(a)准备压电基板(22)和支撑基板(27)，(b)通过粘合层(26)将它们接合，成为复合基板(20)，(c)研磨压电基板(22)中与支撑基板(27)接合的面的相对侧的面，将压电基板(22)减薄。(d)接着，通过从压电基板(22)中与支撑基板(27)接合的面相对侧的面，将复合基板(20)半切割，形成将压电基板(22)分割为压电设备用大小的沟槽(28)。而且，通过形成沟槽(28)，粘合层(26)从沟槽(28)内露出。(e)、(f)然后，通过将复合基板(20)浸渍在溶剂中，用溶剂将粘合层(26)除去，从而将压电基板(22)从支撑基板剥离，(g)使用剥离后的压电基板(12)得到压电设备(10)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及压电设备的制造方法、压电设备以及压电自立基板。
技术介绍
过去已知晓QCM(Quartz Crystal Microbalance，石英晶体微天平）传感器等晶体 振子和弹性波设备等压电设备。对于这样的压电设备，由于压电基板越薄，设备的灵敏度越 高，因此提出了在保持压电基板的强度的同时减薄压电基板的压电设备。例如，专利文献1 中记载了这样的晶体振子，其作为压电基板的水晶被制成仅剩周边部分的薄板。 图6为专利文献1中记载的晶体振子的概略截面图。该晶体振子90具备水晶板 92、分别形成于水晶板92的正反面的电极94、95和覆盖水晶板92的上表面以及电极94的 表面的树脂制防破损膜96。该晶体振子90中，在水晶板92的下表面侧残留有周边部92a， 通过蚀刻形成有孔92b。此外，电极95形成于该孔92b的底面92c。这样，晶体振子90能 够通过周边部92a保持水晶板90的强度，同时减薄水晶板90的中央部的厚度（=电极94、 95间的距离），提高检验灵敏度。此外，通过具备防破损膜96,可以防止晶体振子90在运输 中或使用中等的破损。 【现有技术文献】 【专利文献】 【专利文献1】日本专利特开2003-222581号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题 但是，如图6所示的晶体振子由于水晶板92具有周边部92a即较厚部分，因此有 产生向周边部92a的振动泄漏，压电设备的Q值恶化的问题。此外，即使想要做出具备没有 周边部92a的结构的压电基板的压电设备，如果采用研磨压电基板单板使其变薄的以往的 制造方法的话，研磨时或之后的制造工序等中，压电基板有时会产生破裂，薄板化是有限度 的。 本专利技术是为了解决这样的问题而作出的，以抑制压电设备的特性恶化的同时将压 电基板薄板化为主要目的。 解决问题的手段 本专利技术为达成上述的主要目的，采用以下的手段。 本专利技术的压电设备的制造方法为， 包含（a)准备压电基板和支撑基板的工序； (b)将上述压电基板和上述支撑基板通过粘合层接合，成为复合基板的工序；（c)研磨 上述压电基板中与上述支撑基板的接合面的相对侧的面，将该压电基板减薄的工序； (d)通过将上述复合基板切割成片，或从上述压电基板中与上述支撑基板的接合面相 对侧的面将上述复合基板半切割，将该压电基板分割为压电设备用大小的工序； (e) 将进行过上述切割成片或上述半切割之后的上述复合基板浸渍在溶剂中，通过该 溶剂除去上述粘合层，将上述压电基板从上述支撑基板剥离的工序；以及 (f) 使用从上述支撑基板剥离的压电基板得到压电设备的工序。 本专利技术的压电设备是通过上述本专利技术的压电设备的制造方法制造的压电设备。 本专利技术的压电自立基板的厚度为0. 2μηι以上5μηι以下，长度和宽度为 0.1 mmXO· 1mm 以上，TTV (Total Thickness Variation，总厚度变化）为 0· 1 μ m 以下。 专利技术的效果 本专利技术的压电设备的制造方法中，首先将准备好的压电基板和支撑基板通过粘合 层接合，成为复合基板，通过研磨上述压电基板中与上述支撑基板的接合面的相对侧的面， 将压电基板减薄。像这样，由于在与支撑基板接合的状态下研磨压电基板，能够抑制研磨时 压电基板的破裂等，将压电基板更加薄板化。接着，通过将复合基板切割成片，或从压电基 板中与支撑基板的接合面相对侧的面将复合基板半切割，从而将该压电基板分割为压电设 备用的大小。然后，通过将复合基板浸渍在溶剂中，用溶剂将粘合层除去，从而将压电基板 从支撑基板剥离，使用剥离后的压电基板得到压电设备。像这样，通过切割成片或半切割， 增加了粘合层的露出面积，因此之后将复合基板浸渍在溶剂中时，溶剂能更有效地除去粘 合层。此外，由于压电基板通过切割成片或半切割被预先分割为压电设备用的大小，因此通 过除去粘合层，从支撑基板剥离，剥离后的压电基板可以直接用于压电设备。像这样，与剥 离后将压电基板单体切割成片的情况相比，即使剥离后的压电基板较薄，压电基板也不易 产生破裂等。通过这样的制造方法，可以得到不具有图6的周边部92a那样的厚的部分、更 加薄板化的压电设备用的压电自立基板。其结果是，通过本专利技术的压电设备的制造方法制 造的压电设备可以抑制例如周边部92a的存在导致的特性的恶化，同时可以高灵敏度化。 另外，压电自立基板是指不通过支撑基板等支撑的压电基板。 此外，本专利技术的压电自立基板的厚度为0. 2 μπι以上5 μπι以下，长度和宽度为 0· ImmXO. 1mm以上，TTV为0· 1 μπι以下。这样的压电自立基板由于没有周边部92a那样的 厚的部分，更为薄板化，所以通过使用这样的压电自立基板，能够抑制特性的恶化，同时得 到薄板化（高灵敏度化）的压电设备。本专利技术的压电自立基板是通过上述本专利技术的压电设 备的制造方法的工序（a)~（e)才首次得到的。此外，压电自立基板的厚度为5 μπι以下是 指，压电自立基板中不存在厚度超过5 μπι的部分（例如，如图6的周边部92a那样的一部 分的厚度超过5 μπι的部分不存在于压电自立基板中）。【附图说明】 【图1】示意性地显示本实施方式的压电设备10的截面图。 【图2】示意性地显示压电设备10的制造工序的斜视图。 【图3】示意性地显示压电设备10的制造工序的截面图。 【图4】示意性地显示变形例的压电设备10的制造工序的截面图。 【图5】示意性地显示变形例的压电设备10的制造工序的截面图。 【图6】以往的结构的晶体振子90的概略截面图。 符号说明 10压电设备、12压电基板、14,15电极、16粘合层、17支撑基板、14a导线、20, 20a复合 基板、22压电基板、26粘合层、27支撑基板、28沟槽、29孔、90晶体振子、92水晶板、92a周 边部、92b孔、92c底面、94,95电极、96防破损膜。【具体实施方式】 以下，基于附图对本专利技术的实施方式进行说明。图1是示意性地显示本实施方式 的压电设备10的截面图。该压电设备10具备压电基板12、形成于压电基板12的第1面 (图1的上表面）的第1电极14和形成于压电基板12的第2面（图1的下表面）的第2 电极15。本实施方式中，该压电设备10是QCM传感器，但也可以构成其他弹性波设备等任 何压电设备。 压电基板12是由压电体构成的基板。作为该压电基板12的材质，可举例如钽酸 锂（LT)、铌酸锂（LN)、铌酸锂-钽酸锂固溶体单晶、水晶、硼酸锂、氧化锌、氮化铝、硅酸镓镧 (LGS)、钽酸镓镧（LGT)等。压电基板12优选为单晶基板。压电基板12通过为单晶基板，可 提高作为压电设备的Q值。本实施方式中，压电设备10为QCM传感器，因此压电基板12的 材质为水晶。另外，例如压电设备10构成弹性波设备的情况下，优选为LT或LN。这是因为 LT和LN的弹性表面波的传播速度快，机电耦合系数大，因而适合用作高频率且宽频带频率 用的弹性波设备。该压电基板12的长宽例如为0. 1_X0. 1_以上，但并不特别限定于此。 另外，压电基板12的长宽可以在例如ImmX 1mm以上，2mmX 2mm以上，也可以在10mmX 10mm 以下，8mmX8mm以下，5mmX5mm以下。通过切割成片或半切割得至lj压本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种压电设备的制造方法，其包括：(a)准备压电基板和支撑基板的工序；(b)将所述压电基板和所述支撑基板通过粘合层接合，作成复合基板的工序；(c)研磨所述压电基板中与所述支撑基板接合的面的相对侧的面，将该压电基板减薄的工序；(d)通过将所述复合基板切割成片，或从所述压电基板中与所述支撑基板接合的面相对侧的面将所述复合基板半切割，从而将该压电基板分割为压电设备用大小的工序；(e)将进行过所述切割成片或所述半切割之后的所述复合基板浸渍在溶剂中，利用该溶剂除去所述粘合层，从而将所述压电基板从所述支撑基板上剥离的工序；和(f)使用从所述支撑基板上剥离的压电基板得到压电设备的工序。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：多井知义，堀裕二，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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