【技术实现步骤摘要】
本技术涉及光电子学
,尤其涉及一种用于光电子器件用的ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜。
技术介绍
20世纪80年代末以来,由于信息及光电子产业的发展壮大,对于半导体材料光电特性提出更高要求,因而加速了以Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物为代表的第三代半导体材料的研究进展。氧化锌(ZnO)材料的同质结和异质结在声表面波、透明电极、发光器件等领域有着巨大的发展潜力,成为人们广泛关注的焦点。ZnO是一种六角纤锌矿结构的宽禁带直接带隙n型半导体材料,晶格常数a=0.325nm,c=0.521nm,室温下禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能为60meV,具有良好的化学稳定性、无毒、原料丰富、价格低廉等优势。然而,这些同质结和异质结的电学性能达不到实际应用的要求。主要是由于p型材料限制了其电学性能,p型ZnO材料可重复性差,很难制备高质量的p型ZnO,而Si、NiO、CuAlO2、ZnMgO等p型材料与ZnO存在较大的晶格失配,所制备的ZnO异质结的光电性能有一定的局限性。因此,需要寻找一种与ZnO晶格匹配性好的p型材料。硫化锌(ZnS)是一种宽禁带直接带隙p型半导体材料,晶格常数a=0.381nm,c=0.623nm,室温下禁带宽度为3.72eV,折射率为2.35,在太阳能电池以及短波长光电子器件等领域有着广泛的应用。此外,由于O和S是同族元素,且离子半径相差不大。因此,ZnO和ZnS的晶格匹配好,高性能的ZnO/ZnS异质p-n结有利于制备高品质的光电子器件膜。近年来,低维纳米材料表现出一系列优异的特性,因此纳米线、纳米棒、纳米管等结构 ...
【技术保护点】
一种光电子器件ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜,其特征在于:它包括有从内至外依次结合的玻璃衬底层、ZnO种子层、ZnO纳米棒层、ZnS纳米棒层,ZnO种子层涂覆在以玻璃衬底层为基底的光洁表层上,ZnO纳米棒层有序生长在ZnO种子层上呈纳米棒状结构,ZnS纳米棒层生长在ZnO纳米棒层上形成异质结。
【技术特征摘要】
1.一种光电子器件ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜,其特征在于:它包括有从内至外依次结合的玻璃衬底层、ZnO种子层、ZnO纳米棒层、ZnS纳米棒层,ZnO...
【专利技术属性】
技术研发人员:钟文武,李志刚,刘彦平,詹白勺,
申请(专利权)人:台州学院,钟文武,詹白勺,
类型:新型
国别省市:浙江;33
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