一种功率因数校正控制芯片的启动检测电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种功率因数校正控制芯片的启动检测电路，包括功率因数校正控制芯片、第一电阻R1、二极管V1、第二电阻R2、电容C1、MOS管V2，第一电阻R1的第一端与功率因数校正控制芯片的门驱动脚相连，第一电阻R1的第二端与二极管V1的阳极相连，二极管V1的阴极与第二电阻R2的第一端相连，第二电阻R2的第二端接控制地，电容C1与第二电阻R2并连，MOS管的栅极与二极管V1的阴极相连，MOS管的源极与控制地相连，MOS管漏极接至DC/DC变换电路的启动控制。本实用新型专利技术电路适用于中小功率的开关电源，相对于传统的功率因数校正启动检测电路，本实用新型专利技术电路具有电路简洁，无需外接电源等优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电子
，具体涉及一种功率因数校正控制芯片的启动检测电路。
技术介绍
在开关电源中，一般情况下，DC/DC变换电路需要接入不受输入电压波动影响且稳定的直流电压才能正常工作(例如LLC电路)。目前采用的方法主要是在DC/DC变换电路前级接入功率因数校正电路，以使输入直流电压更稳定。但是大多数功率因数校正控制芯片没有启动标识引脚，以方便后级电路判断功率因数校正电路是否正常启动。如果后级电路先启动，而功率因数校正电路尚未启动，会导致后级电路不能正常工作，且会对功率因数校正电路带来较大的冲击，严重时会损坏功率器件。如图1所示，目前功率因数校正启动检测主要的方法是检测直流母线电压。采用这种方法时，由于是从高压母线上进行取样，必然会带来较大功率损耗，同时这种检测电路中一般需要接入比较器，电路比较复杂。
技术实现思路
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本技术的目的是提供一种功率因数校正控制芯片的启动检测电路，用以判断功率因数校正芯片是否已经启动，作为后级电路(如LLC电路)是否启动的依据。为实现上述目的，本技术采用以下技术方案:—种功率因数校正控制芯片的启动检测电路，包括功率因数校正控制芯片，其特征在于还包括第一电阻Rl、二极管Vl、第二电阻R2、电容Cl、MOS管V2，所述第一电阻Rl的第一端与功率因数校正控制芯片的门驱动脚相连，所述第一电阻Rl的第二端与二极管Vl的阳极相连；所述二极管Vl的阴极与第二电阻R2的第一端相连，第二电阻R2的第二端接控制地；所述电容Cl与第二电阻R2并连；所述MOS管V2的栅极与二极管Vl的阴极相连，MOS管V2的源极与控制地相连，MOS管V2漏极接至DC/DC变换电路的启动控制。更进一步地，所述第二电阻R2的阻值应大于IM Ω。更进一步地，所述MOS管为小信号MOS管。通过检测功率因数校正芯片门驱动脚是否有驱动波形来判断功率因数校正电路是否启动。这种电路适用于中小功率的开关电源，相对于传统的功率因数校正启动检测电路，本技术电路具有电路简洁，无需外接电源等优点。【附图说明】图1是现有技术提供的功率因数校正电路启动检测电路图；图2是本技术提供的一种功率因数校正控制芯片的启动检测电路电路图；图3是本技术提供的一种功率因数校正控制芯片的启动检测电路的具体实施例。【具体实施方式】为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。此外，下面所描述的本技术各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。图2为本技术提供的一种功率因数校正控制芯片的启动检测电路，包括功率因数校正控制芯片、第一电阻R1、二极管V1、第二电阻R2、电容Cl、MOS管V2，第一电阻Rl的第一端与功率因数校正控制芯片的门驱动脚相连，第一电阻Rl的第二端与二极管Vl的阳极相连；二极管Vl的阴极与第二电阻R2的第一端相连，第二电阻R2的第二端接控制地；电容Cl第一端与第二电阻R2第一端相连，电容Cl第二端与第二电阻R2第二端相连；M0S管的栅极与二极管Vl的阴极相连，MOS管的源极与控制地相连，MOS管漏极接至DC/DC变换电路的启动控制。