本实用新型专利技术适用于音频输出领域，提供了一种主动降噪启动静音电路及主动降噪耳机，该电路包括：控制单元，控制单元的输入端接收控制信号；第一电压疏导单元，第一电压疏导单元的控制端与控制单元的输出端连接，第一电压疏导单元的输入端与主动降噪芯片的一路音频输出端连接，第一电压疏导单元的输出端接地；第二电压疏导单元，第二电压疏导单元的控制端与控制单元的输出端连接，第二电压疏导单元的输入端与主动降噪芯片的另一音频输出端连接，第二电压疏导单元的输出端接地。本实用新型专利技术通过两电压疏导单元在开启主动降噪时，将芯片产生的电流疏导到地，从而消除了开启降噪时“嘣”的电流声，优化了用户体验。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于音频输出领域，尤其涉及一种主动降噪启动静音电路及主动降噪耳机。
技术介绍
目前市场上主动降噪耳机的降噪原理图参见图1，当按压按键SI开启主动降噪时，音频输出信号通过AMS系列主动降噪芯片进行主动降噪，输出给喇叭L、R，其中，AMS系列芯片以其优良的性能和较低的成本，得以在主动降噪音频输出领域具有非常高的使用频率和应用范围，然而，在控制按键SI导通的过程中，由于受制于芯片限制，会产生很微弱的电压，导致用户在开启降噪功能时，会听到“嘣”的一声电流声，影响用户体验。
技术实现思路
本技术实施例的目的在于提供一种主动降噪启动静音电路，旨在解决目前开启主动降噪功能时发出“嘣”的一声电流声，影响用户体验的问题。本技术实施例是这样实现的，一种主动降噪启动静音电路，连接于主动降噪芯片与喇叭之间，所述电路包括:控制单元，所述控制单元的输入端接收控制信号；第一电压疏导单元，所述第一电压疏导单元的控制端与所述控制单元的输出端连接，所述第一电压疏导单元的输入端与所述主动降噪芯片的一路音频输出端连接，所述第一电压疏导单元的输出端接地；第二电压疏导单元，所述第二电压疏导单元的控制端与所述控制单元的输出端连接，所述第二电压疏导单元的输入端与所述主动降噪芯片的另一音频输出端连接，所述第二电压疏导单元的输出端接地。进一步地，所述控制单元包括:电容Cl和电阻R3;所述电容Cl的一端连接电源电压，所述电容Cl的另一端为所述控制单元的输入端和输出端，所述电容Cl的另一端通过所述电阻R3接地。更进一步地，所述第一电压疏导单元包括:电阻Rl和第一开关管；所述电阻Rl的一端为所述第一电压疏导单元的控制端，所述电阻Rl的另一端与所述第一开关管的控制端连接，所述第一开关管的输入端为所述第一电压疏导单元的输入端，所述第一开关管的输出端为所述第一电压疏导单元的输出端。更进一步地，所述第一开关管为N型MOS管，所述N型MOS管的栅极为所述第一开关管的控制端，所述N型MOS管的漏极为所述第一开关管的输入端，所述N型MOS管的源极为所述第一开关管的输出端。更进一步地，所述第二电压疏导单元包括:电阻R2和第二开关管；所述电阻R2的一端为所述第二电压疏导单元的控制端，所述电阻R2的另一端与所述第二开关管的控制端连接，所述第二开关管的输入端为所述第二电压疏导单元的输入端，所述第二开关管的输出端为所述第二电压疏导单元的输出端。更进一步地，所述第二开关管为N型MOS管，所述N型MOS管的栅极为所述第二开关管的控制端，所述N型MOS管的漏极为所述第二开关管的输入端，所述N型MOS管的源极为所述第二开关管的输出端。本技术实施例的另一目的在于，提供一种包括上述主动降噪启动静音电路的主动降噪耳机。本技术实施例通过两电压疏导单元在开启主动降噪时，将芯片产生的电流疏导到地，从而消除了开启降噪时“嘣”的电流声，优化了用户体验。【附图说明】图1为现有技术提供的单喇叭设计的耳机输出结构；图2为本技术实施例提供的主动降噪启动静音电路的结构；图3为本技术实施例提供的主动降噪启动静音电路的示例电路结构。【具体实施方式】为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。此外，下面所描述的本技术各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。本技术实施例通过两电压疏导单元在开启主动降噪时，将芯片产生的电流疏导到地，从而消除了开启降噪时“嘣”的电流声，优化了用户体验。以下结合具体实施例对本技术的实现进行详细描述:图2示出了本技术实施例提供的主动降噪启动静音电路的结构，为了便于说明，仅示出了与本技术相关的部分。