本实用新型专利技术公开了一种利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器。利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第六PMOS管、第三NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三PMOS管和第十三NMOS管。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及振荡器，尤其涉及到利用M0S管电容充放电延迟实现的环形振荡器。
技术介绍
为了得到振荡信号，设计了一种利用M0S管电容充放电延迟实现的环形振荡器。
技术实现思路
本技术旨在提供一种利用M0S管电容充放电延迟实现的环形振荡器。—种利用M0S管电容充放电延迟实现的环形振荡器，包括第一 PM0S管、第二 PM0S管、第三PM0S管、第四PM0S管、第五PM0S管、第一 NM0S管、第二 NM0S管、第一电阻、第六PM0S管、第三NM0S管、第七PM0S管、第八PM0S管、第四NM0S管、第五NM0S管、第六NM0S管、第九PM0S管、第十PM0S管、第七NM0S管、第八NM0S管、第九NM0S管、第^^一 PM0S管、第十二 PM0S管、第十NM0S管、第^^一 NM0S管、第十二 NM0S管、第十三PM0S管和第十三NM0S管:所述第一 PM0S管的栅极接所述第四PM0S管的栅极和所述第五PM0S管的栅极和漏极和所述第六PM0S管的栅极和所述第七PM0S管的栅极和所述第九PM0S管的栅极和所述第十一 PM0S管的栅极，漏极接所述第二 PM0S管的源极和所述第三PM0S管的栅极，源极接电源电压VCC ;所述第二 PM0S管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第一 PM0S管的漏极和所述第三PM0S管的栅极；所述第三PM0S管的栅极接所述第一 PM0S管的漏极和所述第二 PM0S管的源极，漏极节所述第四PM0S管的漏极和所述第一 NM0S管的栅极和漏极和所述第二 NM0S管的栅极，源极接电源电压VCC ;所述第四PM0S管的栅极节所述第一 PM0S管的栅极和所述第五PM0S管的栅极和漏极和所述第六PM0S管的栅极和所述第七PM0S管的栅极和所述第九PM0S管的栅极和所述第^^一 PM0S管的栅极，漏极接所述第三PM0S管的漏极和所述第一 NM0S管的栅极和漏极和所述第二 NM0S管的栅极，源极节电源电压VCC ;所述第五PM0S管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PM0S管的栅极和所述第四PM0S管的栅极和所述第六PM0S管的栅极和所述第七PM0S管的栅极和所述第九PM0S管的栅极和所述第十一 PM0S管的栅极和所述第二 NM0S管的漏极，源极接电源电压VCC ;所述第一 NM0S管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PM0S管的漏极和所述第二NM0S管的栅极，源极接地；所述第二 NM0S管的栅极接所述第三PM0S管的漏极和所述第四PM0S管的漏极和所述第一 NM0S管的栅极和漏极，漏极接所述第五PM0S管的栅极和漏极和所述第一 PM0S管的栅极和所述第四PM0S管的栅极和所述第六PM0S管的栅极和所述第七PM0S管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一 PMOS管的栅极，源极接所述第一电阻的一端；所述第一电阻的一端接所述第二 NM0S管的源极，另一端接地；所述第六PM0S管的栅极接所述第五PM0S管的栅极和漏极和所述第一 PM0S管的栅极和所述第四PM0S管的栅极和所述第六PM0S管的栅极和所述第七PM0S管的栅极和所述第九PM0S管的栅极和所述第十一 PM0S管的栅极和所述第二 NM0S管的漏极，漏极接所述第三NM0S管的栅极和漏极和所述第五NM0S管的栅极和所述第八NM0S管的栅极和所述第i^一 NM0S管的栅极，源极接电源电压VCC ;所述第三NM0S管的栅极和漏极接在一起再接所述第六PM0S管的漏极和所述第五NM0S管的栅极和所述第八NM0S管的栅极和所述第十一 NM0S管的栅极，源极接地；所述第七PM0S管的栅极接所述第五PM0S管的栅极和漏极和所述第一 PM0S管的栅极和所述第四PM0S管的栅极和所述第六PM0S管的栅极和所述第九PM0S管的栅极和所述第十一 PM0S管的栅极和所述第二 NM0S管的漏极，漏极接所述第八PM0S管的源极，源极接电源电压VCC ;所述第八PM0S管的栅极接所述第四NM0S管的栅极和所述第十二 PM0S管的漏极和所述第十NM0S管的漏极和所述第十二 NM0S管的栅极和所述第十三PM0S管的栅极和所述第十三NM0S管的栅极，漏极接所述第四NM0S管的漏极和所述第六NM0S管的栅极和所述第十PM0S管的栅极和所述第七NM0S管的栅极，源极接所述第七PM0S管的漏极；所述第四NM0S管的栅极接所述第八PM0S管的栅极和所述第十二 PM0S管的漏极和所述第十NM0S管的漏极和所述第十二 NM0S管的栅极和所述第十三PM0S管的栅极和所述第十三NM0S管的栅极，漏极接所述第八PM0S管的漏极和所述第六NM0S管的栅极和所述第十PM0S管的栅极和所述第七NM0S管的栅极，源极接所述第五NM0S管的漏极；所述第五NM0S管的栅极接所述第六PM0S管的漏极和所述第三NM0S管的栅极和漏极和所述第八NM0S管的栅极和所述第十一 NM0S管的栅极，漏极接所述第四NM0S管的源极，源极接地；所述第六NM0S管的栅极接所述第八PM0S管的漏极和所述第四NM0S管的漏极和所述第十PM0S管的栅极和所述第七NM0S管的栅极，漏极接地，源极接地；所述第九PM0S管的栅极接所述第五PM0S管的栅极和漏极和所述第一 PM0S管的栅极和所述第四PM0S管的栅极和所述第六PM0S管的栅极和所述第七PM0S管的栅极和所述第十一 PM0S管的栅极和所述第二 NM0S管的漏极，漏极接所述第十PM0S管的源极，源极接电源电压VCC ;所述第十PM0S管的栅极接所述第八PM0S管的漏极和所述第四NM0S管的漏极和所述第六NM0S管的栅极和所述第七NM0S管的栅极，漏极接所述第七NM0S管的漏极和所述第九NM0S管的栅极和所述第十二 