低局放值的单匝结构互感器制造技术

本实用新型专利技术是一种低局放值的单匝结构互感器，包括半导体皱纹纸2、P1端子3、导电杆4、互感器线圈6、P2端子7，其特征是一次端子的下方设有导电杆4，电杆4的内侧设有C形半导体纸板5；C形半导体纸板5通过半导体皱纹纸2固定在导电杆4上；互感器线圈6套入互感器一次绕组中。优点：使整个互感器一次绕组在高电压下形成一个均匀的电场，互感器器身各部位电场场强分布均匀，场强过度平缓，场强无畸变情况。在测试电压状态下测量其局放值时，其视在放电量较小，在高电压状态下能减小互感器内部的局放值。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及的是一种低局放值的单匝结构互感器，属于互感器

技术介绍
在互感器生产和使用过程中，局放的好坏不仅反应了互感器内在品质的优劣，更牵涉到互感器的使用寿命，所以互感器局放问题一直是互感器生产厂家和用户比较关注的问题。随着技术的发展，不少互感器都能够达到较低的局放值，但是仍有一些结构的互感器局放值存在一定的问题，如一些单匝结构的互感器在进行局放高点试验时局放值偏高，不能够满足用户要求，有时甚至会因为不能满足国标而报废，不仅浪费了材料，同时使产品的交货期也得不到保证。现有单匝互感器结构，该种结构仅对互感器一次端子（由P1端子3、P2端子7构成）和导电杆4构成的一次绕组做电场均匀包覆，P1出线端子3和P2出线端子7之间未做任何屏蔽或电场处理措施，在高电压作用下，一次绕组将会出现电场分布不均，尤其在两个一次出线端子之间电场随着介质的突变出现较大的畸变，同时也存在尖端等不良情况，在一次端子施加电压时，一次端子附近将会因电场的不均匀和电场的畸变出现电极间放电、沿面放电、尖端放电等多种放电情况。在测试电压状态下测量其局放值时，其视在放电量较大，对互感器进行多次处理后，排除表面等其他因素时仍不能降低其局放值，如图3所示。
技术实现思路
本技术提出的是一种低局放值的单匝结构互感器，其目的旨在克服现有技术所存在的上述缺陷，提高局放的质量，满足用户要求。本技术的技术解决方案：低局放值的单匝结构互感器，包括半导体皱纹纸2、P1端子3、导电杆4、互感器线圈6、P2端子7，其特征是一次端子的下方设有导电杆4，电杆4的内侧设有C形半导体纸板5；C形半导体纸板5通过半导体皱纹纸2固定在导电杆4上；互感器线圈6套入互感器一次绕组中。本技术的优点：使整个互感器一次绕组在高电压下形成一个均匀的电场，互感器器身各部位电场场强分布均匀，场强过度平缓，场强无畸变情况。在测试电压状态下测量其局放值时，其视在放电量较小，在高电压状态下能减小互感器内部的局放值。附图说明图1是半导体纸板简要制作图；图2是低局放值的单匝结构互感器的结构示意图；图3原有单匝互感器结构示意图。图中的1是硬绝缘纸板、2是半导体皱纹纸、3是P1端子、4是导电杆、5是C型半导体纸板、6是互感器线圈、7是P2端子。具体实施方式如附图所示，低局放值的单匝结构互感器，包括半导体皱纹纸2、P1端子3、导电杆4、互感器线圈6、P2端子7，其特征是一次端子的下方设有导电杆4，电杆4的内侧设有C形半导体纸板5；C形半导体纸板5通过半导体皱纹纸2固定在导电杆4上；互感器线圈6套入互感器一次绕组中。所述的一次端子由P1出线端子3和P2出线端子7构成；所述的C形半导体纸板5是由硬绝缘纸板1、半导体皱纹纸2缠绕而成，所述的硬绝缘纸板1的宽度与一次端子宽度一致；所述的P1端子3和P2端子7与导电杆4焊接；所述的互感器一次绕组由P1端子3、P2端子7、导电杆4构成；低局放值的单匝结构互感器的制作方法，包括如下步骤：（1）制作C型半导体纸板5，包括，1）先将半导体皱纹纸2以半叠一层的缠绕方式缠绕在硬绝缘纸板1上；2）缠绕时保证整个硬绝缘纸板1被半导体皱纹纸2覆盖；3）硬绝缘纸板1的宽度与一次端子宽度一致，制作完成后待用，一次端子包括P1出线端子和P2出线端子，4）将互感器P1端子3和P2端子7与导电杆4进行焊接，完成焊接后将互感器线圈6套入互感器一次绕组中，互感器一次绕组由P1端子3、P2端子7、导电杆4构成；如图1所示；（2）先用半导体皱纹纸2对互感器一次端子和导电杆4进行整体包覆；（3）将制作完成后的C型半导体纸板5放置互感器P1端子3和P2端子7的背面；（4）将C型半导体纸板5固定在P1端子3和P2端子7的背面；（5）用半导体皱纹纸2将C型半导体纸板5与互感器的一次绕组再做整体包覆；（6）完成上述步骤后，C型半导体纸板5与互感器一次绕组在高电压下形成一个均匀的电场，互感器器身各部位电场场强分布均匀，场强过度平缓，同时场强无畸变情况。在测试电压状态下测量其局放值时，其视在放电量较小，如图2所示。具体实施案例：按图2新结构制作5台35kV电流互感器进行局放试验，局放试验时对P1端子3或者P2端子7施加高电压，互感器线圈6的出线端子接接地线，按国标局部放电程序进行试验，对互感器一次端子3或7施加工频电压至额定电压时互感器未出现可视局部放电情况，继续施加至1.5倍额定电压开始出现放电，继续升压至额定工频耐压的80%保持60S，开始降压，降压至1.2Um/√3电压时检测其视在放电量，其结果为1-5pC，优于国标。试验结果证明该电流互感器新结构在局部放电性能方面远远优于老结构。本文档来自技高网...

【技术保护点】
低局放值的单匝结构互感器，包括半导体皱纹纸 、P1端子、导电杆、互感器线圈 、P2端子，其特征是一次端子的下方设有导电杆，电杆的内侧设有C形半导体纸板；C形半导体纸板通过半导体皱纹纸固定在导电杆上；互感器线圈套入互感器一次绕组中。

【技术特征摘要】
1.低局放值的单匝结构互感器，包括半导体皱纹纸、P1端子、导电杆、互感器线圈、P2端子，其特征是一次端子的下方设有导电杆，电杆的内侧设有C形半导体纸板；C形半导体纸板通过半导体皱纹纸固定在导电杆上；互感器线圈套入互感器一次绕组中。
2.根据权利要求1所述的低局放值的单匝结构互感器，其特征是所述的一次端子由P1出线端子和P2出线端子构成。
3.根据权利要求1所述的低局放值的单匝结构互感器，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈耀刚，娄军峰，刘军超，张伟，
申请(专利权)人：河南森源电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41