本发明专利技术涉及一种高密度电感的制造方法，包括以下步骤：在硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化，形成暴露部分第一金属图层的通孔；在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形；使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触；在所述深坑结构中填充BCB与磁粉的复合磁性材料并固化。本发明专利技术采用干湿混合法腐蚀工艺掏空平面线圈电感以下的硅衬底，然后通过丝网印刷工艺在电感背面的深坑中及电感正上方填充复合磁性材料，形成三明治结构(磁性材料-电感-磁性材料)提高电感值。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种无源器件的圆片级集成，特别是涉及。
技术介绍
磁性器件如电感器件及由它构成的电源变压器、滤波器、DC/DC变换器、放大器、振荡器和调谐器等是电子线路中必不可少的重要元器件，它们都是实现电子产品小尺寸、轻重量和高性能的关键之一，特别是由磁性薄膜微电感器件构成的微型化DC/DC变换器将广泛应用于各种便携式电子产品。因此市场对于研制高功率微型化集成电感器件提出了非常迫切的需求。相较于传统的分立磁芯电感，为符合系统整合的需求，集成磁性材料的微电感主要分为基于CMOS工艺与封装技术两大类。相较于在封装体内集成磁性材料电感，在硅上制作该电感则受限于硅工艺兼容性，电感线圈与磁性薄膜的厚度受到限制，典型的结构剖面图如图所示，电感的电感值较低、饱和电流较小、直流电阻较大。由于传统的封装成本较高，无法满足充分体现嵌入式无源器件的优越性。圆片级芯片尺寸封装(WLCSP)以其低成本，小尺寸在电子产品中得到了广泛应用，Amkor (UltraCSPTM)、Fraunhofer、Fujitsu (Super CSPTM)、Form Factor (WowTM, M0STTM)等多家公司和研究机构都有自己的圆片级封装技术。在圆片级封装中埋置无源器件能够很好的满足小型化，低成本，低功耗等要求。电感的一项重要指标是电感密度，电感密度越高，相同感值的电感元件所占的面积就越小。如何提高电感密度是本领域亟待解决的问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种高密度电感制造方法，用简单的工艺得到电感值的提高。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种高密度电感制造方法，该制造方法至少包括以下步骤:A.提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口 ；B.沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；使得该深坑结构底部剩余一层薄娃基板；C.在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；D.在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化，形成暴露部分第一金属图层的通孔；E.在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形；使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触；F.去除所述深坑结构底部剩余的一层薄硅基板；G.在所述深坑结构中填充BCB与磁粉的复合磁性材料并固化；H.在所述第二层金属图形上填充BCB与磁粉的复合磁性材料并固化。本专利技术所采取的技术方案是:首先在双面抛光的硅基板的一面上用KOH或TMAH等碱性溶液腐蚀出略大于金属线圈的深坑；通过光刻电镀工艺完成金属层；然后采用深反应离子(DRIE)或XeF2各向同性刻蚀气体将深坑底部剩余的硅刻蚀掉；最后通过丝网印刷工艺将BCB与磁粉的复合磁性材料对电感双面进行集成。本专利技术提出了用干湿混合腐蚀方案制作双面集成磁性材料的带底部镂空电感的方法。工艺步骤简单，与其他工艺兼容，且大幅提高了产品性能，在集成无源器件领域有很大潜力。该方法适应了产品的小型化，低成本化发展需求。【附图说明】图1是双面集成磁性材料的底部镂空电感的平面结构示意图。图2到图9是完成该电感各部分的步骤流程示意图。其中，图2是在基板双面形成一层掩膜层，并对背面进行图形化示意图。图3是在基板背面腐蚀出深坑结构示意图。图4是形成第一层金属图案不意图。图5是介质层有机物的旋涂及图形化示意图。图6是形成第二层金属图形示意图。图7是腐蚀掉深坑底部的剩余硅示意图。图8是磁性材料对深坑进行填充示意图。图9是磁性材料对电感正面进行填充示意图。元件标号说明硅基板100掩模层101第一层金属图形102介质层103第二层金属图形104第一层磁性材料105第二层磁性材料106【具体实施方式】以下由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。请参阅图1至图9。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本专利技术可实施的范畴。本专利技术提供，是集成磁性材料、底部镂空的电感制造方法，其主要特征包括以下几点:A.电感结构包括带有镂空结构的娃基板，聚酰亚胺Polyimide (PI)或苯并环丁稀Benzocyclobutene (BCB)等聚合物构成的介质层，以及镂空结构之上的金属线圈。B.硅基板上的镂空结构由以下方法制成:在双面抛光的硅基板的一面上用KOH或TMAH等碱性溶液腐蚀出在水平面上的投影面积略大于金属线圈投影面积(即第一、第二层金属图形)的深坑结构，该深坑深度为娃基板厚度减去30?lOOum，优选60um。C.基板上电感的制造步骤:a.溅射种子层，光刻电感线圈图形，电镀金属层，然后去除光刻胶和金属种子层；b.旋涂第一层5?15um聚合物(BCB或PI)作为介质层，优选为lOum，并通过光刻或刻蚀方法形成通孔，然后高温固化重复步骤a形成第二层金属层。D.双面磁性材料的集成方式:在底部镂空电感制作完成后，通过丝网印刷工艺将BCB与磁粉的复合磁性材料填充进底部深坑结构中，随后进行固化，所选用的磁粉材料可以是镍锌或猛锌铁氧体粉末，粉末平均粒径在1nm?5um之间。然后，在电感正面按照上述方式形成第二层磁性材料。本专利技术采用的硅衬底作为普通硅，其成本比较低。在完成最后一层金属布线后，采用深反应离子(DRIE)或XeF2各向同性刻蚀气体将深坑底部剩余的硅刻蚀掉。电镀金属选用铜，并且在最后一层铜(第二层金属图形)之上可以电镀一层薄金作为钝化层。电镀金属铜厚度为10?30um，优选为20um。有第一金属层和第二金属层构成的电感的形状为圆螺旋形、多边螺旋形或折线形，优选为阿基米德螺旋，其过渡光滑高频损耗小。在图1中，实现了硅基镂空结构100及其上面制造的平面线圈电感结构。其上的平面电感由两层金属线102、104组成。以及背面深坑中集成了磁性材料105。由于正对线圈其下的硅基板已经被掏空，然当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高密度电感的制造方法，其特征在于；该制造方法至少包括以下步骤：A.提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口；B.沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；使得该深坑结构底部剩余一层薄硅基板；C.在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；D.在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化，形成暴露部分第一金属图层的通孔；E.在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形；使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一金属图层接触；F.去除所述深坑结构底部剩余的一层薄硅基板；G.在所述深坑结构中填充BCB与磁粉的复合磁性材料并固化；H.在所述第二层金属图形上填充BCB与磁粉的复合磁性材料并固化。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑涛，罗乐，徐高卫，周杨，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。