静电放电保护器件制造技术

本公开提供了静电放电保护器件。一种静电放电保护器件包括：基板，具有在第一方向上延伸的有源鳍；多个栅结构，在关于第一方向成给定角度的第二方向上延伸并部分地覆盖有源鳍；外延层，在有源鳍的位于栅结构之间的部分上；杂质区，在外延层下面；以及接触插塞，接触外延层。在第一方向上，杂质区的中央部分比杂质区的边缘部分厚。接触插塞位于杂质区的中央部分之上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及静电放电(ESD)保护器件。更具体地，本专利技术构思涉及鳍式场效应晶体管(finFET)型ESD保护器件。
技术介绍
ESD保护器件可以具有形成为彼此间隔开的栅结构。在finFET型ESD装置中，这些栅结构可以彼此间隔开相对大的距离。可以生长外延层来填充栅结构之间的凹陷，并且接触插塞可以形成在外延层上。外部电压可以施加到接触插塞以有利于栅结构的静电放电。
技术实现思路
根据按照本专利技术构思的实施方式，提供一种ESD保护器件，该ESD保护器件包括:基板，包括在第一方向上延伸的有源鳍；多个栅结构，每个栅结构在与第一方向成一角度的第二方向上延伸并分别覆盖有源鳍的部分；外延层，在有源鳍的位于栅结构之间的部分上；杂质区，在外延层下面；以及接触插塞，接触外延层的顶部，其中杂质区在第一方向上的中央部分比杂质区的的边缘部分厚，杂质区的边缘部分在第一方向上位于中央部分的侧部，接触插塞位于杂质区的中央部分之上。根据按照本专利技术构思的另一实施方式，提供一种静电放电(ESD)保护器件，该ESD保护器件包括:基板，包括在第一方向上延伸的有源鳍；多个栅结构，布置在第一方向上，每个栅结构在与第一方向成给定角度的第二方向上延伸并覆盖有源鳍的相应部分；外延层，在有源鳍的位于栅结构中的相邻栅结构之间的部分上具有在第一方向上彼此间隔开的部分；第一杂质区，在外延层的所述部分之间的有源鳍的上部处；以及接触插塞，接触杂质区的顶部。根据按照本专利技术构思的另一实施方式，提供一种静电放电(ESD)保护器件，该ESD保护器件包括:基板，包括在第一方向上纵向地延伸的有源鳍，基板在其中具有至少一个凹陷，该至少一个凹陷在有源鳍的至少上部中延伸，基板具有至少一个杂质区；成对栅结构，设置在有源鳍上，所述栅结构在有源鳍的纵向方向上彼此间隔开，所述至少一个凹陷的每个在纵向方向上位于所述栅结构之间，所述至少一个杂质区的每个在纵向方向上位于有源鳍在所述栅结构之间的部分中；外延层，在所述栅结构的彼此面对的侧部的下部上延伸并延伸到所述至少一个凹陷的每个中；接触插塞，在所述栅结构之间竖直地延伸并接触外延层的顶部或者杂质区的顶部；以及隔离层，覆盖有源鳍的下部的相反两侧。【附图说明】通过以下结合附图的详细说明，根据本专利技术构思的实施方式将被更清楚地理解。图1至图67表示如这里所述的根据本专利技术构思的非限制性的实施方式。图1是示出根据本专利技术构思的实施方式的静电放电(ESD)保护器件的平面图；图2至图5是分别沿图1中的线A-A’、B_B’、C_C’和D_D’截取的截面图；图6至图28示出根据本专利技术构思的制造ESD保护器件的方法的实施方式的各阶段，图6是平面图，图9、12、14、16、18、21、23和27是每个沿与图1的线A-A’相应的线截取的截面图，图7、15、19和24是每个沿与图1的线B-B’相应的线截取的截面图，图10、25和28是每个沿与图1的线C-C’相应的线截取的截面图，图20是沿与图1的线D-D’相应的线截取的截面图；图29是示出根据本专利技术构思的实施方式的ESD保护器件的平面图；图30至图33是分别沿图29中的线A-A’、B-B，、C-C’和D-D’截取的截面图；图34是示出根据本专利技术构思的ESD保护器件的另一实施方式的平面图；图35至图37是分别沿图34中的线A-A’、B-B’、C-C’和D-D’截取的截面图；图38至图45示出根据本专利技术构思的制造ESD保护器件的方法的另一实施方式，图38、40和42是平面图，图39、41、43和45是沿相应的平面图的线A-A’截取的截面图，图44是沿相应的图42的平面图的线D-D’截取的截面图；图46是示出根据本专利技术构思的实施方式的ESD保护器件的截面图；图47是示出根据本专利技术构思的实施方式的制造ESD保护器件的方法的各阶段的截面图；图48是示出根据本专利技术构思的ESD保护器件的另一实施方式的平面图；图49,50至51是分别沿图48中的线A-A，、B-B，和D-D，截取的截面图；图52是示出根据本专利技术构思的ESD保护器件的另一实施方式的平面图；图53、54和55是分别沿图52的线A_A’、B-B’和D-D’截取的截面图；图56至图63示出根据本专利技术构思的制造ESD保护器件的方法的另一实施方式的各阶段，图56、58和60是平面图，图57、59、61和63是沿相应的平面图的线A-A’截取的截面图，图62是沿对应于图52的线D-D’的方向截取的截面图；图64是示出根据本专利技术构思的ESD保护器件的另一实施方式的平面图；以及图65、66和67是分别沿图54的线A_A’、B_B’和D_D’截取的ESD保护器件的截面图。【具体实施方式】在下文将参照附图更充分地描述根据本专利技术构思的各种实施方式，在附图中示出了根据本专利技术构思的一些实施方式。然而，本专利技术构思可以以许多不同的形式实施，而不应被解释为限于这里阐述的根据本专利技术构思的实施方式。而是，提供根据本专利技术构思的这些实施方式使得本说明书将全面和完整，并将本专利技术构思的范围充分传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰，层和区域的尺寸及相对尺寸可以被夸大。将理解，当一元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到或联接到另一元件或层，或者可以存在插入元件或层。相反，当一元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，不存在插入的元件或层。术语“延伸”当未限制时将通常指具有线形形式的元件或特征的长度方向或纵向方向，也就是最大的尺寸，或者指层中的诸如开口、沟槽、凹陷等的特征的垂直方向，如上下文和附图将阐明的。相同的附图标记始终指代相同的元件。如这里所用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何及所有组合。将理解，尽管这里可以使用术语第一、第二、第三、第四等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一区域、层或部分区别开。因此，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分，而不背离本专利技术构思的教导。为了便于描述，这里可以使用空间关系术语诸如“在...之下”、“在...下面”、“下”、“上面”、“上”等来描述一个元件或特征与另一个(些)元件或特征如附图所示的关系。将理解，空间关系术语旨在涵盖除附图所示的取向之外器件在使用或操作中的不同的取向。例如，如果附图中的器件被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下面”或“之下”的元件将取向为在其他元件或特征“之上”。因此，示范性术语“在...下面”能够涵盖之上和之下两种取向。器件可以被另外地取向(旋转90度或在其他的取向)，这里使用的空间关系描述符被相应地解释。这里使用的术语仅是为了描述根据本专利技术构思的特定实施方式的目的而并不旨在限制本专利技术构思。如这里所用的，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。还将理解，术语“包括”和/或“包含”当在本说明书中使用时，指定存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电放电(ESD)保护器件，包括：基板，包括在第一方向上延伸的有源鳍；多个栅结构，每个所述栅结构在与所述第一方向成一角度的第二方向上延伸并分别覆盖所述有源鳍的部分；外延层，在所述有源鳍的位于所述多个栅结构中的两个相邻的栅结构之间的部分上；杂质区，在所述外延层下面，其中所述杂质区在所述第一方向上的中央部分比所述杂质区的边缘部分厚，所述杂质区的边缘部分在所述第一方向上位于所述中央部分的侧部；以及接触插塞，接触所述外延层的顶部，所述接触插塞位于所述杂质区的所述中央部分之上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：姜岱林，金炫助，尹钟密，洪秀宪，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR