图案形成方法技术

本发明专利技术公开一种图案形成方法，包括下列步骤。提供晶片，晶片包括多个晶片内部管芯与多个晶片边缘管芯。在各晶片内部管芯上形成第一图案，且在各晶片边缘管芯上形成第二图案，其中第一图案的形成方法包括进行至少两次曝光制作工艺，第二图案的形成方法包括进行上述至少两次曝光制作工艺中的至少一次，且形成第二图案所进行的曝光制作工艺次数少于形成第一图案所进行的曝光制作工艺次数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制作工艺方法，且特别是涉及一种。
技术介绍
随着半导体制作工艺技术的快速发展，为了增进元件的速度与效能，整个电路元件的尺寸必须不断缩小，并持续不断地提升元件的积成度(integrity)。一般而言，在半导体均趋向缩小电路元件的设计发展下，光刻制作工艺在整个制作工艺中占有举足轻重的地位。在半导体制作工艺中，举凡各层薄膜的图案化等制作工艺，都是经由光刻制作工艺来定义其范围并决定其关键尺寸(critical dimens1n, CD)的大小。图案的形成方法通常是通过光刻制作工艺将图案形成在光致抗蚀剂层上，然后再以光致抗蚀剂层做为蚀刻掩模，进行干式或是湿式蚀刻制作工艺，以将光致抗蚀剂层中的图案转移到下方的材料层。然而，由于位于晶片边缘的晶片边缘管芯上的图案在半导体制作工艺中容易产生崩塌，因而会降低产品的良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，其可有效地防止在晶片边缘管芯上发生图案崩塌的情况，进而提高产品的良率。为达上述目的，本专利技术提出一种，包括下列步骤。提供晶片，晶片包括多个晶片内部管芯与多个晶片边缘管芯。在各晶片内部管芯上形成第一图案，且在各晶片边缘管芯上形成第二图案，其中第一图案的形成方法包括进行至少两次曝光制作工艺，第二图案的形成方法包括进行上述至少两次曝光制作工艺中的至少一次，且形成第二图案所进行的曝光制作工艺次数少于形成第一图案所进行的曝光制作工艺次数。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的中，上述至少两次曝光制作工艺例如是对不同的光致抗蚀剂层进行。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的中，上述至少两次曝光制作工艺例如是对相同的光致抗蚀剂层进行。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的中，第一图案与第二图案的形成方法还包括形成至少一光致抗蚀剂层。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的中，第一图案与第二图案的形成方法还包括对晶片进行至少一次显影制作工艺。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的中，第一图案与第二图案的形成方法还包括:以通过上述至少两次曝光制作工艺所形成的至少一层图案化光致抗蚀剂层为掩模，对材料层进行至少一次蚀刻制作工艺。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的中，第一图案与第二图案例如是光致抗蚀剂图案。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的中，第一图案与第二图案例如是实体图案或开口图案。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的中，使形成第二图案所进行的曝光制作工艺次数少于形成第一图案所进行的曝光制作工艺次数的方法包括:在进行上述至少两次曝光制作工艺中的至少一次中，使用挡板遮蔽晶片边缘管芯。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的中，第二图案的尺寸例如是大于第一图案的尺寸。基于上述，在本专利技术所提出的中，由于形成第二图案所进行的曝光制作工艺次数少于形成第一图案所进行的曝光制作工艺次数，可使得形成在晶片边缘管芯上的第二图案的稳定性高，因此可有效地防止在晶片边缘管芯上发生图案崩塌的情况，进而提闻广品的良率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。【附图说明】图1为本专利技术的一实施例的的流程图；图2为本专利技术的一实施例的晶片示意图；图3A至图3B为本专利技术的一实施例的图案的制造流程上视图；图4A至图4D为本专利技术的一实施例的图案的制造流程上视图；图5A至图为本专利技术的一实施例的图案的制造流程剖视图。符号说明100:晶片102:晶片内部管芯104:晶片边缘管芯106:边缘轮廓108:光致抗蚀剂层110、112:曝光部分114、116、126、128、226、228:图案118、218:材料层120、124、220、224:图案化光致抗蚀剂层122、222:开口300:挡板S100、S110、S112、S114、S116:步骤标号【具体实施方式】图1为本专利技术的一实施例的的流程图。图2为本专利技术的一实施例的晶片不意图。请参照图1，本实施例的包括下列步骤。首先，进行步骤S100，提供晶片，晶片包括多个晶片内部管芯与多个晶片边缘管-H-Λ ο以下，通过图2来说明本实施例的晶片。请参照图2，晶片100包括多个晶片内部管芯102与多个晶片边缘管芯104。晶片内部管芯102是位于晶片100的边缘轮廓106内部的管芯，有时也可称为良管芯(good die)。晶片边缘管芯104是位于晶片100的边缘轮廓106上的管芯,有时也可称为不完整管芯(partial die)。接着，请继续参照图1，进行步骤S110，在各晶片内部管芯上形成第一图案，且在各晶片边缘管芯上形成第二图案，其中第一图案的形成方法包括进行至少两次曝光制作工艺，第二图案的形成方法包括进行上述至少两次曝光制作工艺中的至少一次，且形成第二图案所进行的曝光制作工艺次数少于形成第一图案所进行的曝光制作工艺次数。由此，可使得第二图案成为第一图案的变形。由于形成第二图案所进行的曝光制作工艺次数少于形成第一图案所进行的曝光制作工艺次数，可使得形成在晶片边缘管芯上的第二图案的稳定性高，因此可有效地防止在晶片边缘管芯上发生图案崩塌的情况，进而提高产品的良率。至于上述至少两次曝光制作工艺中的次数并没有特别地限制，只要是形成第二图案所进行的曝光制作工艺次数少于形成第一图案所进行的曝光制作工艺次数即属于本专利技术所保护的范围。此外，第二图案的尺寸例如是大于第一图案的尺寸。上述至少两次曝光制作工艺可对不同的光致抗蚀剂层进行，也可对相同的光致抗蚀剂层进行。使形成第二图案所进行的曝光制作工艺次数少于形成第一图案所进行的曝光制作工艺次数的方法包括:在进行上述至少两次曝光制作工艺中的至少一次中，使用挡板遮蔽晶片边缘管芯。步骤SllO还可选择性的包括以下步骤S112、步骤S114及步骤S116中的至少一者。步骤S112，在晶片上形成至少一光致抗蚀剂层。当上述至少一光致抗蚀剂层为两层以上的光致抗蚀剂层时，这些光致抗蚀剂层可分别为不同光刻制作工艺中的光致抗蚀剂层。步骤S114，对晶片进行至少一次显影制作工艺。当上述至少两次曝光制作工艺是对不同的光致抗蚀剂层进行时，可分别对这些光致抗蚀剂层进行显影制作工艺。当上述至少两次曝光制作工艺是对相同的光致抗蚀剂层进行时，可在进行所有曝光制作工艺之后进行一次显影制作工艺，也可在进行每一当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图案形成方法，包括：提供一晶片，该晶片包括多个晶片内部管芯与多个晶片边缘管芯；以及在各该晶片内部管芯上形成一第一图案，且在各该晶片边缘管芯上形成一第二图案，其中该些第一图案的形成方法包括进行至少两次曝光制作工艺，该些第二图案的形成方法包括进行该至少两次曝光制作工艺中的至少一次，且形成该些第二图案所进行的曝光制作工艺次数少于形成该些第一图案所进行的曝光制作工艺次数。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：翁文毅，翁子文，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71