本发明专利技术提供一种曝光装置的控制方法。一种曝光装置的控制方法，透过液浸区域的液体将基板曝光，包含以下步骤：通过从供应口供应液体，并且将从上述供应口所供应的液体从设置有多孔质的回收口回收，以在最靠近投影光学系统的像面的第1光学元件之下形成液浸区域；判断上述液浸区域是否为期望状态；及以边抑制上述液浸区域的液体从第1载台与第2载台的间隙流出，边在上述投影光学系统的像面侧的光路空间填满上述液体的状态下在上述第1载台上与上述第2载台上之间移动上述液浸区域的方式，在上述第1载台与上述第2载台接近的状态下，在上述投影光学系统的像面侧一起移动上述第1载台与上述第2载台。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】本申请是申请号为201210468689.1，申请日为2005年8月I日，专利技术名称为“、曝光方法及组件制造方法”的分案申请。其中，上述申请号为201210468689.1的申请是申请号为201010129961.4，申请日为2005年8月I日，专利技术名称为“曝光装置、曝光方法及组件制造方法”的分案申请，上述申请号为201010129961.4的申请是申请号为200580023601.3，申请日为2005年8月I日，专利技术名称为“曝光装置、曝光方法及组件制造方法”的分案申请。
本专利技术涉及透过液体使基板曝光的曝光装置及组件制造方法。
技术介绍
半导体组件或液晶显示组件，系通过将形成于掩模上之图案转印于感旋光性基板上，即所谓光刻方法来制造。在其光刻步骤所使用之曝光装置，具有支撑掩模之掩模载台与支撑基板之基板载台，边逐次移动掩模载台与基板载台边透过投影光学系统将掩模之图案转印于基板上。近年来，为应对组件图案之更高集成化而期待投影光学系统之更高分辨率化。所使用之曝光波长越短、且投影光学系统之数值孔径越大，投影光学系统之分辨率越高。为此，曝光装置所使用之曝光波长逐年短波长化，投影光学系统之数值孔径亦增大。又，现在主流之曝光波长虽系KrF准分子激光光之248nm，但更短波长之ArF准分子激光光之193nm亦已实用化。又，在要进行曝光时，焦点深度(DOF)亦与分辨率同样重要。分辨率R、及焦点深度S分别以下式表示。R = Ic1X λ/NA...(I)δ = ±k2X λ/NA2 …(2)在此，λ系曝光波长，NA系投影光学系统之数值孔径，kn k2系比例系数。从式(1)、式(2)得知，若为提高分辨率R而缩短曝光波长λ、增大数值孔径NA，则会使焦点深度δ变小。若焦点深度δ过小，则使基板表面与投影光学系统之像面一致变得困难，会有曝光动作时之聚焦裕度(focus margin)不足之虞。因此，作为实质地使曝光波长缩短、且使焦点深度变大之方法，例如，已提出了国际公开第99/49504号小册子所揭示之液浸法。该液浸法，系以水或有机溶剂等液体填满投影光学系统之下表面与基板表面之间来形成液浸区域，利用液体中之曝光用光之波长会变成空气中之1/η(η系液体之折射率，通常系1.2?1.6左右)来提高分辨率，并且将焦点深度放大约η倍。然而，为了利用液浸法良好地进行曝光处理，必需使液浸区域形成为期望状态。因此，较佳为，先掌握液体之液浸区域之状态，确认液浸区域为期望状态后，再进行曝光处理。
技术实现思路
本专利技术有鉴于上述情形，其目的在于提供能掌握液体之液浸区域之状态之曝光装置及曝光方法、以及使用该曝光装置及曝光方法之组件制造方法。为解决上述问题，本专利技术系采用对应于实施方式所示之各图的以下构成。但是，附在各要件之带括号符号仅系该要件之例示，不限于各要件。依本专利技术之第I方式，提供一种曝光装置，透过液浸区域之液体将基板曝光，其特征在于具备:投影光学系统，具有最靠近该投影光学系统的像面之第I光学元件；液浸机构，在设置于该投影光学系统之像面侧之既定面与该第I光学元件之间形成液体之液浸区域；及观察装置，用以观察该液浸区域之状态。依本专利技术之第2方式，提供一种曝光装置，透过液浸区域之液体将基板曝光，其特征在于具备:投影光学系统，具有最靠近该投影光学系统的像面之第I光学元件、及次于该第I光学元件靠近该像面之第2光学元件；液浸机构，用以在该第I光学元件与该第2光学元件之间形成液体之液浸区域；及观察装置，用以观察液浸区域之状态。又依本专利技术之第3方式，提供一种曝光装置，透过液浸区域之液体将基板曝光，其特征在于具备:光学元件；液浸机构，用以将配置于该光学元件之光射出侧之既定面与该光学元件之间以液体填满；及观察装置，用以观察该光学元件与该既定面之间之液体状态。依本专利技术之第I?第3方式，因设置用以观察液浸区域之状态之观察装置，故根据该观察装置之观察结果，能确认所形成之液浸区域是否为期望状态。并且，若根据观察装置之观察结果而判断为所形成之液浸区域系期望状态时，例如通过进行基板之曝光，能透过液浸区域之液体将基板良好地曝光。另一方面，若根据观察装置之观察结果而判断为所形成之液浸区域系不是期望状态时，能采取用以使液浸区域成为期望状态之适当措施，例如能进行液体之置换。依本专利技术之第4方式，提供一种组件制造方法，其特征在于:该组件系使用上述方式之曝光装置来制造。依本专利技术之第4方式，在确认所形成之液浸区域为期望状态后，能透过该液浸区域之液体良好地进行用以制造组件之曝光处理或测量处理等。从而，能提供具有期望性能之组件。依本专利技术之第5方式，提供一种曝光方法，透过液体将基板曝光，其特征在于包含以下步骤:透过该液浸区域之液体将基板曝光；将已曝光之基板与未曝光之基板更换；及在基板之更换中，检测该液浸区域之液体中之气体部分。依本专利技术之第5方式，通过检测出该液浸区域之液体中之气体部分，来掌握液浸区域之状态，对液浸区域施以适当之必要措施，从而能维持良好之液浸区域。又，因在基板之更换时进行气体部分之检测，故气体部分之检测不会影响曝光动作，而能维持曝光装置之期望产能。又，「液体中之气体部分」不仅系液体中之气泡，亦包含液体中之空隙(Void)。依本专利技术之第6方式，提供一种组件之制造方法，其特征在于包含以下步骤:通过上述本专利技术之曝光方法将基板曝光；将已曝光之基板显影；及将已显影之基板加工。本组件制造方法，因采用本专利技术之曝光方法，故能提供具有期望性能之组件。依本专利技术，使用观察装置确认液体之液浸区域为期望状态后，能将基板良好曝光。【附图说明】图1系表示第I实施方式之曝光装置的概略构成图。图2系从上方观察基板载台及测量载台的俯视图。图3系投影光学系统前端附近的放大截面图。图4系用来说明在基板载台及测量载台之间第I液浸区域移动之状况的图。图5系表示曝光步骤之一例的流程图。图6系表示观察装置观察液浸区域之状态的图。图7系表示第2实施方式之曝光装置。图8系表示第3实施方式之曝光装置。图9系表示观察装置之观察时点之一例的流程图。图10系表示第4实施方式之曝光步骤之一例的流程图。图11系表示第4实施方式之曝光装置主要部分图。图12系表不脱气装置之一例。图13系表示具备照明光源之观察装置的概略图。图14系表示照明液浸区域之照明装置之一例的概略图。图15系表示照明液浸区域之照明装置之一例的概略图。图16系表示照明液浸区域之照明装置之一例的概略图。图17系表示照明液浸区域之照明装置之一例的概略图。图18系表示半导体组件之制造步骤之一例的流程图。符号说明1:第I液浸机构2:第2液浸机构28:脱气装置51:基板载台上面58:测量载台上面60:观察装置61:光学系统62:调整机构63:摄影元件64:透明构件65:透明构件上面300:基准构件400:照度不均传感器500:空间像测量传感器600:照射量传感器CONT:控制装置DY:显示装置EX:曝光装置LQl:第 I 液体LQ2:第 2 液体LRl:第I液浸区域LR2:第2液浸区域LSl:第I光学元件LS2:第2光学元件P:基板PL:投影光学系统PSTl:基板载台PST2:测量载台【具体实施方式】以下，参照图式说明本专利技术之实施方式。〈第I实施方式〉图1系表示第I实施方本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种曝光装置的控制方法，透过液浸区域的液体将基板曝光，其特征在于包含以下步骤：通过从供应口供应液体，并且将从上述供应口所供应的液体从设置有多孔质的回收口回收，以在最靠近投影光学系统的像面的第1光学元件之下形成液浸区域；判断上述液浸区域是否为期望状态；及以边抑制上述液浸区域的液体从第1载台与第2载台的间隙流出，边在上述投影光学系统的像面侧的光路空间填满上述液体的状态下在上述第1载台上与上述第2载台上之间移动上述液浸区域的方式，在上述第1载台与上述第2载台接近的状态下，在上述投影光学系统的像面侧一起移动上述第1载台与上述第2载台。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大和壮一，长坂博之，菅原龙，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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