其中第二电阻R2的阻值应大于1ΜΩ，MOS管为小信号MOS管。本技术电路工作原理如下:当功率因数校正控制芯片正常启动时，芯片的门驱动脚有驱动脉冲信号，驱动脉冲信号通过第一电阻R1、二极管Vl给电容Cl充电，从而得到判断功率因数校正控制芯片是否启动的电平信号。第一电阻Rl为电容Cl的充电限流电阻，二极管Vl起单向隔离作用。在有驱动脉冲信号时，第二电阻R2用于控制电平信号的幅度。此时MOS管V2的栅极有5V到12 V的电平，当负载大小不一样会影响MOS管V2栅极的电平高低，此时MOS管V2导通，MOS管V2的漏极为低电平。后级DC/DC电路通过对MOS管V2漏极电压的判断，即可启动。如果功率因数校正电路没有正常启动，则芯片的门驱动脚没有驱动脉冲信号，电阻R2用于对电容Cl进行放电。此时MOS管V2的栅极电压为低电平，MOS管V2无法导通，MOS管V2的漏极为高阻状态，后级DC/DC电路不启动。图3为一种功率因数校正控制芯片的启动检测电路具体实施例，其中功率因数校正控制芯片采用IR1150系列中的IR1155、电阻Rl为100 Ω、二极管Vl为1N4148、电阻R2为2M Ω、电容Cl为0.1 μ F、MOS管V2为2Ν7002，DC/DC变换电路为L6599D，另外PFC控制芯还可以是0Β6573、0Β6572等系列芯片。本实用型型已经在上述具体实施例中成功通过测试，能够有效的检测功率因数校正芯片是否启动，为后级电路(如LLC电路)是否启动提供依据。以上内容是结合本技术的较佳实施例所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种功率因数校正控制芯片的启动检测电路，包括功率因数校正控制芯片，其特征在于还包括第一电阻、二极管、第二电阻、电容、MOS管，所述第一电阻的第一端与功率因数校正控制芯片的门驱动脚相连，所述第一电阻的第二端与二极管的阳极相连；所述二极管的阴极与第二电阻的第一端相连，第二电阻的第二端接控制地；所述电容与第二电阻并连；所述MOS管的栅极与二极管的阴极相连，MOS管的源极与控制地相连，MOS管漏极接至DC/DC变换电路的启动控制。【专利摘要】本技术公开了一种功率因数校正控制芯片的启动检测电路，包括功率因数校正控制芯片、第一电阻R1、二极管V1、第二电阻R2、电容C1、MOS管V2，第一电阻R1的第一端与功率因数校正控制芯片的门驱动脚相连，第一电阻R1的第二端与二极管V1的阳极相连，二极管V1的阴极与第二电阻R2的第一端相连，第二电阻R2的第二端接控制地，电容C1与第二电阻R2并连，MOS管的栅极与二极管V1的阴极相连，MOS管的源极与控制地相连，MOS管漏极接至DC/DC变换电路的启动控制。本技术电路适用于中小功率的开关电源，相对于传统的功率因数校正启动检测电路，本技术电路具有电路简洁，无需外接电源等优点。【IPC分类】G05F1/70【公开号】CN204883462【申请号】CN201520463083【专利技术人】曹满欣 【申请人】武汉永力科技股份有限公司【公开日】2015年12月16日【申请日】2015年7月1日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率因数校正控制芯片的启动检测电路，包括功率因数校正控制芯片，其特征在于还包括第一电阻、二极管、第二电阻、电容、MOS管，所述第一电阻的第一端与功率因数校正控制芯片的门驱动脚相连，所述第一电阻的第二端与二极管的阳极相连；所述二极管的阴极与第二电阻的第一端相连，第二电阻的第二端接控制地；所述电容与第二电阻并连；所述MOS管的栅极与二极管的阴极相连，MOS管的源极与控制地相连，MOS管漏极接至DC/DC变换电路的启动控制。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹满欣，
申请(专利权)人：武汉永力科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42