一种SiC外延法装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种SiC外延法装置，主要内容为：所述壳体底端中心设有安装孔，底盖安装在壳体底端安装孔里，下保温装置安装在底盖的顶面上，低温热源装置安装在下保温装置的顶面上，所述顶盖安装在壳体顶端，上保温装置安装在顶盖的底面上，高温热源装置安装在上保温装置的底面上，内多孔石墨筒上端安装在高温热源装置底端的圆柱凸台上，其下端安装在低温热源装置顶端的圆柱凸台上，外多孔石墨筒安装在内多孔石墨筒外圆柱面上，碳化硅粉末筒在内多孔石墨筒外圆柱面上，碳化硅籽晶安装在低温热源装置顶面的中心，碳化硅晶体安装在碳化硅籽晶的顶面上，低温热源装置、高温热源装置和内多孔石墨筒围成的空间内充满碳化硅蒸气。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及石墨烯导电银浆制备装置
，具体地说，特别涉及一种SiC外延法装置。
技术介绍
晶硅太阳能电池由于光电转换效率高，材料本身对环境不造成影响，便于工业化及性能稳定，而在太阳能电池领域占主导地位。其中正背面电级的制备技术有光刻、磁控溅射、真空蒸镀、刻槽埋栅及丝网印刷等。而丝网印刷法具有效率高、成本低以及设备简单与耐用的特点，可作为工业化生产太阳能电池的方法。正面电级导电银浆对电池性能如接触电阻Rs、短路电流Isc、开路电压Voc等影响很大，银浆中的银粉大小、形貌、粒度分布，无机黏结剂玻璃料的成分、配比，有机载体的成分，掺杂银浆以及添加剂种类等为影响导电银浆性能的重要参数。传统石墨烯导电银浆制备装置生产出的石墨烯导电银浆导电性差，贵金属银的使用量消耗大，以及附着力低及可焊性差等特性。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种SiC外延法装置，其结构简单，可大幅降低贵金属银的使用量，以及生产出的石墨烯导电银浆具有高附着力及可焊性佳，成本低廉且适合大批量生产。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种SiC外延法装置，包括壳体、碳化硅粉末筒、低温热源装置、底盖、下保温装置、外多孔石墨筒、碳化硅籽晶、碳化硅晶体、内多孔石墨筒、上保温装置、顶盖和高温热源装置；所述壳体底端中心设有安装孔，所述底盖安装在壳体底端安装孔里，所述下保温装置安装在底盖的顶面上且位于壳体内，所述低温热源装置安装在下保温装置的顶面上且位于壳体内，所述顶盖安装在壳体顶端，所述上保温装置安装在顶盖的底面上且位于壳体内，所述高温热源装置安装在上保温装置的底面上且位于壳体内，所述内多孔石墨筒上端安装在高温热源装置底端的圆柱凸台上，其下端安装在低温热源装置顶端的圆柱凸台上，所述外多孔石墨筒安装在内多孔石墨筒外圆柱面上且其下端定位在低温热源装置上，所述碳化硅粉末筒在内多孔石墨筒外圆柱面上且其底面安装在外多孔石墨筒的顶面上，所述碳化硅籽晶安装在低温热源装置顶面的中心，所述碳化硅晶体安装在碳化硅籽晶的顶面上，低温热源装置、高温热源装置和内多孔石墨筒围成的空间内充满碳化硅蒸气。作为优选，所述低温热源装置由进气口、保温外筒、加热管、导流板、第一测温点、出气口、防护罩、第二测温点、接线孔和支架组成，保温外筒外表面底端安装有支架，保温外筒左端设有进气口，导流板安装在保温外筒的内壁上，加热管通过导流板安装在保温外筒内，保温外筒顶端靠近右侧面设有出气口，出气口上安装有第一测温点，加热管右端安装在防护罩内，防护罩位于保温外筒右侧，防护罩底端设有接线孔，加热管右端设有第二测温点。作为优选，所述壳体内壁上设有保温层。作为优选，所述低温热源装置的支架上设有安装孔。本技术与现有技术相比具有以下优点:结构简单，可大幅降低贵金属银的使用量，以及生产出的石墨烯导电银浆具有高附着力及可焊性佳，成本低廉且适合大批量生产。【附图说明】图1为本技术的一种【具体实施方式】的结构示意图；图2为本技术低温热源装置的结构示意图。附图标记说明:1-壳体，2-碳化硅粉末筒，3-低温热源装置，4-底盖，5-下保温装置，6_外多孔石墨筒，7_碳化娃轩晶，8_碳化娃晶体，9-内多孔石墨筒，10-上保温装置，11-顶盖，12-尚温热源装置；301-进气口，302-保温外筒，303-加热管，304-导流板，305-第一测温点，306-出气口，307-防护罩，308-第二测温点，309-接线孔，310-支架。【具体实施方式】下面结合附图及实施例描述本技术【具体实施方式】:如图1和图2所示，一种SiC外延法装置，包括壳体1、碳化硅粉末筒2、低温热源装置3、底盖4、下保温装置5、外多孔石墨筒6、碳化硅籽晶7、碳化硅晶体8、内多孔石墨筒9、上保温装置10、顶盖11和高温热源装置12 ;所述壳体1底端中心设有安装孔，所述底盖4安装在壳体1底端安装孔里，所述下保温装置5安装在底盖4的顶面上且位于壳体1内，所述低温热源装置3安装在下保温装置5的顶面上且位于壳体1内，所述顶盖11安装在壳体1顶端，所述上保温装置10安装在顶盖11的底面上且位于壳体1内，所述高温热源装置12安装在上保温装置10的底面上且位于壳体1内，所述内多孔石墨筒9上端安装在高温热源装置12底端的圆柱凸台上，其下端安装在低温热源装置3顶端的圆柱凸台上，所述外多孔石墨筒6安装在内多孔石墨筒9外圆柱面上且其下端定位在低温热源装置3上，所述碳化硅粉末筒2在内多孔石墨筒9外圆柱面上且其底面安装在外多孔石墨筒6的顶面上，所述碳化硅籽晶7安装在低温热源装置3顶面的中心，所述碳化硅晶体8安装在碳化硅籽晶7的顶面上，低温热源装置3、高温热源装置12和内多孔石墨筒9围成的空间内充满碳化硅蒸气。优选的，所述低温热源装置3由进气口 301、保温外筒302、加热管303、导流板304、第一测温点305、出气口 306、防护罩307、第二测温点308、接线孔309和支架310组成，保温外筒302外表面底端安装有支架310，保温外筒302左端设有进气口 301，导流板304安装在保温外筒302的内壁上，加热管303通过导流板304安装在保温外筒302内，保温外筒302顶端靠近右侧面设有出气口 306，出气口 306上安装有第一测温点305，加热管303右端安装在防护罩307内，防护罩307位于保温外筒302右侧，防护罩307底端设有接线孔309，加热管303右端设有第二测温点308。优选的，所述壳体1内壁上设有保温层。优选的，所述低温热源装置3的支架310上设有安装孔。上面结合附图对本技术优选实施方式作了详细说明，但是本技术不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本技术宗旨的如提下做出各种变化。不脱离本技术的构思和范围可以做出许多其他改变和改型。应当理解，本技术不限于特定的实施方式，本技术的范围由所附权利要求限定。【主权项】1.一种SiC外延法装置，其特征在于:包括壳体、碳化硅粉末筒、低温热源装置、底盖、下保温装置、外多孔石墨筒、碳化硅籽晶、碳化硅晶体、内多孔石墨筒、上保温装置、顶盖和高温热源装置；所述壳体底端中心设有安装孔，所述底盖安装在壳体底端安装孔里，所述下保温装置安装在底盖的顶面上且位于壳体内，所述低温热源装置安装在下保温装置的顶面上且位于壳体内，所述顶盖安装在壳体顶端，所述上保温装置安装在顶盖的底面上且位于壳体内，所述高温热源装置安装在上保温装置的底面上且位于壳体内，所述内多孔石墨筒上端安装在高温热源装置底端的圆柱凸台上，其下端安装在低温热源装置顶端的圆柱凸台上，所述外多孔石墨筒安装在内多孔石墨筒外圆柱面上且其下端定位在低温热源装置上，所述碳化硅粉末筒在内多孔石墨筒外圆柱面上且其底面安装在外多孔石墨筒的顶面上，所述碳化硅籽晶安装在低温热源装置顶面的中心，所述碳化硅晶体安装在碳化硅籽晶的顶面上，低温热源装置、高温热源装置和内多孔石墨筒围成的空间内充满碳化硅蒸气。2.如权利要求1所述的一种SiC外延法装置，其特征在于:所述低温热源装置由进气口、保温外筒、加热管、导流板、第一测温点、出气口、防护罩、第二测温点、接线孔和支架组成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SiC外延法装置，其特征在于：包括壳体、碳化硅粉末筒、低温热源装置、底盖、下保温装置、外多孔石墨筒、碳化硅籽晶、碳化硅晶体、内多孔石墨筒、上保温装置、顶盖和高温热源装置；所述壳体底端中心设有安装孔，所述底盖安装在壳体底端安装孔里，所述下保温装置安装在底盖的顶面上且位于壳体内，所述低温热源装置安装在下保温装置的顶面上且位于壳体内，所述顶盖安装在壳体顶端，所述上保温装置安装在顶盖的底面上且位于壳体内，所述高温热源装置安装在上保温装置的底面上且位于壳体内，所述内多孔石墨筒上端安装在高温热源装置底端的圆柱凸台上，其下端安装在低温热源装置顶端的圆柱凸台上，所述外多孔石墨筒安装在内多孔石墨筒外圆柱面上且其下端定位在低温热源装置上，所述碳化硅粉末筒在内多孔石墨筒外圆柱面上且其底面安装在外多孔石墨筒的顶面上，所述碳化硅籽晶安装在低温热源装置顶面的中心，所述碳化硅晶体安装在碳化硅籽晶的顶面上，低温热源装置、高温热源装置和内多孔石墨筒围成的空间内充满碳化硅蒸气。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：秦崇德，方结彬，石强，黄玉平，何达能，陈刚，
申请(专利权)人：广东爱康太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44