高散热的芯片封装结构制造技术

技术编号:12592825 阅读:49 留言:0更新日期:2015-12-24 18:36
一种高散热的芯片封装结构,适用于各种半导体芯片制造封装,包括:一芯片座,包括有上表面及下表面,在该上表面涂布有一层黏着剂;一半导体芯片,下方黏着于芯片座的上表面,上方则利用黏着剂与连通片相连接;一连通片,连接半导体芯片与导线架;一预贴膜,被黏贴于连通片的上方;一封胶,包覆组装完成的半导体晶面组。本实用新型专利技术主要利用在封装的过程中,于散热片或连通片的上表面先行黏设一段预贴膜,然后进行封装程序,在封装程序完成后,再将黏设于散热片或连通片的上表面的预贴膜去除,最后进行保护性的表面金属电镀,如此不但能降低半导体芯片模块于封装时的品质不佳及减少二次加工清除程序成本外,而能有效提高产品的散热性及导电性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种高散热的芯片封装结构,泛指各种半导体芯片制造封装之用,主要利用在封装程序进行前,先行于于散热片或连通片的上表面先行黏设一段预贴膜,尔后进行封装程序,当封装程序完成后,再将该预黏膜去除,然后进行保护性的表面金属电镀,以达到降低品质不佳、减少二次加工清除程序成本、提高产品散热性及导电性等优点。
技术介绍
传统的半导体芯片模块的构成,如图1所示,在芯片座I的上表面黏附一层黏着剂2,利用该黏着剂2将芯片3黏附于芯片座I的上表面,之后进行封胶4的包覆封装,然而此种芯片模块的封装,露出于封胶的部分仅有芯片座I的下表面,也就是说仅有这部分能够提供较佳的散热性,至于芯片3本身,因为被包覆于封胶4内,其散热性相当不好,于是容易造成芯片模块的损坏;而为了有效改善图1芯片模块的缺失,于是有业者创造出另一种半导体晶面模块的结构,如图2所示,就是在芯片座I的上表面同样黏附一层黏着剂2,并将芯片3黏附固设于芯片座I的上表面,的后在于该芯片3的上表面设置有一散热片5,当然,散热片5与芯片3的上表面的固定同样是利用黏着剂2完成,如此形成芯片模块后再进行封胶4的封装,但是,这样的结构在封装完成后,同样完全有露出于封胶的部分一样仅有芯片座I的下表面,至于散热片5虽然具有散热功效,但因为同样被包覆于封装4之中,所以其散热性并未被发挥到最佳状态,也有些业者会在封装完成后,再将附着于散热片5上的封胶4进行刮除程序,但这样的方式不仅耗费工时,相对也会提高加工成本,且刮除程序并不一定能将散热片5上的封胶4完全刮除干净,其散热性仍然有受到些许的阻碍;
技术实现思路
本技术的目的,在于提供一种高散热的芯片封装结构,泛指适用于各种半导体芯片制造封装之用,主要利用于散热片或连通片的上表面先行黏设一段预贴膜,然后进行封装程序,在封装程序完成后,再将黏设于散热片或连通片的上表面的预贴膜去除,最后进行保护性的表面金属电镀,以降低半导体芯片模块品质不佳、减少二次加工清除程序成本、有效提高产品散热性及导电性。为达上述目的,本技术提供一种高散热的芯片封装结构,其包括有:—芯片座,包括有上表面及下表面,在该上表面涂布有一层黏着剂,以供黏固半导体芯片;—半导体芯片,下方黏着于芯片座的上表面,上方则利用黏着剂与连通片相连接;一连通片,连接半导体芯片与导线架,以达到电性的连接;—预贴膜,被黏贴于连通片的上方;一封胶,包覆组装完成的半导体晶面组。上述的高散热的芯片封装结构,其中该连通片的材质为金、银、铜或铝。上述的高散热的芯片封装结构,其中该预贴膜是为可撕式的贴胶,且具有一定厚度。上述的高散热的芯片封装结构,其中于连通片原黏贴预贴膜的位置电镀一层金属层。为达上述目的,本技术还提供一种高散热的芯片封装结构,其包括有:—芯片座,包括有上表面及下表面,在该上表面涂布有一层黏着剂,以供黏固半导体芯片;—半导体芯片,下方黏着于芯片座的上表面,上方则利用黏着剂与连通片相连接;—散热导线架,利用黏胶被固定于半导体芯片的上方;一连通线,两端分别连通半导体芯片及散热导线架的导线架部分;一预贴膜,被黏贴于连通片的上方;一封胶,包覆组装完成的半导体晶面组。上述的高散热的芯片封装结构,其中该散热导线架的材质为金、银、铜或铝。上述的高散热的芯片封装结构,其中该预贴膜是为可撕式的贴胶,且具有一定厚度。上述的高散热的芯片封装结构,其中于散热导线架上方原黏贴预贴膜的位置电镀一层金属层。上述的高散热的芯片封装结构,其中在芯片座的上表面及下表面为封装有封胶的部分电镀一层金属层。以下结合附图和具体实施例对本技术进行详细描述,但不作为对本技术的限定。【附图说明】图1:为现有半导体芯片构造的组合剖视侧视图;图2:为另一现有半导体芯片构造的组合剖视侧视图;图3:为本技术高散热的芯片封装结构的半导体模块组合剖视侧视图;图4:为本技术高散热的芯片封装结构的半导体模块进行封装时的组合剖视侧视图;图5:为本技术高散热的芯片封装结构的半导体模块进行封装后的组合剖视侧视图;图6:为本技术高散热的芯片封装结构经过金属电镀后的组合剖视侧视图;图7:为本技术高散热的芯片封装结构的另一半导体模块组合剖视侧视图;图8:为本技术高散热的芯片封装结构的另一半导体模块进行封装时的组合剖视侧视图;图9:为本技术高散热的芯片封装结构的另一半导体模块进行封装后的组合剖视侧视图;图10:为本技术高散热的芯片封装结构的另一技术经过金属电镀后的组合剖视侧视图。其中,附图标记现有技术导线架I黏胶2芯片3封胶4散热片5本技术芯片座10上表面101下表面102黏胶20半导体芯片30连通片40第一面401预贴膜50封胶60散热导线架70上方701金属层80【具体实施方式】下面结合附图对本技术的结构原理和工作原理作具体的描述:请参阅图3至图6所示,主要包括有一芯片座10当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高散热的芯片封装结构,其特征在于,包括有:一芯片座,包括有上表面及下表面,在该上表面涂布有一层黏着剂,以供黏固半导体芯片;一半导体芯片,下方黏着于芯片座的上表面,上方则利用黏着剂与连通片相连接;一连通片,连接半导体芯片与导线架,以达到电性的连接;一预贴膜,被黏贴于连通片的上方;一封胶,包覆组装完成的半导体晶面组。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:资重兴
申请(专利权)人:杰群电子科技东莞有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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