LED驱动器和LED灯制造技术

本发明专利技术提供一种LED驱动器和LED灯，包括：控制单元和功率单元；所述控制单元与所述功率单元采用电气连接；所述功率单元采用氮化镓场效应管晶片；所述控制单元用于产生最小工作频率大于250K赫兹的控制信号；所述功率单元用于在所述控制单元的控制下将输入的交流电压转换成LED所需的直流电压。通过采用氮化镓MOSFET作为功率单元，配合控制单元产生的高频开关信号，减少寄生电感，并且该氮化镓MOSFET的干扰和损耗较小，开关速度较快，有效提高该LED驱动器的工作效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及电路领域，尤其涉及一种发光二极管(Light Emitting D1de，LED)驱动器和LED灯。
技术介绍
传统的用于交流-直流转换(AlternatingCurrent-direct Current，AC-DC)(90-264Vac)的LED驱动器使用的功率单元为硅高压金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, M0SFET),由于这种娃高压MOSFET管的器件寄生参数大，导通电阻大，干扰大及开关速度较慢等问题，导致LED驱动器的工作效率较低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供的LED驱动器和LED灯，用于解决由于这种硅高压MOSFET管的器件寄生参数大，导通电阻大，干扰大及开关速度较慢等问题，导致LED驱动器的工作效率较低的问题。本专利技术第一方面提供一种LED驱动器，包括:控制单元和功率单元；所述控制单元与所述功率单元采用电气连接；所述功率单元采用氮化镓场效应管晶片；所述控制单元用于产生最小工作频率大于250K赫兹的控制信号；所述功率单元用于在所述控制单元的控制下将输入的交流电压转换成LED所需的直流电压。在本专利技术的一实施例中，所述LED驱动器还包括:封装基板或者载片台；所述控制单元和所述氮化镓场效应管晶片固定在所述封装基板或者所述载片台上；所述控制单元和所述氮化镓场效应管晶片需要外接的电气点分别与所述封装基板或者所述载片台的引脚连接，并由塑封材料将所述控制单元和所述氮化镓场效应管晶片在所述封装基板或者所述载片台进行封装。在本专利技术的一实施例中，所述电气点包括所述氮化镓场效应管晶片的栅极、源极和漏极；所述氮化镓场效应管晶片的栅极与所述控制单元输出控制信号的端口连接；所述氮化镓场效应管晶片的源极与接地；所述氮化镓场效应管晶片的漏极与待驱动的所述LED的正极连接。在本专利技术的一实施例中，所述LED驱动器应用于降压斩波电路、升压斩波电路、降压-升压双向斩波电路、反激式直流转换电路、允许输出电压大于、小于或者等于输入电压的直流转换SEPIC电路、正激式直流转换电路或者半桥电路。本专利技术第二方面提供一种LED灯，包括:供电电路、驱动电路和至少一个发光二极管LED ;所述供电电路与所述驱动电路的输入端连接；所述驱动电路的输出端与所述至少一个LED连接；其中，所述驱动电路包括第一方面任一项所述的LED驱动器。本专利技术提供的LED驱动器和LED灯，包括采用氮化镓场效应管晶片的功率单元和控制单元，功率单元在控制单元的控制下将输入的交流电压转换成LED需要的直流电压，通过采用氮化镓MOSFET作为功率单元，在高频工作状态下，干扰、损耗较小及开关速度较快，有效提高该LED驱动器的工作效率。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术LED驱动器实施例一的原理不意图；图2为本专利技术LED驱动器应用于降压斩波电路的原理示意图；图3为本专利技术LED驱动器应用于降压-升压双向斩波电路的原理示意图；图4为本专利技术LED驱动器应用于升压斩波电路的原理示意图；图5为本专利技术LED驱动器应用于反激式直流转换电路的原理示意图；图6为本专利技术LED驱动器应用于另一种反激式直流转换电路的原理示意图；图7为本专利技术LED灯的结构示意图。【具体实施方式】为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1为本专利技术LED驱动器实施例一的原理不意图；如图1所不，本专利技术提供的LED驱动器包括:控制单元11和功率单元12 ;所述控制单元11与所述功率单元12采用电气连接；所述功率单元12采用氮化镓场效应管晶片；所述控制单元11用于产生最小工作频率大于250K赫兹的控制信号；所述功率单元12用于在所述控制单元11的控制下将输入的交流电压转换成LED所需的直流电压。在本实施例中，该所述LED驱动器除了控制单元11和功率单元12还包括:封装基板13或者载片台，该封装基板13的作用可载片台的作用类似，根据实际需求选择一种即可；所述控制单元11和所述氮化镓场效应管晶片固定在所述封装基板13或者所述载片台上；所述控制单元11和所述氮化镓场效应管晶片需要外接的电气点14分别与所述封装基板13或者所述载片台的引脚15连接，并由塑封材料16将所述控制单元11和所述氮化镓场效应管晶片在所述封装基板13或者所述载片台进行封装。如图1所示，示出了一种LED驱动器的集成电路(integrated circuit，IC)的结构示意图。该LED驱动器用于功率转换，将交流电压转换为LED所需的直流电压，该IC的所述控制单元11产生最小工作频率大于250KHZ的开关控制信号，所述功率单元12为氮化镓MOSFET晶片。所述控制单元11和氮化镓MOSFET晶片分别固定在封装基板13或带引脚架芯片的载片台上，控制单元11和氮化镓MOSFET晶片的电气点14通过金线、铜线、锡线或铝线等导线连接，与封装基板13或载片台上的引脚也通过导线连接，并由塑封材料封装成不同尺寸的集成电路，其中塑封材料16 —般采用树脂。其中，电气点包括控制单元11的连接点和氮化镓MOSFET晶片的三个电极，分别为GATE端、SOURCE端、和DRAIN端，即栅极、源极和漏极，所述氮化镓场效应管晶片的栅极与所述控制单元输出控制信号的端口连接；所述氮化镓场效应管晶片的源极与接地；所述氮化镓场效应管晶片的漏极与待驱动的所述LED的正极连接。GATE端提供驱动信号，同时控制单元检测外部的反馈信号，来控制驱动信号的频率和占空比，SOURCE端和DRAIN端与封装基板或载片台上的引脚通过导线连接，用于功率转换。本实施例提供的LED驱动器，包括采用氮化镓场效应管晶片的功率单元和控制单元，功率单元在控制单元的控制下将输入的交流电压转换成LED需要的直流电压，通过采用氮化镓MOSF当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED驱动器，其特征在于，包括：控制单元和功率单元；所述控制单元与所述功率单元采用电气连接；所述功率单元采用氮化镓场效应管晶片；所述控制单元用于产生最小工作频率大于250K赫兹的控制信号；所述功率单元用于在所述控制单元的控制下将输入的交流电压转换成LED所需的直流电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：万叶华，沈锦祥，
申请(专利权)人：生迪智慧科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31