一种像素电路、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例提供一种像素电路、显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，能够避免驱动晶体管阈值电压漂移对有源发光器件驱动电流的影响。该像素电路，包括：补偿单元、数据写入单元，驱动单元、第一储能单元、第二储能单元和显示单元。本实用新型专利技术实施例用于显示器制造。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，尤其涉及一种像素电路、显示面板和显示装置。
技术介绍
有源矩阵有机发光二极管面板（Active Matrix Organic Light Emitting Diode， 简称AMOLED)具有能耗低、生产成本低、视角宽、响应速度快等优点，因此AMOLED已经逐渐 取代传统的液晶显示器。有机发光二极管（OLED)属于电流驱动，其工作原理是电子和空穴 结合产生辐射光，也就是直接把电能转化为光能，所以显示时需要稳定的电流来控制发光。 目前OLED是通过一个驱动晶体管（英文：Drive Thin Film Transistor，简称： DTFT)进行驱动，DTFT通常是P型的开关管。DTFT的栅极连接数据输入端Vdata，源极连接 恒压的电源输入端V dd，漏极连接0LED。由源极的Vdd与栅极的V ^3之间产生电压差V c，从 而使得DTFT漏极的OLED导通，OLED的驱动电流IaED= K (V ss-Vth)2,其中Vth为DTFT本身 的阈值电压，K为常数。 由上述驱动电流公式可以看出，DTFT的阈值电压Vth会对流过OLED的驱动电流 Iimd会产生影响，而由于制造工艺的误差、器件老化等原因，会使各个像素单元中DTFT的阈 值电压V th产生漂移，对流过OLED的驱动电流造成偏差，进而影响显示效果。
技术实现思路
本技术的实施例提供一种像素电路、显示面板和显示装置，能够避免驱动晶 体管的阈值电压漂移对有源发光器件驱动电流的影响，进而提高了显示图像的均匀性。 为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案： -方面，提供一种像素电路，包括：补偿单元、数据写入单元，驱动单元、第一储能 单元、第二储能单元和显示单元； 所述补偿单元连接第一电平端、复位信号端、控制信号端、参考信号端、第一节 点、第二节点和第三节点；用于在所述控制信号端和所述复位信号端的控制下将所述第一 电平端的电平写入所述第二节点和所述第三节点；用于在所述复位信号端的控制下将所述 参考信号端的电平写入所述第一节点； 所述数据写入单元连接扫描信号端、数据信号端和所述第二节点，用于在所述扫 描信号端的控制下将所述数据信号端的信号写入所述第二节点； 所述第一储能单元连接所述第一节点和所述第二节点，用于存储所述第一节点和 所述第二节点间的电压； 所述第二储能单元连接所述第一电平端和所述第二节点，用于存储所述第一电平 端和所述第二节点间的电压； 所述驱动单元连接所述第一节点、第三节点和所述显示单元，用于在所述第一节 点和所述第二节点的控制下向所述显示单元输出驱动信号； 所述显示单元连接所述驱动单元和第二电平端，用于在所述驱动信号和所述第二 电平端的控制下显示灰阶。 可选的，所述补偿单元包括：第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管； 所述第二晶体管的栅极连接所述复位信号端，所述第二晶体管的第一端连接所述 第三节点，所述第二晶体管的第二端连接所述第二节点； 所述第三晶体管的栅极连接所述控制信号端，所述第三晶体管的第一端连接所述 第一电平端，所述第三晶体管的第二端连接所述第三节点； 所述第四晶体管的栅极连接所述复位信号端，所述第四晶体管的第一端连接所述 参考信号端，所述第四晶体管的第二端连接所述第一节点。 可选的，所述数据写入单元包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅极连接所述扫 描信号端，所述第一晶体管的第一端连接所述数据信号端，所述第一晶体管的第二端连接 所述第二节点。 可选的，所述驱动单元包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅极连接所述第一节 点，所述驱动晶体管的第一端连接所述第三节点，所述驱动晶体管的第二端连接所述显示 单元。 可选的，所述第一储能单元包括第一电容，所述第一电容的第一极连接所述第一 节点，所述第一电容的第二极连接所述第二节点。 可选的，所述第二储能单元包括第二电容，所述第二电容的第一极连接所述第一 电平端，所述第二电容的第二极连接所述第二节点。 可选的，所述显示单元包括有机发光二极管，所述发光二极管的第一极连接所述 驱动单元，所述发光二极管的第二极连接所述第二电平端。 -方面，提供一种显示面板，包括：上述任一像素电路。 -方面，提供一种显示装置，包括：上述的显示面板。 本技术的实施例提供一种像素电路、显示面板和显示装置，能够通过补偿单 元对驱动单元进行阈值电压补偿避免驱动单元的驱动晶体管的阈值电压漂移对有源发光 器件驱动电流的影响，进而提高了显示图像的均匀性。【附图说明】 为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例 或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅 是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提 下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为本技术实施例提供的一种像素电路结构示意图； 图2为本技术另一实施例提供的一种像素电路结构示意图； 图3为本技术实施例提供的如图2所示的像素电路的信号时序状态示意图； 图4a为本技术实施例提供的像素电路在第一时间段的等效电路示意图； 图4b为本技术实施例提供的像素电路在第二时间段的等效电路示意图； 图4c为本技术实施例提供的像素电路在第三时间段的等效电路示意图； 图4d为本技术实施例提供的像素驱动电路在第四时间段的等效电路示意 图； 图5为本技术的实施例提供的像素电路的阈值电压补偿效果示意图。【具体实施方式】 下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行 清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的 实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下 所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。 本技术所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他 特性相同的器件，根据在电路中的作用本技术的实施例所采用的晶体管主要为开关晶 体管。由于这里采用的开关晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。 在本技术实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中源极称为第一端，漏极称 为第二端。按附图中的形态规定晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、信号输出端 为漏极。此外本技术实施例所采用的开关晶体管包括P型开关晶体管和N型开关晶 体管两种，其中，P型开关晶体管在栅极为低电平时导通，在栅极为高电平时截止，N型开关 晶体管为在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止；驱动晶体管包括P型和N型，其 中P型驱动晶体管在栅极电压为低电平（栅极电压小于源极电压），且栅极源极的压差的 绝对值大于阈值电压时处于放大状态或饱和状态；其中N型驱动晶体管的栅极电压为高电 平（栅极电压大于源极电压），且栅极源极的压差的绝对值大于阈值电压时处于放大状态 或饱和状态。 参照图1所示，本技术的实施例提供一种像素电路，包括：补偿单元11、数据 写入单元12,驱动单元13、第一储能单元14、第二储能单元15和显示单元16 ; 补偿单元11连接第一电平端VI、复位信号端RESET、控制信号端EM、参本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电路，其特征在于，包括：补偿单元、数据写入单元，驱动单元、第一储能单元、第二储能单元和显示单元；所述补偿单元连接第一电平端、复位信号端、控制信号端、参考信号端、第一节点、第二节点和第三节点；用于在所述控制信号端和所述复位信号端的控制下将所述第一电平端的电平写入所述第二节点和所述第三节点；用于在所述复位信号端的控制下将所述参考信号端的电平写入所述第一节点；所述数据写入单元连接扫描信号端、数据信号端和所述第二节点，用于在所述扫描信号端的控制下将所述数据信号端的信号写入所述第二节点；所述第一储能单元连接所述第一节点和所述第二节点，用于存储所述第一节点和所述第二节点间的电压；所述第二储能单元连接所述第一电平端和所述第二节点，用于存储所述第一电平端和所述第二节点间的电压；所述驱动单元连接所述第一节点、第三节点和所述显示单元，用于在所述第一节点和所述第二节点的控制下向所述显示单元输出驱动信号；所述显示单元连接所述驱动单元和第二电平端，用于在所述驱动信号和所述第二电平端的控制下显示灰阶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马占洁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11