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一种包含有稠环化合物和金属有机配合物的电致发光器件制造技术

技术编号:12668431 阅读:141 留言:0更新日期:2016-01-07 12:45
本发明专利技术为一种包含有稠环化合物和金属有机配合物的电致发光器件,涉及一种新型的包含一主体材料和金属有机配合物的电致发光器件,其中主体材料的基态自旋量子数为1,且Δ(S1-T1)≥0.75eV,金属配合物的基态的自旋量子数为2。特别是有机发光二极管,发光电池,从而为用于显示器件,照明及其他场合中的技术增加了一种选项。本发明专利技术的还涉及此电致发光器件的制备方法,特别是基于溶液的制备方法.本发明专利技术的还提供此电致发光器件的各种应用。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】一种包含有稠环化合物和金属有机配合物的电致发光器件 所属
: 本专利技术涉及一种包含有稠环化合物和金属有机配合物的电致发光器件,特别是 有机发光二极管,及其器件结构,其生产方法及其在照明和显示技术及其他场合中的应 用。
技术介绍
: 有机发光器件,特别是有机发光二极管(OLED)(参见TANG等Appl. Phys. Lett. 1987, 51,p913),由于其自主发光,高亮度,丰富的通过化学合成对颜色的可调性, 柔性等成为目前最有希望的下一代显示及照明技术。特别是它们可能通过打印的方法,如 喷墨打印(InkJet Printing),丝网印刷(Screen Printing)等技术从溶液中成膜,从而 可大大降低制造成本,因此对大屏幕显示器和照明器就特别有吸引力。 基于小分子的OLED性能已有长足的进步,已达到商业化的阶段。但整体OLED的 性能,特别是效率,寿命仍需提高。目前高效率的OLED -般通过磷光发光材料来实现,但只 限于绿光和红光磷光0LED,稳定高效的蓝光磷光OLED还没有实现。这是因为除了缺乏稳定 的蓝光磷光发光材料外,与之相应的主体材料必须具有很大三线态能级,否则蓝光磷光发 光材料上的三线态激子会转移到主体上而产生淬灭效应;同时与发光层相邻的空穴传输层 (HTL),电子传输层(ETL),或激子阻挡层(ExBL)也必须有比蓝光磷光发光体大的三线态能 级。这就使对这些功能层的材料设计和合成带来很大的挑战。用于蓝光荧光OLED的主体 材料一般是包含有稠环化合物,典型的如基于蒽的化合物,这类化合物的稳定性非常好,但 三线态能级很低,当用于磷光OLED的发光层或于发光层相邻的ETL或HTL时,它会淬灭磷 光发光体的发光。因此,人们总是希望,有新的材料组合或技术出现,能弥补现有技术的缺 陷。
技术实现思路
本专利技术提供一种新型的电致发光器件,,包含1) 一发光层,其中至少包含一主体 材料,其基态的自旋量子数为1,且A (Sl-Tl)多0.75eV,和一金属配合物,其基态的自旋量 子数为2 ;2)布置于功能层一侧的阳电极;3)布置于功能层另一侧的阴电极。所述的电致 发光器件可选自有机发光二级管,量子点发光二级管,发光电池等。按照本专利技术的电致发光 器件扩展了可用于显示器件,照明及其他场合中的技术选项。本专利技术的第二个目的是提供 此电致发光器件的制备方法,特别是基于溶液的制备方法.本专利技术的第三个目的是提供此 电致发光器件的各种应用。 附图简述 图1是按照本专利技术的一种发光器件结构。图中101.基板,102.阳极,103. EML,104. 阴极。 图2是按照本专利技术的一种优先的发光器件结构图。图中201.基板,202.阳极,203. EML,204.阴极,205. HIL 或 HTL 或 EBL 或 ExBL。 图3是按照本专利技术的另一种优先的发光器件结构图。图中301.基板,302.阳极, 303. EML,304.阴极,305. EIL 或 ETL 或 HBL 或 ExBL。 图4是按照本专利技术的一种优先的发光器件结构图。图中401.基板,402.阳极,403. EML,404.阴极,405. EIL 或 ETL 或 HBL 或 ExBL,406. HIL 或 HTL 或 EBL 或 ExBL。 其中ML表示空穴注入层,HTL表示空穴传输层,HBL表示空穴阻挡层,EE表示电 子注入层,ETL表不电子传输层,EBL表不电子阻挡层,EML表不发光层,ExBL表不激子阻挡 层。 专利技术的详细描述 应当认识到,以下所做的描述和显示的具体实施是本专利技术的实例,并不意味着以 任何方式另外限制本专利技术的范围。实际上,出于简洁的目的,在此可能没有详细描述常规电 子器件、制造方法、半导体器件,以及纳米晶体、纳米线(NW)、纳米棒、纳米管和纳米带技术, 相关的有机材料,以及系统的其它功能。 本专利技术提供一种新型的电致发光器件,包含 1) 一发光层,其中至少包含一主体材料,其基态的自旋量子数为1,且 Δ (Sl-Tl)彡0. 75eV,和一金属配合物,其基态的自旋量子数为2 ; 2)布置于功能层一侧的阳电极; 3)布置于功能层另一侧的阴电极。 其中Sl是单线态能级,Tl是三线态能级。 在一个一般的实施例中,按照本专利技术的发光器件有图1所示的结构图,包含有基 板(101),阳极(102),发光层(103),阴极(104)。基板(101)也可以位于阴极(104)的一 侦k在种器件中,功能层只有发光层。 较好的,按照本专利技术的发光器件,还包含有其他功能层。 在一个优先的实施例中,按照本专利技术的发光器件有图2所示的结构图,包含有基 板(201),阳极(202),发光层(203),阴极(204),及位于发光层和阳极之间的HIL或HTL或 EBL或ExBL(205)。基板(201)也可以位于阴极(204)的一侧。 在另一个优先的实施例中,按照本专利技术的发光器件有图3所示的结构图,包含有 基板(301),阳极(302),发光层(303),阴极(304),及位于发光层和阴极之间的EIL或ETL 或HBL或ExBL(305)。基板(301)也可以位于阴极(304)的一侧。 在另一个特别优先的实施例中,按照本专利技术的发光器件有图4所示的结构图,包 含有基板(401),阳极(402),发光层(403),阴极(404),位于发光层和阴极之间的EIL或 ETL或HBL(405),及位于发光层和阳极之间的HIL或HTL或EBL或ExBL(406)。基板(401) 也可以位于阴极(404)的一侧。 另外可能的按照本专利技术的发光器件的结构的例子为,但不限于,阳极/HIL/HTL/ EML/ 阴极,阳极 /HIL/HTL/EML/ETL/ 阴极,阳极 /HIL/HTL/EML/ETL/EIL/ 阴极,阳极 /HIL/ HTL/EBL/EML/ETL/EIL/ 阴极,阳极 /HIL/HTL/EBL/EML/ETL/ 阴极,阳极 /HIL/HTL/EBL/ EML1/EML2/ETL/EIL/ 阴极,阳极 /EML/ETL/EIL/ 阴极,阳极 /HIL/HTL/EBL/EML/HBL/ETL/ EIL/阴极等。 以上所述的器件中,HIL或HTL或EBL或EML或ETL或EIL或ExBL的厚度的范围 可以从5-1000nm,较好是10-800nm,更好是10-500nm,最好是10-lOOnm。 电致发光器件是指在电场的作用下会发光的器件。在某些实施方案中,本专利技术的 电致发光器件的发光波长范围从UV到近红外,较好的从350nm到850nm,更好的从380nm到 800nm,最好是从 380nm 到 680nm。 在一个优先的实施例中,本专利技术的电致发光器件是有机发光二极管OLED。 -般来说,在发光层(EML)中,主体材料,是占多数的组份。发光体在发光层中的 比例为l_25wt %,$父好是2-20wt %,更好是3-15wt %,最好是5-10wt %。 在一个实施方案中,发光层还包含另一种基质材料。当发光层的基质包含有两种 基质材料时,两者的重量比例为从1:5到5:1,较好是1:4到4:1,更好是1:3到3:1,最好是 1:2到2:1。其中可以是一种无机本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种电致发光器件,包含1)一发光层,其中至少包含一主体材料,其基态的自旋量子数为1,且Δ(S1‑T1)≥0.75eV,和一金属配合物,其基态的自旋量子数为2;2)布置于功能层一侧的阳电极;3)布置于功能层另一侧的阴电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:潘才法其他发明人请求不公开姓名
申请(专利权)人:潘才法
类型:发明
国别省市:浙江;33

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