本发明专利技术涉及一种LED封装硅胶，具体涉及一种高折射率的LED封装硅胶，属于胶粘剂技术领域。本发明专利技术的高折射率的LED封装硅胶，包括A组分和B组分，所述A组分与B组分的重量比为10:1；其中，所述A组分包括以下重量份的原料组分：甲基苯基乙烯基硅树脂80～90份，乙烯基二甲基二苯基聚硅氧烷8～18份，铂系催化剂0.1～0.3份，粘接剂1～5份；所述B组分包括以下重量份的原料组分：甲基苯基含氢硅树脂40～60份，端含氢二苯基聚硅氧烷40～60份，抑制剂0.1～0.3份。本发明专利技术的高折射率的LED封装硅胶具有硬度高、耐硫化、粘接性优异，且耐冷热冲击性能优异等有益效果。
【技术实现步骤摘要】
一种高折射率高韧性的耐硫化LED封装硅胶
本专利技术涉及一种高折射率的LED封装硅胶，特别是涉及一种高折射率、耐硫化、耐冷热冲击的LED封装硅胶，属于胶粘剂
技术介绍
随着LED应用越来越广泛，对LED封装材料的要求也越来越高。LED目前所用封装材料主要有环氧树脂与有机硅材料，环氧树脂内应力过大，黄变，耐高低温性能差，耐老化性能差，而有机硅材料，内应力小，耐高低温性能好，不黄变，综合性能明显优于环氧树脂，因此迅速取代环氧树脂，被广泛用于LED封装领域。而折射率高于1.50的高折射率的有机硅胶，以其更高的取光效率，用量日益增长。随着工业的发展，空气中的含硫量日益增加，如果封装材料选用不当，空气中的硫会穿过封装材料或其粘接界面，对支架的银层进行腐蚀，形成黑色硫化银，导致光衰急剧增加。因此这就给封装材料带来了新的挑战，必须提高耐硫化性能。目前国内高折射率的LED封装硅胶虽然折射率可以达到1.50～1.55之间，但是由于配方设计上普遍采用含有硅树脂，乙烯基硅油、含氢硅油等配合，硅树脂相对含量低，交联密度低，而且粘接效果不理想，所以导致耐硫化差，粘接界面易破坏等，而高硅树脂含量，高交联密度的LED封装硅胶虽然耐硫化性能提高，但因其过高的内应力，会导致材料的韧性降低，反应在使用中高低温冷热冲击死灯、封装材料开裂、粘接界面失效等现象发生。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的不足，提供一种高折射率的LED封装硅胶，具有硬度高、耐硫化、粘接性优异，且耐冷热冲击性能优异等有益效果。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种高折射率LED封装硅胶，包括A组分和B组分，所述A组分与B组分的重量比为10:1；其中，所述A组分的原料组成及配比如下：所述B组分的原料组成及配比如下：甲基苯基含氢硅树脂40～60重量份；端含氢二苯基聚硅氧烷40～60重量份；抑制剂0.1～0.3重量份。在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进。进一步，所述甲基苯基乙烯基硅树脂的分子式为(ViMe2SiO1/2)x(PhSiO3/2)y，其中，所述Me为甲基，Vi为乙烯基，Ph为苯基，x：y＝1:3.5～5。采用上述进一步方案的有益效果是，作为基体树脂，是一种硅树脂，含有乙烯基,提高产品强度与硬度,提高耐硫化性能。进一步，所述乙烯基二甲基二苯基聚硅氧烷的分子式为：(ViMe2SiO1/2)a(ViMePh2SiO1/2)b，其中，所述Me为甲基，Vi为乙烯基，Ph为苯基，10≤a≤70，10≤b≤70，并且a：b＝1:1。采用上述进一步方案的有益效果是，乙烯基二甲基二苯基聚硅氧烷的加入提供了可以参与反应的乙烯基，降低体系固化后的应力，提高了耐冷热冲击的性能。进一步，所述的粘接剂的结构式为：本专利技术的粘接剂含有环氧基与烷氧基官能团，其结构式如上所示。粘接剂的加入，提高了封装材料对塑料及金属基材的粘接性，并且环体的存在，进一步提高了聚合物耐硫化性能。进一步，所述铂系催化剂为铂-甲基苯基聚硅氧烷配合物或铂-烯烃配合物。优选的，所述铂系催化剂为铂-甲基苯基聚硅氧烷配合物，并且铂含量为3000～10000ppm。进一步，所述甲基苯基含氢硅树脂的分子式为：(HMe2SiO1/2)3(MePhSiO1/2)n(PhSiO3/2)4，其中，所述Me为甲基，Ph为苯基，4≤n≤6。采用上述进一步方案的有益效果是，本专利技术的甲基苯基含氢硅树脂作为交联剂，也是一种含氢的硅树脂，不仅提供了活泼氢参与交联反应，提高了交联密度，D链节(MePhSiO1/2)的存在，提高了整个体系的韧性，提高了耐冷热冲击性能，并且粘度低，对于整个体系起到粘度降低，强度、韧性提高的作用。进一步，所述端含氢二苯基聚硅氧烷的分子式为：(HMe2SiO1/2)1(Ph2SiO1/2)m，其中，所述Me为甲基，Ph为苯基，4≤m≤6。采用上述进一步方案的有益效果是，本专利技术的端含氢二苯基聚硅氧烷作为扩链剂，不仅提供了活泼氢参与扩链反应，提高了交联密度，提高了聚合物的韧性，提高了耐冷热冲击性能，并且粘度低，对于整个体系起到粘度降低，强度、韧性提高的作用。