本实用新型专利技术公开了一种SOD-123封装框架的二极管，包括上料片、下料片和芯片，所述下料片为平面结构，所述上料片包括与所述下料片平行的上平面部和下平面部，所述上平面部和下平面部之间连接平面弯折部，所述平面弯折部与所述上平面部间的夹角为钝角；所述下平面部与所述下料片齐平，所述芯片通过焊料焊接在所述上平面部下表面和所述下料片上表面之间，所述上料片、下料片和芯片包覆于胶体结构中，所述上料片的平面弯折部设置有至少一个通孔。现有SOD-123框架上料片折弯处塑封体较薄，在后工序及客户上板过程中，受外力冲击易产生裂纹，导致产品失效。本实用新型专利技术的一种SOD-123封装框架的二极管通过设置的至少一个通孔，加强了折弯处的塑封体强度。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种二极管封装，特别是涉及一种S0D-123封装框架的二极管。
技术介绍
随着微电子电路、表面安装技术(SMT)的采用和不断发展完善，轻、薄、小成为衡量电子整机产品的重要标志。而要使电子设备小型化，首先就要考虑电子元件的小型化。片式、小型化是电子元件近些年发展的主要方向，某种程度讲，片式化、小型化已成为衡量电子元件技术发展水平的重要标志之一。目前市面上的贴片二极管制造企业在生产S0D-123封装结构的贴片二极管时，由于产品的成熟度以及客户认可度，一直延用早期的结构形式，未作任何改进。这种结构具体为:包括上料片、下料片和芯片，下料片为平面结构，上料片折弯成Z形，上料片的Z形底边与下料片齐平，芯片通过焊料焊接在上料片的Z形顶边和下料片之间，并通过胶体进行封装。现有S0D-123框架上料片折弯处塑封体较薄，在后工序及客户上板过程中，受外力冲击易产生裂纹，导致产品失效。因此急需一种能够使折弯处加强的封装框架。
技术实现思路
为了解决这些潜在问题，本技术的目的在于克服现有技术中所存在的上述不足，提供一种增强产品强度、提高产品质量的S0D-123封装框架的二极管。为了实现上述技术目的，本技术采用的技术方案是:一种S0D-123封装框架的二极管，包括上料片、下料片和芯片，所述下料片为平面结构，所述上料片包括与所述下料片平行的上平面部和下平面部，所述上平面部和下平面部之间连接平面弯折部，所述平面弯折部与所述上平面部间的夹角为钝角；所述下平面部与所述下料片齐平，所述芯片通过焊料焊接在所述上平面部下表面和所述下料片上表面之间，所述上料片、下料片和芯片包覆于胶体结构中，所述上料片的平面弯折部设置有至少一个通孔。进一步地，所述胶体结构的下表面与下料片的下表面齐平。进一步地，所述胶体结构整个外表面呈梯形体结构。进一步地，所述下平面部与所述下料片位于同一平面上。进一步地，所述下料片与所述下平面部之间间隔预定距离。进一步地，所述下料片一端至少部分伸出于所述胶体结构，所述下平面部一端至少部分伸出于所述胶体结构。进一步地，所述胶体结构为环氧树脂胶体结构。与现有技术相比，本技术的有益效果本技术的一种S0D-123封装框架的二极管通过设置的至少一个通孔，加强了折弯处的塑封体强度，改进后的技术方案消除了之前出现的管体裂纹不良的问题。【附图说明】图1是本技术一个具体的实施例的S0D-123封装框架的二极管模型图。【具体实施方式】下面结合【具体实施方式】对本技术作进一步的详细描述。但不应将此理解为本技术上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本
技术实现思路
所实现的技术均属于本技术的范围。图1所示是本技术一个具体的实施例示出的S0D-123封装框架的二极管模型图，一种S0D-123封装框架的二极管，包括上料片1、下料片2和芯片3，所述下料片2为平面结构，所述上料片1包括与所述下料片2平行的上平面部和下平面部，所述上平面部和下平面部之间连接平面弯折部，所述平面弯折部与所述上平面部间的夹角为钝角；所述下平面部与所述下料片2齐平，所述芯片3通过焊料焊接在所述上平面部下表面和所述下料片(2)上表面之间，所述上料片1、下料片2和芯片3包覆于胶体4结构中，所述上料片1的平面弯折部设置有至少一个通孔5。进一步地，所述胶体结构的下表面与下料片的下表面齐平。进一步地，所述胶体结构整个外表面呈梯形体结构。进一步地，所述下平面部与所述下料片位于同一平面上。进一步地，所述下料片与所述下平面部之间间隔预定距离。