交流驱动QLED及其制备方法技术

本发明专利技术适用于量子点二极管发光领域，提供了一种交流驱动QLED及其制备方法。所述交流驱动QLED包括阳极层、量子点发光层和阴极层，还包括第一介电层、第二介电层、第一p-n结型电荷产生层和第二p-n结型电荷产生层，所述第一介电层、第一p-n结型电荷产生层、量子点发光层、第二p-n结型电荷产生层、第二介电层和所述阴极层依次层叠设置在所述阳极层上，其中，所述第一p-n结型电荷产生层、第二p-n结型电荷产生层均包括层叠设置的p型电荷产生层和n型电荷产生层，且所述量子点发光层上下表面分别层叠所述p型电荷产生层和所述n型电荷产生层；或所述量子点发光层上下表面分别层叠所述n型电荷产生层和所述p型电荷产生层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于，尤其涉及一种交流驱动QLED及其制备方法。
技术介绍
量子点发光二极管(QLED)作为一种新兴的高效电致发光器件，近年来受到了广泛的关注。QLED的工作原理与有机发光二极管(OLED)非常接近，都是外电路通过正负两个电极分别向器件内注入电子和空穴，注入的载流子通过载流子注入层和传输层到达发光层复合发光。不同的是，在OLED中，发光层主要采用具有共轭结构的有机分子，尽管这类材料有着良好的发光特性，但是稳定性欠佳。而在QLED中，发光层由无机量子点材料来担当，相比于共轭有机分子材料，无机量子点具有更强的化学稳定性，因此，用其制备的发光器件具有更长的使用寿命。除此之外，QLED的电致发光光谱具有更窄的半高宽，它在色纯度上要优于OLED。鉴于QLED具有上述优异性能，其市场前景十分可观。现有QLED中，从成像显示的角度来看，红色和绿色QLED都实现了非常不错的器件性能，其中已报道的红色QLED中，量子效率最高已经超过20 %。虽然蓝色QLED器件在成像显示方面较红色和绿色QLED稍差，但仍处于不断的发展进步之中。从器件结构来看，QLED有着明显的正负极区分，属于直流驱动型器件。在没有外加电信号时，器件内存在着一个具有明显取向的内建电场，只有在两端加上直流电的情况下器件才能正常工作，目前这种结构器件已经较为成熟。对于这种需要直流驱动的器件而言，能够正常工作的前提条件是有稳定的直流电供应。然而，由于实际生活中用电通常是220V、50Hz的交流电，因此，为了保证直流驱动QLED的正常工作，就需要给设备额外加装高性能交流-直流转换装置，这样一来，不但增加了系统集成的复杂程度，而且在交流-直流转换的过程中会出现能量的损失，不利于节能环保。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种设置有p-n结型电荷产生层和防止电极电荷注入的介电层的交流驱动QLED，旨在解决现有直流驱动QLED需要加装电流转换装置，由此增加了系统集成的复杂程度，同时电流转换过程中出现能量损失的问题。本专利技术的另一目的在于提供一种交流驱动QLED的制备方法。本专利技术是这样实现的，一种交流驱动QLED，包括阳极层、量子点发光层和阴极层，还包括第一介电层、第二介电层、第一 P-n结型电荷产生层和第二 P-n结型电荷产生层，所述第一介电层、第一 p-n结型电荷产生层、量子点发光层、第二 p-n结型电荷产生层、第二介电层和所述阴极层依次层叠设置在所述阳极层上，其中，所述第一 p-n结型电荷产生层、第二 p-n结型电荷产生层均包括层叠设置的P型电荷产生层和η型电荷产生层，且所述量子点发光层上下表面分别层叠所述P型电荷产生层和所述η型电荷产生层；或所述量子点发光层上下表面分别层叠所述η型电荷产生层和所述P型电荷产生层。以及，本专利技术提供了一种交流驱动QLED的制备方法，包括以下步骤:提供阳极层基板，在所述阳极层基板上沉积第一介电层；在所述第一介电层上依次沉积第一 p-n结型电荷产生层、量子点发光层、第二 p-n结型电荷产生层、第二介电层和阴极层。本专利技术提供的交流驱动QLED，设置有防止电极电荷注入的介电层，同时以p-n结型电荷产生单元作为电荷产生层，由此，得到能够使用交流电驱动的QLED器件。该交流驱动QLED有效避免了电流转换装置的使用，降低了系统集成的复杂程度，同时，避免了电流转换过程中出现的能量损失，降低了能耗。此外，本专利技术QLED的介电层，可以有效阻止水氧向器件内部渗透，从而增加了 QLED器件的稳定性。本专利技术提供的交流驱动QLED的制备方法，工艺简单、可控，且得到的QLED器件稳定性高，易于实现产业化。【附图说明】图1是本专利技术实施例提供的交流驱动QLED结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的含有空穴阻挡层和电子阻挡层的交流驱动QLED结构示意图；图3是本专利技术实施例提供交流驱动QLED在一个交流周期内的工作原理。【具体实施方式】为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。结合图1-3，本专利技术实施例提供了一种交流驱动QLED，包括阳极层1、量子点发光层3和阴极层7，还包括第一介电层2、第二介电层6、第一 p-n结型电荷产生层3和第二 p-n结型电荷产生层5，所述第一介电层2、第一 p-n结型电荷产生层3、量子点发光层4、第二P-n结型电荷产生层5、第二介电层6和所述阴极层7依次层叠设置在所述阳极层I上，其中，所述第一 p-n结型电荷产生层3、第二 p-n结型电荷产生层5均包括层叠设置的P型电荷产生层和η型电荷产生层，且所述量子点发光层3上下表面分别层叠所述P型电荷产生层和所述η型电荷产生层；或所述量子点发光层3上下表面分别层叠所述η型电荷产生层和所述P型电荷产生层。具体的，本专利技术实施例中，所述阳极层I设置在衬底基板O上。所述衬底基板O的选用不受限制，本领域常规衬底基板都能用于本专利技术实施例中。具体的，所述衬底基板O可以为刚性衬底基板，如玻璃基板；当然，所述衬底基板O也可以为柔性衬底基板，当使用柔性衬底基板时，需要将其中的柔性膜贴附在所述刚性衬底基板后，再制作其他层结构。本专利技术实施例所述阳极层1、所述阴极层7电极材料的选用不受限制，可以采用QLED领域常用的阳极材料和阴极材料。作为一个具体实施例，所述阳极层I为ITO电极。作为另一个具体实施例，所述阴极材料为金属材料，具体包括但不限于金、银、铜、铝。与常规在阴极、阳极直接设置载流子传输层不同，本专利技术实施例中，所述阳极层I和所述阴极层7上分别设置有防止两端电极电荷注入的第一介电层2和第二介电层6。所述第一介电层2和第二介电层6中，首先，介电材料的绝缘性对防止两端电极电荷注入有着至关重要的影响。所述介电材料的介电常数越大，其对电极载流子的阻挡能力越好。作为一个优选实施例，所述第一介电层2和第二介电层6介电常数范围是1-50。其次，由于QLED器件产生的光子需经过介电层被抽取出器件，因此，在可见光范围内有着良好的透光性的介电材料，可以提高所述QLED器件的光取出率。此外，由于介电层上会继续沉积其他材料的，因此成膜特性良好的介电材料，可以形成均匀致密平整的薄膜，有利于后续材料的沉积。有鉴于此，作为优选实施例，所述所述第一介电层、第二介电层由金属氧化物制成。所述金属氧化物属于绝缘材料，具有高介电常数，且透光性和成膜性均较好。作为具体优选实施例，所述金属氧化物为氧化娃、氧化铝、氧化給、氧化钽中的至少一种。进一步地，优选介电常数高达25的氧化铪为介电层材料。为了有效保证所述第一介电层2、第二介电层6上述功能的实现，作为优选实施例，所述第一介电层2和/或第二介电层6的厚度范围为20-500nm。当然，应当理解，当所述介电材料不同时，所述第一介电层2、第二介电层6的厚度会有差异。例如，当使用氧化铪做为介电层材料时，所述氧化铪的厚度优选为40-50nm。由于所述第一介电层2、第二介电层6的设置，两端电极电荷的注入受阻挡，QLED器件中用来复合发光的载流子不再是外电路注入的载流子。因此，为了保证所述QLED能够正常发光，需要提供新的载流子来源。本专利技术实施例中，在所述第一介电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种交流驱动QLED，包括阳极层、量子点发光层和阴极层，其特征在于，还包括介电层第一介电层、第二介电层、第一p‑n结型电荷产生层和第二p‑n结型电荷产生层，所述第一介电层、第一p‑n结型电荷产生层、量子点发光层、第二p‑n结型电荷产生层、第二介电层和所述阴极层依次层叠设置在所述阳极层上，其中，所述第一p‑n结型电荷产生层、第二p‑n结型电荷产生层均包括层叠设置的p型电荷产生层和n型电荷产生层，且所述量子点发光层上下表面分别层叠所述p型电荷产生层和所述n型电荷产生层；或所述量子点发光层上下表面分别层叠所述n型电荷产生层和所述p型电荷产生层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖标，付东，谢相伟，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44