陷。在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，在制造光源的方法中，在第一测量和第二测量中获得的光学性质为发光器件封装件发射的光的色坐标值，第一测量和第二测量之间的时间间隔为40毫秒或更短，基于CIE1931色坐标系，如果在第二测量中获得的X色坐标值基于在第一测量中获得的X色坐标值改变0.001或更多，或者在第二测量中获得的Y色坐标值基于在第一测量中获得的Y色坐标值改变0.0006或更多，则将发光器件封装件确定为有缺陷。在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，在制造光源的方法中，半导体光源为半导体发光器件，半导体发光器件包括导电基底和发光结构，发光结构位于导电基底上并具有第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层。在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，在制造光源的方法中，光源为照明装置；半导体光源为发光模块，发光模块包括模块基底和位于模块基底上的半导体发光器件和发光器件封装件中的至少一个；构造光源的步骤包括：将被构造为控制发光模块的驱动的驱动器连接到发光模块，其中，作为确定发光模块是否有缺陷的结果，所述发光模块被确定为正常。在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，在制造光源的方法中，在第一测量和第二测量中获得的光学性质为发光模块发射的光的亮度级别，第一测量和第二测量之间的时间间隔为0.5秒或更短，如果第一测量和第二测量之间的亮度级别的变化量为基于第一测量中获得的亮度级别的5％或更大，则将发光模块确定为有缺陷。在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，在制造光源的方法中，在第一测量和第二测量中获得的光学性质为发光模块发射的光的色坐标值，第一测量和第二测量之间的时间间隔为0.5秒或更短，基于CIE1931色坐标系，如果在第二测量中获得的X色坐标值基于在第一测量中获得的X色坐标值改变0.001或更多，或者在第二测量中获得的Y色坐标值基于在第一测量中获得的Y色坐标值改变0.0006或更多，则将发光模块确定为有缺陷。在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，在制造光源的方法中，测试多个半导体光源，执行第一测量和第二测量的步骤包括：接收多个半导体光源中的每个半导体光源发射的光，并且执行对所接收的光的光学性质的第一测量和第二测量。在根据专利技术构思的原理的示例性实施例中，一种制造光源的方法还包括将确定所述多个半导体光源中的每个半导体光源是否有缺陷的结果存储在存<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造光源的方法，所述方法包括以下步骤：提供当向其施加电力时发射光的半导体光源；向半导体光源供应电力；接收半导体光源发射的光，并且执行对所接收的光的光学性质的第一测量；自第一测量已过去一段时间之后，接收半导体光源发射的光，并执行对所接收的光的光学性质的第二测量；通过比较光学性质的第一测量和光学性质的第二测量的结果来确定半导体光源是否有缺陷；以及通过提供半导体光源的外围部件来构造包括半导体光源的光源，其中，作为确定半导体光源是否有缺陷的结果，所述半导体光源被确定为正常。

【技术特征摘要】
2014.07.16 KR 10-2014-00897931.一种制造光源的方法，所述方法包括以下步骤：
提供当向其施加电力时发射光的半导体光源；
向半导体光源供应电力；
接收半导体光源发射的光，并且执行对所接收的光的光学性质的第一测
量；
自第一测量已过去一段时间之后，接收半导体光源发射的光，并执行对
所接收的光的光学性质的第二测量；
通过比较光学性质的第一测量和光学性质的第二测量的结果来确定半导
体光源是否有缺陷；以及
通过提供半导体光源的外围部件来构造包括半导体光源的光源，其中，
作为确定半导体光源是否有缺陷的结果，所述半导体光源被确定为正常。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，确定半导体光源是否有缺陷的步
骤包括：
确定基于在第一测量中获得的光学性质的、第一测量和第二测量之间的
光学性质的变化量；以及
如果计算出的变化量等于或大于预定值，则将半导体光源确定为有缺陷。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在第一测量和第二测量中获得的
光学性质为半导体光源发射的光的亮度级别。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，利用光电二极管来获得所述光学
性质。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，在第一测量和第二测量中获得的
光学性质包括半导体光源发射的光的色坐标值。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，利用光谱仪来获得所述光学性质。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，执行第一测量和第二测量的步骤
包括通过使半导体光源发射的光成像来获得第一图像和第二图像，
确定半导体光源是否有缺陷的步骤包括：比较第一图像和第二图像的明
度级别，并且如果明度级别的变化量等于或大于预定值，则将半导体光源确
定为有缺陷。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，测试多个半导体光源，确定所述

\t多个半导体光源是否有缺陷的步骤包括：
在第一图像和第二图像中的每个图像上设定与所述多个半导体光源的位
置对应的分割区域；以及
针对每个分割区域比较第一图像和第二图像的明度级别，并且如果明度
级别的变化量等于或大于预定值，则将位于与分割区域对应的位置中的半导
体光源确定为有缺陷。
9.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述光源为发光模块；
半导体光源为发光器件封装件，发光器件封装件包括封装基底和半导体
发光器件，封装基底具有第一端子和第二端子，半导体发光器件位于封装基
底上并且具有电连接到第一端子和第二端子的第一电极和第二电极；
构造光源的步骤包括：在模块基底上设置发光器件封装件，其中，作为
确定发光器件封装件是否有缺陷的结果，所述发光器件封装件被确定为正常。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，将半导体发光器件的第一电极
和第二电极设置为面对封装基底的第一端子和第二端子。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，在第一测量和第二测量中获得
的光学性质为发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：金寿成，文盛铉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR