本发明专利技术涉及大规模集成电路，为达到高摆率，同时提高放大器的PSRR和CMRR。为此，本发明专利技术采取的技术方案是，适用于超宽带微波检测的低功耗高摆率运算放大器，由Recycling folded cascode放大级、摆率增强级和PSRR增强输出级组成；由Recycling folded cascode放大级输入差模信号Vin-和Vin+，经过cascode电流镜的摆率增强作用后，最终经过PSRR增强输出级到输出端Vout。本发明专利技术主要应用于大规模集成电路的设计制造。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及大规模集成电路，低压低功耗，超宽带微波检测，摆率，运算放大器，具体讲，涉及适用于超宽带微波检测的低功耗高摆率运算放大器。
技术介绍
低压低功耗宽带运算放大器始终是低功耗模拟电路很活跃的研究领域。关于超宽带(UWB)微波检测的研究最近也非常活跃。超宽带微波的应用要求放大器具有很高的信号抗干扰能力和高速度处理的特性。所以这就不能采用多级运算放大器，因为其带宽会随着增益级数的增加而降低，只能采用单级运算放大器。然而单级放大器的性能参数(增益、摆率和带宽等参数)会随着驱动能力的提高而增加功耗和面积，甚至降低放大器的稳定性。许多跨导运算放大器的带宽增强技术可以广泛应用于检测电子设备，例如:超宽带(UWB)微波检测、乳腺肿瘤检测设备、无线通信等设备中。近些年来由于市场的急剧扩大导致低压低功耗的产品走向小尺寸化、高度集成化，所以这就极大地限制了其在低压低功耗多级运算放大器电路的应用。
技术实现思路
本专利技术意在弥补现有技术的不足，为达到高摆率，同时提高放大器的PSRR和CMRR。为此，本专利技术采取的技术方案是，适用于超宽带微波检测的低功耗高摆率运算放大器，由Recycling folded cascode放大级、摆率增强级和PSRR增强输出级组成；由Recycling folded cascode放大级输入差模信号Vin-和Vin+，经过cascode电流镜的摆率增强作用后，最终经过PSRR增强输出级到输出端Vout。Recycling folded cascode放大级包括输入跨导gml和cascode电流镜。摆率增强级增强环路包括晶体管M3a-M3c、M4a-M4c、Mlla-Mllb、M12a-M12b ；PSRR增强输出级包括晶体管M5-M10。Recycling folded cascode 放大级由 PMOS 晶体管 Mla、Mlb、M2a、M2b、M5、M6、M7、M8、M9、M10 和 NMOS 晶体管 Mlla、Mllb、M12a、M12b、M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c 组成。输入跨导级gml由PMOS晶体管Mla、Mlb、M2a、M2b组成。cascode电流镜由NMOS晶体管Mila、Mllb、M12a、M12b、M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c 组成。具体的实施电路如下:所述的放大器由第一至第^^一 PMOS晶体管MO、Mia, Mlb,M2a、M2b、M5、M6、M7、M8、M9、M10 以及第一至第十 NMOS 晶体管 Mlla、Mllb、M12a、M12b、M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c 共二^^一个 MOS 晶体管构成；其中:第一、第六、第七PMOS晶体管M0、M5、M6的源极共同接供电电源VDD ;所有PMOS晶体管MO、Mia, Mlb、M2a、M2b、M5、M6、M7、M8、M9、MlO的衬底端接供电电源VDD ;第一至第十NMOS 晶体管 Mlla、Mllb、M12a、M12b、M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c 的衬底接地 GND ;第五至第十NMOS晶体管M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c的源极共同接地GND ；第一 PMOS晶体管MO的栅极接第一偏置电压Vbl，漏极接第二至第五PMOS晶体管Mla、Mlb、M2a、M2b的源极；第二至第三PMOS晶体管Mla、Mlb的栅极接输入端Vp ;第四至第五PMOS晶体管M2a、M2b的栅极接输入端Vn ；第二 PMOS晶体管Mla的漏极、第五NMOS晶体管M3a的漏极共同接第十PMOS晶体管M9的漏极和第九PMOS晶体管M8的栅极；第四PMOS晶体管M2a的漏极、第八NMOS晶体管M4a的漏极共同接第i^一 NMOS晶体管MlO的漏极和第八PMOS晶体管M7的栅极；第三PMOS晶体管Mlb的漏极、第四NMOS晶体管M12b的漏极、第八至第九NMOS晶体管M4a、M4b的栅极共同接第三NMOS晶体管M12a的漏极；第五PMOS晶体管M2b的漏极、第二 NMOS晶体管Mllb的漏极、第五至第六NMOS晶体管M3a、M3b的栅极共同接第一 NMOS晶体管Mlla的漏极；第一 NMOS晶体管Mlla的源极接第六NMOS晶体管M3b的漏极；第三NMOS晶体管M12a的源极接第九NMOS晶体管M4b的漏极；第一至第四NMOS晶体管Ml la、Mllb、M12a、M12b的栅极共同接第二偏置电压Vb2 ;第七、第十NMOS晶体管M3c、M4c的栅极接第三偏置电压Vb3 ;第六、第七PMOS晶体管M5、M6的栅极共同接第八PMOS晶体管M7的漏极和第十PMOS晶体管M9的源极；第十、第i^一 PMOS晶体管M9、M10的栅极共同接第三偏置电压Vb3 ;第六PMOS晶体管M5的漏极接第八PMOS晶体管M7的源极；第七PMOS晶体管M6的漏极接第九PMOS晶体管M8的源极；第九PMOS晶体管M8的漏极、第^^一 PMOS晶体管MlO的源极共同接输出端Vout。本专利技术的技术特点及效果:本专利技术提出了一种用于超宽带微波检测的低功耗高摆率运算放大器，基于原有的Recycling Folded cascode放大器，本文采用撕裂cascode电流镜的输入端，更小的输入电流来倍增输出电流，从而增加输出端的压摆率，达到高摆率的目的。同时采用正反馈的环路来分别抑制共模信号和电源的纹波，进而提高放大器的PSRR和CMRR。于是放大器的带宽随之就增加。最终实现在同等芯片面积的条件下，提高放大器的压摆率(SR)和PSRR。【附图说明】本专利技术上述的优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中:图1运算放大器的电路图。【具体实施方式】为了克服现有技术的不足之处，本专利技术提出了一种用于超宽带微波检测的低功耗高摆率运算放大器，基于原有的Recycling Folded cascode放大器，本文采用撕裂cascode电流镜的输入端，更小的输入电流来倍增输出电流，从而增加输出端的压摆率，达到高摆率的目的。同时采用正反馈的环路来分别抑制共模信号和电源的纹波，进而提高放大器的PSRR和CMRR。于是放大器的带宽随之就增加。最终实现在同等芯片面积的条件下，提高放大器的压摆率(SR)和PSRR。本专利技术提出了一种用于超宽带微波检测的低功耗高摆率运算放大器，所述的放大器由Recycling folded cascode放大级、摆率增强级和PSRR增强输出级组成。Recyclingfolded cascode放大级包括输入跨导gml和cascode电流镜。摆率增强级增强环路包括晶体管 M3a-M3c、M4a_M4c、Mlla-Mllb、M12a_M12b ；PSRR 增强输出级包括晶体管 M5-M10。Recycling folded cascode 放大级由 PMOS 晶体管 Mla、Mlb、M2a、M2b、M5、M6、M7、M8、M9、M10 和 NMOS 晶体管 Mlla、Mllb、M12a、M12b、M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c 组成。输入跨导级gml由PMOS晶体管Mla、Mlb、M2a、M2b组成。cascode电流镜由NMOS晶体管Mila、Ml本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种适用于超宽带微波检测的低功耗高摆率运算放大器，其特征是，由Recycling folded cascode放大级、摆率增强级和PSRR增强输出级组成；由由Recycling folded cascode放大级输入差模信号Vin‑和Vin+，经过cascode电流镜的摆率增强作用后，最终经过PSRR增强输出级到输出端Vout。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：肖夏，张庚宇，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12
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