发光二极管封装结构制造技术

技术编号:12638450 阅读:70 留言:0更新日期:2016-01-01 15:08
本实用新型专利技术公开了一种发光二极管封装结构,包含发光单元;粘合胶层,其覆盖该发光单元;以及荧光胶层,其覆盖该粘合胶层,其中粘合胶层的折射率大于荧光胶层的折射率。本实用新型专利技术提供的发光二极管封装结构具有与发光单元以及与荧光胶层之间粘附性良好的粘合胶层,因而能提升发光二极管封装结构的稳定性。此外,粘合胶层的折射率大于荧光胶层,而能得到更大的出光角度,产生的光源更为均匀。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种发光二极管封装结构,特别是涉及一种封装胶层间折射率不同的发光二极管封装结构。
技术介绍
发光二极管(light emitting d1de,LED)具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间以及反应速度快等优点。加上其体积小、耐震动、适合量产,容易配合应用需求而制成极小或阵列式的元件,因此可广泛用于各种应用领域,例如笔记型电脑、监视器、移动电话、电视和液晶显示器所用背光模组的光源。再者,随着
的不断提升,目前已研发出高照明辉度的高功率发光二极管,其发光强度已达到照明的程度。在实际应用中,需将发光二极管晶片置于封装基板上并进行封装以保护发光二极管晶片,通常是以荧光胶层覆盖住发光二极管晶片。发光二极管晶片产生的光线将激发荧光胶层中的荧光物质,并使荧光物质中的电子跃升至高能阶的激发态。当电子跃迀回低能阶时,能量以光的形式辐射出来。利用互补色光的原理,将发光单元与荧光胶层产生的光混成各种多彩缤纷的光线。但荧光胶层与发光二极管晶片间的粘附性较差,空气中的水气将影响精密的发光二极管晶片,使CIE色偏值变大。举例来说,水气易进入荧光胶层与发光二极管晶片之间,并在点亮时受热膨胀使荧光胶层剥落,此时发光二极管封装结构的可靠度大幅降低。此外,发光二极管晶片产生的光线较为集中,使被照物体亮度特别明亮。但在发光范围外,则显现出明显的暗区。这种强烈的明暗对比是造成眩光主要的原因,更会让人生理以及心理上感觉不适。又,如何让发光二极管晶片产生的光线,如蓝光,发出的比例变高,也为现阶段研发过程中面临的挑战。
技术实现思路
因此,本技术的目的在于公开一种发光二极管封装结构,用来增加荧光胶层与发光二极管晶片间的粘附性,并能增加发光二极管晶片的发光角度。本技术的一个方面是提供一种发光二极管的封装结构,包含发光单元;粘合胶层,其覆盖该发光单元;以及荧光胶层,其覆盖该粘合胶层,其中粘合胶层的折射率大于荧光胶层的折射率。根据本技术一个实施方式,其中荧光胶层与发光单元之间具有多个粘合胶层,这些粘合胶层的折射率互不相同。根据本技术一个实施方式,其中粘合胶层的折射率介于1.5至1.7之间。根据本技术一个实施方式,其中荧光胶层的折射率介于1.4至1.49之间。根据本技术一个实施方式,其中荧光胶层包含硅胶以及荧光粉,荧光粉分散于娃胶中。根据本技术一个实施方式,其中发光单元为发光波段为440nm至475nm的蓝光发光二极管晶片或发光波段为360nm至400nm的紫外光发光二极管晶片,而荧光粉为钇铝石榴石荧光粉(Y3A15012:Ce,YAG)。根据本技术一个实施方式,其中荧光胶层具有粗糙化表面。根据本技术一个实施方式,其中粗糙化表面位于荧光胶层的上表面。根据本技术一个实施方式,其中粗糙化表面位于荧光胶层以及粘合胶层之间的接触面上。根据本技术一个实施方式,其中粗糙化表面具有光子晶体结构。本技术提供的发光二极管封装结构具有与发光单元以及与荧光胶层之间粘附性良好的粘合胶层,因而能提升发光二极管封装结构的稳定性。此外,粘合胶层的折射率大于荧光胶层,而能得到更大的出光角度,产生的光源更为均匀。【附图说明】为让本技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附附图的详细说明如下:图1为根据本技术部分实施方式的一种发光二极管晶片的剖面图。图2为根据本技术部分实施方式的一种发光二极管封装结构的剖面图。图3为根据本技术其他部分实施方式的一种发光二极管封装结构的剖面图。