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一种无刷直流电动机转子位置检测电路制造技术

技术编号:12764363 阅读:161 留言:0更新日期:2016-01-22 14:37
一种无刷直流电动机转子位置检测电路,由霍尔电势生成器产生电势差为几十毫伏的电势信号,经差分放大器放大,得到与原信号波形相同,幅值放大的电信号,再由施密特触发器对信号进行整形,所得矩形方波通入集电极开路输出门输入端,当信号为高电平时,集电极开路输出端输出近似0V的低电平,当信号为低电平时,集电极开路输出端在上拉电阻的作用下输出高电平,将霍尔半导体电势生成器分离出来,极大减少了位置传感器对电机尺寸,特别是电机气隙尺寸的影响,将芯片以及集电极开路输出门置于电机外部,维护更为方便,本实用新型专利技术可直接输出由三位二进制码组成的六个位置的数字信号,可直接供无刷电机驱动器接收使用。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种位置检测电路,具体涉及一种无刷直流电动机转子位置检测电路
技术介绍
近年来,随着电子技术的发展,无刷直流电动机作为一种依靠电子技术而产生的新型电机,已成为现代工业设备中重要的运行部件。无刷电动机依靠定子绕组的交替导通来产生跳跃的旋转磁场,其定子绕组中所通直流电使其拥有普通直流电动机的特性,而由于依靠电力电子器件来切花绕组导通,所以又省去了直流电动机中的电刷和换向器,克服了普通直流电动机由于电刷磨损而引起的寿命短,噪声大等缺点。然而,无刷直流电动机要想运行,必须保证绕组导通与转子位置相对应,因此,对无刷直流电动机的转子位置的检测是电机能否正常运行的重中之重。由于霍尔效应的存在,霍尔磁敏位置传感器可通过感应穿过其霍尔半导体的磁场的变化来感应电机永磁体转子的位置,并将其转换成为电信号输送给无刷电机驱动器。现有霍尔位置传感器都是单霍尔元件的集成器,安装在电机内部的有限空间里,会增加电机的尺寸和制造成本,特别是会增大气隙的尺寸,且一旦发生脱落,整个传感器都将报废,并且每次维修都要打开电机,拔出转子,极不方便。同时,针对无刷直流电动机常用的三相六状态运行方式,还没有一款专用的位置传感器电路来检测并输出其以开发成熟的集成控制电路所需的由三位二进制码所表示的六位置信号。
技术实现思路
为了克服现有技术的缺陷,本技术的目的在于提供一种无刷直流电动机转子位置检测电路,占用电机内部空间小,可靠性高,易于维修。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种无刷直流电动机转子位置检测电路,包括霍尔半导体电势生成器H1、霍尔半导体电势生成器4、霍尔半导体电势生成器H3,电阻R1、电阻R2、电阻R3—端分别连接霍尔半导体电势生成器H1、霍尔半导体电势生成器H2、霍尔半导体电势生成器氏的一端,电阻R 1、电阻R2、电阻私另一端接GND,电阻R 4、电阻R5、电阻R6的一端分别连接霍尔半导体电势生成器H1、霍尔半导体电势生成器H2、霍尔半导体电势生成器H3的另一端,电阻R4、电阻R5、电阻R6的另一端接VCC,电阻R 7的两端分别连接霍尔半导体电势生成器H冲势输出端和芯片仏的2端口,电阻R8的两端分别连接霍尔半导体电势生成器H:电势输出端和芯片U:的3端口,电阻R9的两端分别连接霍尔半导体电势生成器H2电势输出端和芯片U:的5端口,电阻R1。的两端分别连接霍尔半导体电势生成器H2电势输出端和芯片U ^勺6端口,电阻R n的两端分别连接霍尔半导体电势生成器H3电势输出端和芯片U ^勺13端口,电阻R12的两端分别连接霍尔半导体电势生成器H3电势输出端和芯片U撕12端口,电阻R 13连接芯片U I的1、2端口,电阻R14连接芯片U ^ 6、7端口,电阻R 15连接芯片U ^ 13、14端口,电阻R 16两端连接芯片U1的3端口和GND,电阻R 17两端连接芯片U:的5端口和GND,电阻R 18两端连接芯片仏的12端口和GND,电阻R 19两端连接芯片U 2的2端口和三极管V:的基极,电阻R2。两端连接芯片U 2的4端口和三极管V 2的基极,电阻R21两端连接芯片U 2的6端口和三极管^的基极,电阻R 22两端连接VCC和三极管V i的集电极,电阻R 23两端连接VCC和三极管V2的集电极,电阻R24两端连接VCC和三极管V3的集电极,电容C1两端连接霍尔电势生成器H1的电势输出两端,电容C2两端连接霍尔电势生成器H2的电势输出两端,电容C 3两端连接霍尔电势生成器H3的电势输出两端,电容C 4两端连接三极管V i的集电极与GND,电容C 5两端连接三极管V2的集电极与GND,电容C 6两端连接三极管V 3的集电极与GND,电容C 7两端连接VDD与GND,电容(:8两端连接VCC与GND,三极管V 1、三极管V2、三极管V3发射极连接GND,芯片仏的4端口接VCC,芯片U撕11端口接VDD,芯片U 2的I端口接芯片U撕I端口,芯片仏的3端口接芯片U撕7端口,芯片U 2的5端口接芯片U撕14端口,芯片U 2的14端口接VCC,芯片仏的7端口接GND。所述的三个霍尔半导体电势生成器按120°点角度贴于电机定子之上。所述的芯片U1、芯片U2以及集电极开路输出门置于电机外部。所述芯片仏为差分放大器集成芯片LM324。所述芯片U2为六反向施密特触发器集成芯片74LS14。所述电源VCC电压为+5V,电源VDD为_5V,GND为公共地端。与现有技术相比,本技术的有益效果是:将霍尔半导体电势生成器分离出来,极大减少了位置传感器对电机尺寸,特别是电机气隙尺寸的影响,将电路所包含的差分放大器,施密特触发器以及集电极开路输出门置于电机外部,维护更为方便,同时,本技术可直接输出由三位二进制码组成的六个位置的数字信号,可直接供无刷电机驱动器接收使用。【附图说明】附图为本技术的电路图。【具体实施方式】下面将结合附图对本技术进行清楚、完整地描述。参照附图,一种无刷直流电动机转子位置检测电路,包括霍尔半导体电势生成器H1、霍尔半导体电势生成器H2、霍尔半导体电势生成器H3,电阻Rp电阻R2、电阻R3—端分别连接霍尔半导体电势生成器H1、霍尔半导体电势生成器H2、霍尔半导体电势生成器H3的一端,电阻札、电阻R2、电阻私另一端接GND,电阻R4、电阻R5、电阻R6的一端分别连接霍尔半导体电势生成器H1、霍尔半导体电势生成器H2、霍尔半导体电势生成器H3的另一端,电阻R 4、电阻R5、电阻R6的另一端接VCC,电阻R 7的两端分别连接霍尔半导体电势生成器H:电势输出端和芯片仏的2端口,电阻R8的两端分别连接霍尔半导体电势生成器1电势输出端和芯片仏的3端口,电阻R9的两端分别连接霍尔半导体电势生成器H2电势输出端和芯片U:的5端口,电阻R1。的两端分别连接霍尔半导体电势生成器H2电势输出端和芯片U ^勺6端口,电阻R11的两端分别连接霍尔半导体电势生成器H3电势输出端和芯片1的13端口,电阻R12的两端分别连接霍尔半导体电势生成器H3电势输出端和芯片U ^勺12端口,电阻R13连接芯片仏的1、2端口,电阻R 14连接芯片U ^ 6、7端口,电阻R 15连接芯片U ^ 13、14端口,电阻R16两端连接芯片U撕3端口和GND,电阻R 17两端连接芯片U撕5端口和GND,电阻R 18两端连接芯片仏的12端口和GND,电阻R 19两端连接芯片U 2的2端口当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无刷直流电动机转子位置检测电路,包括霍尔半导体电势生成器H1、霍尔半导体电势生成器H2、霍尔半导体电势生成器H3,其特征在于:电阻R1、电阻R2、电阻R3一端分别连接霍尔半导体电势生成器H1、霍尔半导体电势生成器H2、霍尔半导体电势生成器H3的一端,电阻R1、电阻R2、电阻R3另一端接GND,电阻R4、电阻R5、电阻R6的一端分别连接霍尔半导体电势生成器H1、霍尔半导体电势生成器H2、霍尔半导体电势生成器H3的另一端,电阻R4、电阻R5、电阻R6的另一端接VCC,电阻R7的两端分别连接霍尔半导体电势生成器H1电势输出端和芯片U1的2端口,电阻R8的两端分别连接霍尔半导体电势生成器H1电势输出端和芯片U1的3端口,电阻R9的两端分别连接霍尔半导体电势生成器H2电势输出端和芯片U1的5端口,电阻R10的两端分别连接霍尔半导体电势生成器H2电势输出端和芯片U1的6端口,电阻R11的两端分别连接霍尔半导体电势生成器H3电势输出端和芯片U1的13端口,电阻R12的两端分别连接霍尔半导体电势生成器H3电势输出端和芯片U1的12端口,电阻R13连接芯片U1的1、2端口,电阻R14连接芯片U1的6、7端口,电阻R15连接芯片U1的13、14端口,电阻R16两端连接芯片U1的3端口和GND,电阻R17两端连接芯片U1的5端口和GND,电阻R18两端连接芯片U1的12端口和GND,电阻R19两端连接芯片U2的2端口和三极管V1的基极,电阻R20两端连接芯片U2的4端口和三极管V2的基极,电阻R21两端连接芯片U2的6端口和三极管V3的基极,电阻R22两端连接VCC和三极管V1的集电极, 电阻R23两端连接VCC和三极管V2的集电极,电阻R24两端连接VCC和三极管V3的集电极,电容C1两端连接霍尔电势生成器H1的电势输出两端,电容C2两端连接霍尔电势生成器H2的电势输出两端,电容C3两端连接霍尔电势生成器H3的电势输出两端,电容C4两端连接三极管V1的集电极与GND,电容C5两端连接三极管V2的集电极与GND,电容C6两端连接三极管V3的集电极与GND,电容C7两端连接VDD与GND,电容C8两端连接VCC与GND,三极管V1、三极管V2、三极管V3发射极连接GND,芯片U1的4端口接VCC,芯片U1的11端口接VDD,芯片U2的1端口接芯片U1的1端口,芯片U2的3端口接芯片U1的7端口,芯片U2的5端口接芯片U1的14端口,芯片U2的14端口接VCC,芯片U2的7端口接GND,所述的三个霍尔半导体电势生成器按120°点角度贴于电机定子之上。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郝英俊
申请(专利权)人:西京学院
类型:新型
国别省市:陕西;61

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