基板处理设备制造技术

本发明专利技术构思提供了一种基板处理设备。所述设备包括处理腔室、基板支撑单元、气体供应单元、微波施加单元、天线板、慢波板、介电板、排气挡板以及内衬。所述内衬包括：本体，所述本体具有面向所述处理腔室的内侧壁的环形形状；和凸缘，所述凸缘从所述本体延伸至所述处理腔室的壁部内。所述凸缘防止微波的电场以及处理气体被提供到处理腔室与本体之间的间隙内。这样，有可能抑制由于处理腔室的内侧壁受到等离子体的损伤而生成微粒，且微粒的漂移距离可以被减小以抑制微粒到达基板。

【技术实现步骤摘要】
基板处理设备
本专利技术构思涉及一种基板处理设备，尤其涉及一种使用等离子体处理基板的设备。
技术介绍
等离子体由极高温度、强电场或射频(RF)电磁场产生。等离子体是指由离子、电子、和/或自由基等构成的离子化气体状物质。制作半导体装置时，可以使用等离子体进行各种处理过程。例如，可以通过使包含在等离子体中的离子微粒与基板发生碰撞进行刻蚀过程。图1为示出了通过微波方式产生等离子体的普通基板处理设备的内衬2和处理腔室的内侧壁1等部分的剖视图。参见图1，内衬2通常沿着处理腔室的内侧壁1提供，以便保护处理腔室的内侧壁1免受等离子体的损伤。然而，由于加工公差，在处理腔室的内侧壁1与内衬2之间可能会形成间隙3，微波的电场4和处理气体5可能会进入到间隙3中。这样，处理腔室的内侧壁1可能会受到等离子体的损伤而生成微粒6。此外，进入到间隙3中的处理气体5的流动会使微粒6的漂移距离增加，这样微粒6可能会到达基板。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例可以提供一种能够保护处理腔室的内侧壁以抑制微粒生成的设备。本专利技术构思的实施例还可以提供一种能够减小微粒的漂移距离以防止基板污染的设备。一方面，基板处理设备包括：处理腔室，所述处理腔室具有在其内部限定的处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元在处理腔室内支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将处理气体供应至处理腔室；介电板，所述介电板提供为处理空间的顶壁；天线板，所述天线板设置在介电板上；微波施加单元，所述微波施加单元向天线板施加微波；以及内衬，所述内衬安装在处理腔室的内侧壁上。所述内衬包括：本体，所述本体具有面向处理腔室的内侧壁的环形形状；和凸缘，所述凸缘从本体的外侧壁延伸到处理腔室的壁部内。在实施例中，所述凸缘可以包括多个彼此垂直(vertically)间隔开的凸缘。在实施例中，所述凸缘可以提供在内衬的顶端部的外侧壁上。在实施例中，所述凸缘的表面可以由介电材料形成。在实施例中，所述凸缘可以包括：基部，所述基部由金属材料形成；以及介电层，所述介电层涂覆在所述基部的表面上。附图说明通过下述附图和详细描述，本专利技术构思将更加显而易见。图1为示出了普通基板处理设备的内衬和处理腔室的内侧壁等部分的剖视图；图2为示出了本专利技术构思的实施例的基板处理设备的剖视图；图3为示出了图2的天线板的下表面的仰视图；图4为示出了图2的内衬和处理腔室的内侧壁等部分的剖视图。具体实施方式现将参照附图详细描述本专利技术构思，其中，在附图中示出了本专利技术构思的示例性实施例。通过下文中将参照附图进行详细描述的示例性实施例，本专利技术构思的优势和特征以及实现它们的方法将是显而易见的。然而应该注意的是，本专利技术构思不限于下述示例性实施例，其也可以以其他多种形式来实施。因此，下述示例性实施例仅被提供为公开本专利技术构思，并使本领域技术人员了解本专利技术构思的类型。在附图中，本专利技术构思的实施例不限于本文所提供的具体实施例，为清楚起见，这些实施例可以放大。本文所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限定本专利技术。如本文所使用的单数形式的术语“一个”和“该/所述”还包含复数形式，除非上下文清楚指出并非如此。如本文所使用的术语“和/或”包括所列出的相关项目中的任意一个或多个、或者它们的所有组合。可以理解的是，当某元件被描述为“连接至”或“结合至”另一元件时，可以是指该元件直接连接至或结合至其它元件，也可以存在中介元件。相似的，应当理解的是，当某元件(例如层、部分或基板)被描述为“在(另一元件)上”时，可以是指该元件直接在另一元件上，也可以存在中介元件。相反的，术语“直接”则意味着没有中介元件。还应当理解的是，本文所使用的术语“包含”、“包括”是指存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或组件，但是不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件、和/或以上的组合。此外，具体实施方式中的实施例将使用作为本专利技术构思理想示例性图的剖视图来进行描述。相应地，可根据制造技术和/或容许误差修改示例性图的形状。