本发明专利技术公开了一种集成电路硅片分割方法，步骤一、通过蚀刻工艺方法将硅片划片槽内的介质材料蚀刻掉；步骤二、通过硅穿孔工艺方法将硅片划片槽内硅材料蚀刻掉，介质材料和硅材料蚀刻后，在划片槽内形成一定深度的沟道；步骤三、在硅片正面贴上研磨UV膜，通过减薄工艺方法将硅片减薄到适合封装的厚度，使附在研磨UV膜上的芯片自然分割开；步骤四、对分割开的硅片进行倒膜，在硅片背面贴上绷架UV膜，并对硅片研磨UV膜进行紫外光照射，使得研磨UV膜黏性下降；步骤五、撕掉硅片研磨UV膜，得到已分割的芯片供后道工序封装。本发明专利技术能够将芯片分割开，且芯片边缘整齐，无崩缺、裂纹等缺陷。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路硅片封装领域，特别是涉及一种。
技术介绍
目前硅片分割主要是通过划片方法来分割，划片工艺方法是把硅片用划片机切割成单个芯片，再用分片机或手工将芯片分开。分割芯片时采用金刚刀划片，但是金刚刀划片时易产生芯片边缘崩缺，可能接触到芯片保护环，甚至损伤芯片。随着集成电路硅片制造工艺的不断发展，集成电路单位面积上芯片的数量越来越多，单位面积芯片制作的成本越来越低。为了降低成本，减小划片槽宽度是有效可行的方法之一，但带来的是分割芯片工艺的挑战，随着划片槽越来越窄，传统金刚刀分割芯片的方法受到越来越多限制。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，能够将芯片分割开，且芯片边缘整齐，无崩缺、裂纹等缺陷。为解决上述技术问题，本专利技术的，包括如下步骤:步骤一、通过蚀刻工艺方法将硅片划片槽内的介质材料蚀刻掉；步骤二、通过硅穿孔工艺方法将硅片划片槽内硅材料蚀刻掉，介质材料和硅材料蚀刻后，在划片槽内形成一定深度的沟道；步骤三、在硅片正面贴上研磨UV膜(晶背研磨用紫外光膜)，通过减薄工艺方法将硅片减薄到适合封装的厚度，使附在研磨UV膜上的芯片自然分割开；步骤四、对分割开的硅片进行倒膜，在硅片背面贴上绷架UV膜，并对硅片研磨UV膜进行紫外光照射，使得研磨UV膜黏性下降；步骤五、撕掉硅片研磨UV膜，得到已分割的芯片供后道工序封装。采用本专利技术方法，能使划片槽刻蚀整齐光滑，芯片边缘无崩缺、裂纹等缺陷，可以实现无损伤分割芯片，保证芯片质量。采用本专利技术的方法，省去了划片步骤，降低了划片周期和成本，大大提高了生产效率。【附图说明】下面结合附图与【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细的说明:图1-5是所述集成电路娃片分割方法一实施例TJK意图；图6是所述流程示意图。【具体实施方式】参见图1-5并结合图6所示，所述在下面的实施例中，具体步骤如下:步骤一、通过蚀刻工艺将硅片划片槽中介质材料蚀刻掉(结合图2所示)；所述硅片由介质材料I和硅材料2组成(结合图1所示)，所述划片槽中介质材料为金属层的介电质，如二氧化硅和氮化硅等介质层。步骤二、通过硅穿孔工艺方法将硅片划片槽内硅材料蚀刻掉，介质材料和硅材料蚀刻后，在划片槽内形成一定深度的沟道(结合图3所示)，沟道深度约为180μπι?200 μ m。所述硅穿孔工艺方法为深反应离子蚀刻工艺方法，能够将硅片深挖一定深度，该深度需大于减薄后的硅片厚度，在划片槽区域形成“深沟道”。步骤三、在硅片正面贴上研磨UV膜4，通过减薄工艺方法将硅片减薄到适合封装的厚度，约为150μπι?170 μ m，附在研磨UV膜4上的电路芯片自然分割开(结合图4所示)。所述减薄工艺方法为粗磨和细磨，将硅片减薄到适合封装的厚度。步骤四、对分割开的硅片进行倒膜，在硅片背面贴上绷架UV膜5 (结合图5所示)，并对硅片研磨UV膜进行紫外光照射，通过紫外光照射使得研磨UV膜黏性下降。步骤五、撕掉硅片研磨UV膜，得到已分割的芯片供后道封装。图1-5中，3表不光阻。以上通过【具体实施方式】对本专利技术进行了详细的说明，但这些并非构成对本专利技术的限制。在不脱离本专利技术原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本专利技术的保护范围。【主权项】1.一种，其特征在于，包括如下步骤: 步骤一、通过蚀刻工艺方法将硅片划片槽内的介质材料蚀刻掉； 步骤二、通过硅穿孔工艺方法将硅片划片槽内硅材料蚀刻掉，介质材料和硅材料蚀刻后，在划片槽内形成一定深度的沟道； 步骤三、在硅片正面贴上研磨UV膜，通过减薄工艺方法将硅片减薄到适合封装的厚度，使附在研磨UV膜上的芯片自然分割开； 步骤四、对分割开的硅片进行倒膜，在硅片背面贴上绷架UV膜，并对硅片研磨UV膜进行紫外光照射，使得研磨UV膜黏性下降； 步骤五、撕掉硅片研磨UV膜，得到已分割的芯片供后道工序封装。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述划片槽内的介质材料为金属层的介电质。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述硅穿孔工艺方法为深反应离子蚀刻工艺方法，将硅片挖至一定深度，该深度需大于减薄后硅片的厚度，在划片槽区域内形成所述的沟道。【专利摘要】本专利技术公开了一种，步骤一、通过蚀刻工艺方法将硅片划片槽内的介质材料蚀刻掉；步骤二、通过硅穿孔工艺方法将硅片划片槽内硅材料蚀刻掉，介质材料和硅材料蚀刻后，在划片槽内形成一定深度的沟道；步骤三、在硅片正面贴上研磨UV膜，通过减薄工艺方法将硅片减薄到适合封装的厚度，使附在研磨UV膜上的芯片自然分割开；步骤四、对分割开的硅片进行倒膜，在硅片背面贴上绷架UV膜，并对硅片研磨UV膜进行紫外光照射，使得研磨UV膜黏性下降；步骤五、撕掉硅片研磨UV膜，得到已分割的芯片供后道工序封装。本专利技术能够将芯片分割开，且芯片边缘整齐，无崩缺、裂纹等缺陷。【IPC分类】H01L21/78【公开号】CN105226017【申请号】CN201410226459【专利技术人】肖海滨, 金玮 【申请人】上海华虹集成电路有限责任公司【公开日】2016年1月6日【申请日】2014年5月27日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种集成电路硅片分割方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、通过蚀刻工艺方法将硅片划片槽内的介质材料蚀刻掉；步骤二、通过硅穿孔工艺方法将硅片划片槽内硅材料蚀刻掉，介质材料和硅材料蚀刻后，在划片槽内形成一定深度的沟道；步骤三、在硅片正面贴上研磨UV膜，通过减薄工艺方法将硅片减薄到适合封装的厚度，使附在研磨UV膜上的芯片自然分割开；步骤四、对分割开的硅片进行倒膜，在硅片背面贴上绷架UV膜，并对硅片研磨UV膜进行紫外光照射，使得研磨UV膜黏性下降；步骤五、撕掉硅片研磨UV膜，得到已分割的芯片供后道工序封装。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：肖海滨，金玮，
申请(专利权)人：上海华虹集成电路有限责任公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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