进一步，所述抑制剂选自乙炔基环己醇或1,1,3-三苯基-2-丙炔-1-醇。优选的，所述抑制剂为1,1,3-三苯基-2-丙炔-1-醇，其结构式为：本专利技术第二方面公开了制备前述高折射率LED封装硅胶的方法，包括A组分的制备步骤及B组分的制备步骤；其中，1)所述A组分的制备步骤如下：将甲基苯基乙烯基硅树脂80～90份，乙烯基二甲基二苯基聚硅氧烷8～18份，铂系催化剂0.1～0.3份，粘接剂1～5份依次加入搅拌机内，搅拌3～5h，混合均匀获得A组分；2)所述B组分的制备步骤如下：将甲基苯基含氢硅树脂40～60份，端含氢二苯基聚硅氧烷40～60份，抑制剂0.1～0.3份依次加入搅拌机内，搅拌3～5h，混合均匀获得B组分。本专利技术第三方面公开了前述高折射率LED封装硅的使用方法，为将所述A组分和B组分按重量比为10:1的配比混合均匀，真空脱泡20～40分钟，点胶或灌胶于待封装件上，先在100～120℃加热0.5～1.5小时，再在100～200℃加热3～5小时，固化即可。本专利技术的有益效果是：本专利技术高折射率的LED封装硅胶由A、B组分组成，A组分在反应中提供高强度的树脂、乙烯基、催化剂与粘接剂，B组分提供高强度的树脂、交联剂、扩链剂及抑制剂，本专利技术的高折射率的LED封装硅胶，除了乙烯基硅树脂以外，其固化剂为甲基苯基含氢硅树脂与端含氢二苯基聚硅氧烷相配合，硅树脂的含量增加，同时，增加了硅树脂中的苯基含量；另外，进一步增加了交联密度，提高了产品的硬度，提高了耐硫化性能，并且添加了特殊结构的粘接剂，从而固化后对基材附着力优异。采用硅树脂与适合聚硅氧烷相结合，交联剂与扩链剂相结合，降低固化后的材料的内应力，良好的界面粘接性，提高了产品的耐冷热冲击的性能及耐高温性能。具体实施方式以下对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。实施例11.原料甲基苯基乙烯基硅树脂：(ViMe2SiO1/2)(PhSiO3/2)5；乙烯基二甲基二苯基聚硅氧烷：(ViMe2SiO1/2)10(ViMePh2SiO1/2)10；铂系催化剂为铂-甲基苯基聚硅氧烷配合物；甲基苯基含氢硅树脂：(HMe2SiO1/2)3(MePhSiO1/2)5(PhSiO3/2)4；端含氢二苯基聚硅氧烷：(HMe2SiO1/2)1(Ph2SiO1/2)4；抑制剂为乙炔基环己醇。2.制备方法A组分的制备：称取甲基苯基乙烯基硅树脂80份，乙烯基二甲基二苯基聚硅氧烷18份，铂系催化剂0.1份，粘接剂2.9份依次加入搅拌机内混合3h搅拌均匀，即得所述A组分；B组分的制备：称取二甲基二苯基含氢硅树脂40份，端含氢二苯基聚硅氧烷59.8份，抑制剂1,1,3-三苯基-2-丙炔-1-醇0.2份。依次加入搅拌机内，混合3h搅拌均匀，即得所述B组分；使用时，将所述A组分、B组分按重量比为10:1的配比混合均匀，真空脱泡20分钟，点胶或灌胶于待封装件上，先在120℃加热1小时，再在150℃加热4小时，即可。实施例21.原料甲基苯基乙烯基硅树脂：(ViMe2SiO1/2)(PhSiO3/2)3.5；乙烯基本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高折射率LED封装硅胶，包括A组分和B组分，所述A组分与B组分的重量比为10:1；其中，所述A组分的原料组成及配比如下：所述B组分的原料组成及配比如下：甲基苯基含氢硅树脂 40～60重量份；端含氢二苯基聚硅氧烷 40～60重量份；抑制剂 0.1～0.3重量份。
【技术特征摘要】
1.一种高折射率LED封装硅胶，包括A组分和B组分，所述A组分与B组分的重量比为10:1；其中，所述A组分的原料组成及配比如下：所述B组分的原料组成及配比如下：甲基苯基含氢硅树脂40～60重量份；端含氢二苯基聚硅氧烷40～60重量份；抑制剂0.1～0.3重量份。所述甲基苯基乙烯基硅树脂的分子式为(ViMe2SiO1/2)x(PhSiO3/2)y，其中，所述Me为甲基，Vi为乙烯基，Ph为苯基，x：y＝1:3.5～5；所述乙烯基二甲基二苯基聚硅氧烷的分子式为：(ViMe2SiO1/2)a(ViMePh2SiO1/2)b，其中，所述Me为甲基，Vi为乙烯基，Ph为苯基，10≤a≤70，10≤b≤70，并且a：b＝1:1；所述铂系催化剂为铂-甲基苯基聚硅氧烷配合物或铂-烯烃配合物；所述铂-甲基苯基聚硅氧烷配合物中铂含量为3000～10000ppm；所述的粘接剂的结构式为：所述甲基苯基...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈维，庄恒冬，王建斌，陈田安，
申请(专利权)人：烟台德邦先进硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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