因此，本专利技术构思的实施例不限于示例性图所示出的具体形状，还可以包括根据制造工艺所形成的其他形状。附图中示例的区域具有常规属性，用于描述构件的具体形状。因此，这不能被解释为限制本专利技术构思的范围。还应当理解的是，虽然本文可能使用术语“第一”、“第二”、“第三”等描述各种元件，但是这些元件不应受限于这些术语。这些术语仅用于将某元件与另一元件相区分。因此，在不背离本专利技术教导的情况下，一些实施例中的第一元件可能在另一实施例中被称为第二元件。本文所解释和所描述的本专利技术构思的各方面的示例性实施例包括它们的互补性对应元件(complementarycounterpart)。相同的附图标记或相同的参考编号在整个说明书中表示相同的元件。此外，参照典型示例性附图的剖视图和/或平面图对示例性实施例进行了描述。相应地，例如由于制作工艺和/或公差而形成的不同于附图形状的各种变型是可以预见的。因此，示例性实施例不应该被理解为限制本文所示区域的形状，而应该还包括例如源于制作工艺的形状的各种变型。例如，示出为矩形的刻蚀区域通常还具有圆形或弯曲的特征。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状并不旨在示出装置的区域的实际形状，而且也不旨在限制示例性实施例的范围。图2为示出了本专利技术构思的实施例的基板处理设备的剖视图。参见图2，基板处理设备10在基板W上进行等离子体加工处理。基板处理设备10包括处理腔室100、基板支撑单元200、气体供应单元300、微波施加单元400、天线板500、慢波板600、介电板700以及内衬900。处理腔室100在其内部包括处理空间101，处理空间101被提供为进行基板W处理过程的空间。处理腔室100包括壳体110和盖120。壳体110的顶端是开放的，在壳体110中形成有空间。壳体110的内侧壁上可以形成有凹槽112，凸缘920插入到该凹槽中。盖120设置在壳体110上，以密封壳体110的开放的顶端。盖120的下端部的内侧壁是阶梯式的，以便使盖120围绕形成的上方空间的半径要大于盖120围绕形成的下方空间的半径。可以在处理腔室100的一侧侧壁上形成基板入口(未示出)。基板入口(未示出)可以提供为通道，用于向处理腔室100中装载基板W，和/或从处理腔室100中卸载基板W。通过诸如门的开闭构件来打开或关闭基板入口(未示出)。在处理腔室100的底板上形成有排出孔102。该排出孔102连接至排出管线131。通过排出管线131进行排气，从而将处理腔室100内部维持在低于大气压的压力下。此外，在处理过程中生成的反应副产物以及残留气体可以通过排出管线131排出到处理腔室100的外部。基板支撑单元200设置在处理腔室100中并用于支撑基板W。基板支撑单元200包括支撑板210、顶升销(未示出)、加热器220以及支撑轴230。支撑板210具有预定厚度且为圆盘形，该圆盘形的半径大于基板W的半径。当基板W放置于压低的区域中时，该基板可以形成在支撑板210的上表面。在某些实施例中，支撑板210上可以不设有用于固定基板W的构件，并且可以在基板W被放置在支撑板210上的状态下进行处理过程。或者，支撑板210可以为通过静电作用力固定基板W的静电吸盘、或者为通过机械本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理设备，其特征在于，包括：处理腔室，所述处理腔室具有在其内部限定的处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理腔室中支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将处理气体供应至所述处理腔室；介电板，所述介电板提供为所述处理空间的顶壁；天线板，所述天线板设置在所述介电板上；微波施加单元，所述微波施加单元向所述天线板施加微波；内衬，所述内衬安装在所述处理腔室的内侧壁上；其中，所述内衬包括：本体，所述本体具有面向所述处理腔室的内侧壁的环形形状；和凸缘，所述凸缘从所述本体的外侧壁延伸到所述处理腔室的壁部内。

【技术特征摘要】
2014.06.30 KR 10-2014-00811601.一种基板处理设备，其特征在于，包括：处理腔室，所述处理腔室具有在其内部限定的处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述处理腔室中支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将处理气体供应至所述处理腔室；介电板，所述介电板提供为所述处理空间的顶壁；天线板，所述天线板设置在所述介电板上；微波施加单元，所述微波施加单元向所述天线板施加微波；内衬，所述内衬安装在所述处理腔室的内侧壁上；其中，所述内衬包括：本体，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张龙守，金宣来，洪性焕，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR