本发明专利技术公开了一种具有间断式CBL的LED结构，从下到上依次包括衬底（1）、N型GaN层（2）、量子阱（3）、P型GaN层（4）、CBL结构（5）、透明导电层（6）、P电极（7），所述的CBL结构（5）包括在P型GaN层（4）上表面延伸的条状部（51）、与所述的条状部（51）一端部相连的环状部（52），所述的条状部（51）被蚀刻为复数个相互间隔开的单元，所述的P电极（7）穿过环状部（52）的中心与P型GaN层（4）相连。与现有技术相比，本发明专利技术CBL断开的部分以利于电流从电极流到外延层表面，从而增加CBL部分的电流密度，从而降低芯片的VF，提升亮度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电子发光器件领域。
技术介绍
现有技术中，为了达到很好的电流扩展效果，通常在LED结构中会有一道CBL工艺，即Si02改善电流扩展效果，然而此类设计会产生CBL下方电流很差的情况，其结果是CBL下方的光效很差，为了改善这种情况，必须针对现有技术中的CBL结构做出改善。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种全新的具有间断式CBL的LED结构，从而解决现有技术中CBL下方的光效很差的问题。为了达到以上目的，本专利技术提供了一种具有间断式CBL的LED结构，从下到上依次包括衬底、N型GaN层、量子阱、P型GaN层、CBL结构、透明导电层、P电极，所述的CBL结构包括在P型GaN层上表面延伸的条状部、与所述的条状部一端部相连的环状部，所述的条状部被蚀刻为复数个相互间隔开的单元，所述的P电极穿过环状部的中心与P型GaN层相连。作为本专利技术进一步的改进，所述的P电极的形状与CBL结构的形状相同，并且覆盖于包括条状部的间隔位置、环状部的中心位置的CBL结构的上方。作为本专利技术进一步的改进，所述的透明导电层覆盖了 P型GaN层、CBL结构上方的除环状部的中心位置以外全部区域。作为本专利技术进一步的改进，每个相互间隔开的单元的尺寸为10um。作为本专利技术进一步的改进，各个单元之间的间隔尺寸为3um。与现有技术相比，本专利技术CBL断开的部分以利于电流从电极流到外延层表面，从而增加CBL部分的电流密度，从而降低芯片的VF，提升亮度。【附图说明】图1为根据本专利技术的具有间断式CBL的LED结构的结构示意图； 图2为根据本专利技术的具有间断式CBL的LED结构的俯视图(不含电极)； 图3根据本专利技术的具有间断式CBL的LED结构的光效图(含电极)。【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。参见附图1和附图2所示，为本专利技术的具有间断式CBL的LED结构，从下到上依次包括衬底1、N型GaN层2、量子阱3、P型GaN层4、CBL结构5、透明导电层6、P电极7，CBL结构5包括在P型GaN层4上表面延伸的条状部51、与条状部51 —端部相连的环状部52，条状部51被蚀刻为复数个相互间隔开的单元，透明导电层6覆盖了 P型GaN层4、CBL结构5上方的除环状部52的中心位置以外全部区域，P电极7的形状与CBL结构5的形状相同，并且覆盖于包括条状部51的间隔位置、环状部52的中心位置的CBL结构5的上方，P电极7穿过环状部52的中心与P型GaN层4相连，这样设计的目的是P电极7与P型GaN层4的材料间结合力较强，否则会出现P电极7脱落的情况。此种CBL设计材料采用常规Si02材料，但特点为间断式，其为在光刻步骤中，在光罩上做成间断的图形采用蚀刻的方式制备。此类间断式CBL设计，整体由Si02制备，空白区域无Si02，CBL断开的部分以利于电流从电极流到外延层表面，从而增加CBL部分的电流密度，从而降低芯片的VF，并且出光时可以从此处透射从而提升亮度。作为一个经过验证的较佳的实施例，每个相互间隔开的单元的尺寸为lOum，各个单元之间的间隔尺寸为3um。附图3是间断式CBL的发光示意图，可以看到该结构的发光有明显提升(图中黑色区域)，图中白色区域为低亮度区域。可以看到，在该结构中，P电极位于芯片的一个角落，而N电极(图中另一白色区域)则采用与P电极相同的形状，并且与P电极采用中心对称位置设置。以上实施方式只为说明本专利技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本专利技术的内容并加以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围，凡根据本专利技术精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围内。【主权项】1.一种具有间断式CBL的LED结构，从下到上依次包括衬底(1)、N型GaN层(2)、量子阱(3)、P型GaN层(4)、CBL结构(5)、透明导电层(6)、P电极(7)，其特征在于:所述的CBL结构(5)包括在P型GaN层(4)上表面延伸的条状部(51)、与所述的条状部(51) —端部相连的环状部(52)，所述的条状部(51)被蚀刻为复数个相互间隔开的单元，所述的P电极(7)穿过环状部(52)的中心与P型GaN层(4)相连。2.根据权利要求1所述的具有间断式CBL的LED结构，其特征在于:所述的P电极(7)的形状与CBL结构(5)的形状相同，并且覆盖于包括条状部(51)的间隔位置、环状部(52)的中心位置的CBL结构(5)的上方。3.根据权利要求1所述的具有间断式CBL的LED结构，其特征在于:所述的透明导电层(6 )覆盖了 P型GaN层(4 )、CBL结构(5 )上方的除环状部(52 )的中心位置以外全部区域。4.根据权利要求1所述的具有间断式CBL的LED结构，其特征在于:每个相互间隔开的单元的尺寸为10um。5.根据权利要求4所述的具有间断式CBL的LED结构，其特征在于:各个单元之间的间隔尺寸为3um。【专利摘要】本专利技术公开了一种具有间断式CBL的LED结构，从下到上依次包括衬底（1）、N型GaN层（2）、量子阱（3）、P型GaN层（4）、CBL结构（5）、透明导电层（6）、P电极（7），所述的CBL结构（5）包括在P型GaN层（4）上表面延伸的条状部（51）、与所述的条状部（51）一端部相连的环状部（52），所述的条状部（51）被蚀刻为复数个相互间隔开的单元，所述的P电极（7）穿过环状部（52）的中心与P型GaN层（4）相连。与现有技术相比，本专利技术CBL断开的部分以利于电流从电极流到外延层表面，从而增加CBL部分的电流密度，从而降低芯片的VF，提升亮度。【IPC分类】H01L33/14, H01L33/38【公开号】CN105261684【申请号】CN201510763619【专利技术人】夏健, 孙智江 【申请人】海迪科（南通）光电科技有限公司【公开日】2016年1月20日【申请日】2015年11月11日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有间断式CBL的LED结构，从下到上依次包括衬底（1）、N型GaN层（2）、量子阱（3）、P型GaN层（4）、CBL结构（5）、透明导电层（6）、P电极（7），其特征在于：所述的CBL结构（5）包括在P型GaN层（4）上表面延伸的条状部（51）、与所述的条状部（51）一端部相连的环状部（52），所述的条状部（51）被蚀刻为复数个相互间隔开的单元，所述的P电极（7）穿过环状部（52）的中心与P型GaN层（4）相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：夏健，孙智江，
申请(专利权)人：海迪科南通光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。