进一步地，所述下料片一端至少部分伸出于所述胶体结构，所述下平面部一端至少部分伸出于所述胶体结构。进一步地，所述胶体结构为环氧树脂胶体结构。本技术的一种S0D-123封装框架的二极管，加强了折弯处的塑封体强度，如果没有通孔，则框架折弯两部分粘结力就被框架隔离，导致产品容易从该位置折断；有了该通孔，两边的环氧树脂可以连接在一起，增强产品强度，消除了之前出现的管体裂纹不良的问题。同时，本技术的改进方案不影响S0D-123产品现有生产流程，不需修改注塑模具工装，不增加额外成本。上面结合附图对本技术的【具体实施方式】进行了详细说明，但本技术并不限制于上述实施方式，在不脱离本申请的权利要求的精神和范围情况下，本领域的技术人员可以作出各种修改或改型。【主权项】1.一种SOD-123封装框架的二极管，包括上料片(1)、下料片(2 )和芯片(3 )，所述下料片(2)为平面结构，所述上料片包括与所述下料片平行的上平面部和下平面部，所述上平面部和下平面部之间连接平面弯折部，所述平面弯折部与所述上平面部间的夹角为钝角；所述下平面部与所述下料片(2)齐平，所述芯片(3)通过焊料焊接在所述上平面部下表面和所述下料片(2)上表面之间，所述上料片(1)、下料片(2)和芯片(3)包覆于胶体(4)结构中，其特征在于，所述上料片(1)的平面弯折部设置有至少一个通孔(5 )。2.根据权利要求1所述的S0D-123封装框架的二极管，其特征在于，所述胶体结构的下表面与下料片的下表面齐平。3.根据权利要求2所述的S0D-123封装框架的二极管，其特征在于，所述胶体结构整个外表面呈梯形体结构。4.根据权利要求1-3任一项所述的S0D-123封装框架的二极管，其特征在于，所述下平面部与所述下料片位于同一平面上。5.根据权利要求4所述的S0D-123封装框架的二极管，其特征在于，所述下料片与所述下平面部之间间隔预定距离。6.根据权利要求5所述的S0D-123封装框架的二极管，其特征在于，所述下料片一端至少部分伸出于所述胶体结构，所述下平面部一端至少部分伸出于所述胶体结构。7.根据权利要求6所述的S0D-123封装框架的二极管，其特征在于，所述胶体结构为环氧树脂胶体结构。【专利摘要】本技术公开了一种SOD-123封装框架的二极管，包括上料片、下料片和芯片，所述下料片为平面结构，所述上料片包括与所述下料片平行的上平面部和下平面部，所述上平面部和下平面部之间连接平面弯折部，所述平面弯折部与所述上平面部间的夹角为钝角；所述下平面部与所述下料片齐平，所述芯片通过焊料焊接在所述上平面部下表面和所述下料片上表面之间，所述上料片、下料片和芯片包覆于胶体结构中，所述上料片的平面弯折部设置有至少一个通孔。现有SOD-123框架上料片折弯处塑封体较薄，在后工序及客户上板过程中，受外力冲击易产生裂纹，导致产品失效。本技术的一种SOD-123封装框架的二极管通过设置的至少一个通孔，加强了折弯处的塑封体强度。【IPC分类】H01L23/13【公开号】CN204991682【申请号】CN201520593556【专利技术人】邱志述, 周杰, 谭志伟 【申请人】乐山无线电股份有限公司【公开日】2016年1月20日【申请日】2015年8月10日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种SOD‑123封装框架的二极管，包括上料片（1）、下料片（2）和芯片（3），所述下料片（2）为平面结构，所述上料片包括与所述下料片平行的上平面部和下平面部，所述上平面部和下平面部之间连接平面弯折部，所述平面弯折部与所述上平面部间的夹角为钝角；所述下平面部与所述下料片（2）齐平，所述芯片（3）通过焊料焊接在所述上平面部下表面和所述下料片（2）上表面之间，所述上料片（1）、下料片（2）和芯片（3）包覆于胶体（4）结构中，其特征在于，所述上料片（1）的平面弯折部设置有至少一个通孔（5）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邱志述，周杰，谭志伟，
申请(专利权)人：乐山无线电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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