作为本技术一实施例，该主动降噪启动静音电路可以应用于任何主动降噪耳机或者主动降噪音频功放输出装置中，该主动降噪启动静音电路，连接于主动降噪芯片与喇叭L、喇叭R之间，包括:控制单元13，控制单元13的输入端接收控制信号A ；第一电压疏导单元11，第一电压疏导单元11的控制端与控制单元13的输出端连接，第一电压疏导单元11的输入端与主动降噪芯片的一路音频输出端连接，第一电压疏导单元11的输出端接地；第二电压疏导单元12，第二电压疏导单元12的控制端与控制单元13的输出端连接，第二电压疏导单元12的输入端与主动降噪芯片的另一音频输出端连接，第二电压疏导单元12的输出端接地。在本技术实施例中，当通过按键SI开启主动降噪时，通过控制信号A使第一电压疏导单元11和第二电压疏导单元12导通，主动降噪芯片产生的微弱的电流通过第一开关管Ql和第二开关管Q2疏导到地，从而消除了开启降噪时“嘣”的电流声。本技术实施例通过两电压疏导单元在开启主动降噪时，将芯片产生的电流疏导到地，从而消除了开启降噪时“嘣”的电流声，优化了用户体验。图3示出了本技术实施例提供的主动降噪启动静音电路的示例电路结构，为了便于说明，仅示出了与本技术相关的部分。作为本专利技术一实施例，控制单元13包括:电容Cl和电阻R3;电容Cl的一端连接电源电压，电容Cl的另一端为控制单元13的输入端和输出端，电容Cl的另一端通过电阻R3接地。第一电压疏导单元11包括:电阻Rl和第一开关管Ql ;电阻Rl的一端为第一电压疏导单元11的控制端，电阻Rl的另一端与第一开关管Ql的控制端连接，第一开关管Ql的输入端为第一电压疏导单元11的输入端，第一开关管Ql的输出端为第一电压疏导单元11的输出端。作为本专利技术一优选实施例，第一开关管Ql为N型MOS管，N型MOS管的栅极为第一开关管Ql的控制端，N型MOS管的漏极为第一开关管Ql的输入端，N型MOS管的源极为第一开关管Ql的输出端。作为本专利技术一实施例，第二电压疏导单元12包括:电阻R2和第二开关管Q2 ；电阻R2的一端为第二电压疏导单元12的控制端，电阻R2的另一端与第二开关管Q2的控制端连接，第二开关管Q2的输入端为第二电压疏导单元12的输入端，第二开关管Q2的输出端为第二电压疏导单元12的输出端。作为本专利技术一优选实施例，第二开关管Q2为N型MOS管，N型MOS管的栅极为第二开关管Q2的控制端，N型MOS管的漏极为第二开关管Q2的输入端，N型MOS管的源极为第二开关管Q2的输出端。在本技术实施例中，当通过按键SI开启主动降噪时，通过控制信号A使第一开关管Ql和第二开关管Q2导通，主动降噪芯片产生的微弱的电流通过第一开关管Ql和第二开关管Q2疏导到地，从而消除了开启降噪时“嘣”的电流声。本技术实施例的另一目的在于，提供一种包括上述主动降噪启动静音电路的主动降噪耳机。本技术实施例通过两电压疏导单元在开启主动降噪时，将芯片产生的电流疏导到地，从而消除了开启降噪时“嘣”的电流声，优化了用户体验。以上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种主动降噪启动静音电路，连接于主动降噪芯片与喇叭之间，其特征在于，所述电路包括: 控制单本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种主动降噪启动静音电路，连接于主动降噪芯片与喇叭之间，其特征在于，所述电路包括：控制单元，所述控制单元的输入端接收控制信号；第一电压疏导单元，所述第一电压疏导单元的控制端与所述控制单元的输出端连接，所述第一电压疏导单元的输入端与所述主动降噪芯片的一路音频输出端连接，所述第一电压疏导单元的输出端接地；第二电压疏导单元，所述第二电压疏导单元的控制端与所述控制单元的输出端连接，所述第二电压疏导单元的输入端与所述主动降噪芯片的另一音频输出端连接，所述第二电压疏导单元的输出端接地。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭世文，余新，吴海全，师瑞文，彭久高，
申请(专利权)人：深圳市冠旭电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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