PM0S管的栅极和所述第十NM0S管的栅极，源极接所述第九PM0S管的漏极；所述第七NM0S管的栅极接所述第十PM0S管的栅极和所述第八PM0S管的漏极和所述第四NM0S管的漏极和所述第六NM0S管的栅极，漏极接所述第十PM0S管的漏极和所述第九NM0S管的栅极和所述第十二 PM0S管的栅极和所述第十NM0S管的栅极，源极接所述第八NM0S管的漏极；所述第八NM0S管的栅极接所述第六PM0S管的漏极和所述第三NM0S管的栅极和漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第十一 NMOS管的栅极，漏极接所述第七NMOS管的源极，源极接地；所述第九NM0S管的栅极接所述第十PM0S管的漏极和所述第七NM0S管的漏极和所述第十二 PM0S管的栅极和所述第十NM0S管的栅极，漏极接地，源极接地；所述第十一 PM0S管的栅极接所述第九PM0S管的栅极和所述第五PM0S管的栅极和漏极和所述第一 PM0S管的栅极和所述第四PM0S管的栅极和所述第六PM0S管的栅极和所述第七PM0S管的栅极和所述第二 NM0S管的漏极，漏极接所述第十二 PM0S管的源极，源极接电源电压VCC ;所述第十二 PM0S管的栅极接所述第十PM0S管的漏极和所述第七NM0S管的漏极和所述第九NM0S管的栅极和所述第十NM0S管的栅极，漏极接所述第十NM0S管的漏极和所述第八PM0S管的栅极和所述第四NM0S管的栅极和所述第十二 NM0S管的栅极和所述第十三PM0S管的栅极和所述第十三NM0S管的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器，其特征在于：包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第六PMOS管、第三NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三PMOS管和第十三NMOS管；所述第一PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极，漏极接所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第一PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的源极，漏极节所述第四PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第四PMOS管的栅极节所述第一PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极节电源电压VCC；所述第五PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；所述第二NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极，源极接所述第一电阻的一端；所述第一电阻的一端接所述第二NMOS管的源极，另一端接地；所述第六PMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第三NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第六PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，源极接地；所述第七PMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第八PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；所述第八PMOS管的栅极接所述第四NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极和所述第十二NMOS管的栅极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极，漏极接所述第四NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第十PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极，源极接所述第七PMOS管的漏极；所述第四NMOS管的栅极接所述第八PMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极和所述第十二NMOS管的栅极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极，漏极接所述第八PMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第十PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极，源极接所述第五NMOS管的漏极；所述第五NMOS管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第八NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，漏极接所述第四NMOS管的源极，源极接地；述第六NMOS管的栅极接所述第八PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第十PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极，漏极接地，源极接地；述第九PMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PM...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：齐盛，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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