图4为根据本技术其他部分实施方式的一种发光二极管封装结构的剖面图。图5为根据本技术其他部分实施方式的一种发光二极管封装结构的剖面图。图6为根据本技术部分实施方式的一种发光二极管封装结构的制备方法流程图。【具体实施方式】为了使本公开内容的叙述更加详尽与完备,下文将参照附图来描述本技术的实施方面与具体实施例;但这并非实施或运用本技术具体实施例的唯一形式。以下所公开的各实施例,在有益的情形下可相互组合或取代,也可在一实施例中附加其他的实施例,而无须进一步的记载或说明。请参阅图1,图1为根据本技术部分实施方式的一种发光二极管晶片的剖面图。如图1所示,发光二极管晶片100包含:基板110以及发光二极管磊晶层120位于所述基板110上方,其中基板110为蓝宝石基板、碳化硅基板、氮化镓基板或玻璃基板。发光二极管磊晶层120由下至上分别为η型半导体层122 ;发光层124 ;以及ρ型半导体层126。加入顺向偏压时,ρ型半导体层126的多数载子电洞会往η型半导体层122方向移动;η型半导体层122的多数载子电子则往ρ型半导体层126方向移动。电子与电洞于ρ-η接面的空乏区复合,此时电子由传导带移转至价电带后丧失能阶,并以光子形式释出能量而产生光。其中,Ρ-η接面即为发光层124。发光二极管磊晶层120上方有P型电极130以及η型电极140,分别电性连接至ρ型半导体层126以及η型半导体层122。光反射层150包覆发光层124、ρ型半导体层126以及P型电极130,其中光反射层150能改变由发光层124产生的光线的行进路线,使光线由基板110处出光。在本技术的部分实施例中,其中光反射层150为全方位反射层,其以两种不同折射率的子反射层交错相叠形成。两种不同折射率的子反射层的材质可为氧化钛/氧化硅、氧化铝/氧化硅或氮化硅/氧化硅。在本技术的其他部分实施例中,其中光反射层为铝层或银层。两金属凸块160a以及160b则分别电性连接至ρ型电极130及η型电极140,其在封装时连结至外部元件,令使发光二极管结构100工作。借由光反射层150,发光层124产生的光线由基板110处进入空气中,避免金属凸块160a以及160b遮蔽产生的光损耗。请继续参阅图2,图2为根据本技术部分实施方式的一种发光二极管封装结构的剖面图。如图2所示,发光二极管封装结构200包含发光单元210,发光单元210为图1所示的发光二极管晶片100,其以覆晶方式封装。在本技术的其他部分实施例中,发光单元可为非覆晶型发光二极管晶片。粘合胶层220覆盖发光单元210,以及荧光胶层230覆盖粘合胶层220。由于荧光胶层230与发光单元210间的粘附性不佳,空气中水气会影响精密的发光二极管晶片。在产生光线时,荧光胶层230易因热胀效应而剥落,使发光二极管封装结构200的可靠度大幅降低,并使CIE色偏值变大。据此,选用与发光单元210以及与荧光胶层230之间均具有良好粘附性的粘合胶层220,来提升发光二极管封装结构200的稳定性。其中,粘合胶层220的折射率大于荧光胶层230的折射率。发光单元210产生的光线在通过粘合胶层220与荧光胶层230的接触面时,会产生折射现象。由于荧光胶层230的折射率小于粘合胶层220,光线在通过接触面时会偏离法线,使得发光角度变大。较大的发光角度表示光线照射越无死角,达到更均匀的照度,更可使光线发出的比例变高,其具有较佳的应用性。其中,粘合胶层220选用折射率介于1.5至1.7之间的透明材料,如环氧树脂、苯基硅、或其组合。而荧光胶层230的折射率则介于1.4至1.49之间,其中荧光胶层230包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的封装结构,其特征在于,所述发光二极管的封装结构包含:发光单元;粘合胶层,其覆盖所述发光单元;以及荧光胶层,其覆盖所述粘合胶层,其中所述粘合胶层的折射率大于所述荧光胶层的折射率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:翁茂证林苏宏林良达
申请(专利权)人:萨摩亚商天兆有限公司
类型:新型
国别省市:中国台湾;71

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