本实用新型专利技术提供了一种高性能泛用型变频器，主要包括外壳，外壳包括呈相对设置的第一侧板、第二侧板，外壳顶端设有顶板，底部设有底板，外壳内设有驱动板和控制板，驱动板和控制板呈相对倾斜设置，驱动板和控制板之间形成散热通道，驱动板和控制端上端设有散热器，第一侧板上设有第一散热孔，第二侧板上设有第二散热孔驱动板上设有SPWM发生及驱动模块，控制板上设有智能集成功率模块、驱动保护模块、整流滤波模块，本实用新型专利技术结构简单，精度高，运行可靠，具有高效的散热效果，在控制板上增加智能集成功率模块，其具有低饱和电压和耐高压、强电流的优点。
【技术实现步骤摘要】
:本技术涉及变频器领域，尤其涉及一种高性能泛用型变频器。
技术介绍
:变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置，能实现对交流异步电机的软起动、变频调速、提高运转精度、改变功率因数、过流/过压/过载保护等功能。在工业设备中得到了广泛的应用。变频器功能是把现有的电源变换成各种频率的交流电源，以实现电机的变速运行的设备，变频器是可以进行调频调压的交流电源，可以一台变频器同时驱动多台电动机，从而节省设备的投资，变频器通过交流-直流-交流的电源后，驱动异步电机，所以利用变频器驱动电动机的电源功率因素较高，而不受电动功率因素影响。按照用途分类，变频器可以分为通用变频器、高性能专用变频器、高频变频器、单相变频器和三相变频器等。现有技术中的通用变频器性能低、运行可靠性差，散热效果不好容易造成内部电子元器件烧坏，
技术实现思路
:为了解决上述问题，本技术提供了一种结构简单，精度高，运行可靠，具有高效的散热效果，同时还具有低饱和电压和耐高压、强电流的优点的技术方案:—种高性能泛用型变频器，主要包括外壳，外壳包括呈相对设置的第一侧板、第二侧板，外壳顶端设有顶板，底部设有底板，外壳内设有驱动板和控制板，驱动板和控制板呈相对倾斜设置，驱动板和控制板之间形成散热通道，驱动板和控制板上端设有散热器，第一侧板上设有第一散热孔，第二侧板上设有第二散热孔，驱动板上设有SPffM发生及驱动模块，控制板上设有智能集成功率模块、驱动保护模块、整流滤波模块。作为优选，智能集成功率模块主要包括微处理器、过流保护模块、过压保护模块、过热保护模块、功率开关模块，微处理器分别连接过流保护模块、过压保护模块、过热保护模块、功率开关模块，功率开关模块连接负载电机，微处理器还连接SPffM发生及驱动模块、整流滤波模块，SPffM发生及驱动模块连接驱动保护模块。作为优选，顶板上设有支柱，散热器上设有套孔，套孔套接在支柱上。作为优选，SPffM发生及驱动模块主要包括六个电阻、三个三极管、两个电容、两个二极管以及场效应晶体管、光耦，电阻A串联电阻B与光耦的一个输出端相连，三极管A基极连接电容A —端、电阻A与电阻B交接点，三极管A集电极分别连接电阻C 一端、三极管B基极，三极管2B射极与三极管C发射极相连，三极管C基极连接三极管A发射极，光耦另一个输出端连接三极管C集电极、二极管A正极、电阻B —端，电容B并联二极管A，二极管A负极连接电阻D，三极管B发射极通过电阻E连接场效应晶体管栅极，电阻F与串联连接的二极管B、二极管C并联后接在场效应晶体管的栅极，二极管D接在场效应晶体管源极和漏极之间。本技术的有益效果在于:(I)本技术结构简单，精度高，运行可靠，在外壳的上端设置散热器，在侧板上设置散热孔，具有高效的散热效果。(2)本技术在外壳内的控制板上增加智能集成功率模块，其具有低饱和电压和耐高压、强电流的优点。【附图说明】:图1为本技术的整体连接结构图；图2为本技术的各模块连接结构图；图3为本技术的SPffM发生及驱动模块电路图。【具体实施方式】:为使本技术的专利技术目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术的实施方式作进一步地详细描述。如图1-2所示，一种高性能泛用型变频器，主要包括外壳1，外壳I包括呈相对设置的第一侧板2、第二侧板3，外壳I顶端设有顶板4，底部设有底板5，外壳I内设有驱动板6和控制板7，驱动板6和控制板7呈相对倾斜设置，驱动板6和所述控制板7之间形成散热通道，驱动板6和控制板7上端设有散热器8，顶板4上设有支柱，所述散热器8上设有套孔，套孔套接在支柱上，第一侧板2上设有第一散热孔21，第二侧板3上设有第二散热孔31，驱动板6上设有SPffM发生及驱动模块61，控制板7上设有智能集成功率模块、驱动保护模块71、整流滤波模块72。本技术在外壳的上端设置散热器，在侧板上设置散热孔，具有高效的散热效果。智能集成功率模块主要包括微处理器73、过流保护模块74、过压保护模块75、过热保护模块76、功率开关模块77，微处理器73分别连接过流保护模块74、过压保护模块75、过热保护模块76、功率开关模块77，功率开关模块77连接负载电机78，微处理器73还连接SPffM发生及驱动模块61、整流滤波模块72，SPffM发生及驱动模块61连接驱动保护模块71。智能集成功率模块式一种先进的功率开关器件，具有大功率晶体管高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点，本技术在外壳内的控制板上增加智能集成功率模块，其具有低饱和电压和耐高压、强电流的优点。如图3所示，SPffM发生及驱动模块61主要包括六个电阻、三个三极管、两个电容、两个二极管以及场效应晶体管、光耦，电阻A Ia串联电阻B 2a与光耦f的一个输出端相连，三极管A Id基极连接电容A Ib—端、电阻A Ia与电阻B 2a交接点，三极管A Id集电极分别连接电阻C 3a—端、三极管B 2d基极，三极管B 2d发射极与三极管C 3d发射极相连，三极管C 3d基极连接三极管A Id发射极，光耦f另一个输出端连接三极管C 3d集电极、二极管A Ic正极、电阻B 2b—端，电容B 2b并联二极管A lc，二极管A Ic负极连接电阻D 4a，三极管B 2d发射极通过电阻E 5a连接场效应晶体管e栅极，电阻F 6a与串联连接的二极管B 2c、二极管C 3c并联后接在场效应晶体管e的栅极，二极管D 4c接在场效应晶体管e源极和漏极之间。SPffM发生及驱动模块61可实现负载电机转速的连续调节和正反向切换。上述实施例只是本技术的较佳实施例，并不是对本技术技术方案的限制，只要是不经过创造性劳动即可在上述实施例的基础上实现的技术方案，均应视为落入本技术专利的权利保护范围内。【主权项】1.一种高性能泛用型变频器，主要包括外壳(I)，其特征在于:所述外壳(I)包括呈相对设置的第一侧板(2)、第二侧板(3)，所述外壳(I)顶端设有顶板(4)，底部设有底板(5)，所述外壳⑴内设有驱动板(6)和控制板(7)，所述驱动板(6)和所述控制板(7)呈相对倾斜设置，所述驱动板(6)和所述控制板(7)之间形成散热通道，所述驱动板(6)和所述控制板(7)上端设有散热器(8)，所述第一侧板⑵上设有第一散热孔(21)，所述第二侧板(3)上设有第二散热孔(31)，所述驱动板(6)上设有SPffM发生及驱动模块(61)，所述控制板(7)上设有智能集成功率模块、驱动保护模块(71)、整流滤波模块(72)。2.根据权利要求1所述的一种高性能泛用型变频器，其特征在于:所述智能集成功率模块主要包括微处理器(73)、过流保护模块(74)、过压保护模块(75)、过热保护模块(76)、功率开关模块(77)，所述微处理器(73)分别连接所述过流保护模块(74)、所述过压保护模块(75)、所述过热保护模块(76)、所述功率开关模块(77)，所述功率开关模块(77)连接负载电机(78)，所述微处理器(73)还连接所述SPffM发生及驱动模块(61)、所述整流滤波模块(72)，所述SPffM发生及驱动模块￠1)连接所述驱动保护模块(71)。3.根据权利要求1所述的一种本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高性能泛用型变频器，主要包括外壳(1)，其特征在于：所述外壳(1)包括呈相对设置的第一侧板(2)、第二侧板(3)，所述外壳(1)顶端设有顶板(4)，底部设有底板(5)，所述外壳(1)内设有驱动板(6)和控制板(7)，所述驱动板(6)和所述控制板(7)呈相对倾斜设置，所述驱动板(6)和所述控制板(7)之间形成散热通道，所述驱动板(6)和所述控制板(7)上端设有散热器(8)，所述第一侧板(2)上设有第一散热孔(21)，所述第二侧板(3)上设有第二散热孔(31)，所述驱动板(6)上设有SPWM发生及驱动模块(61)，所述控制板(7)上设有智能集成功率模块、驱动保护模块(71)、整流滤波模块(72)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴庆瑞，
申请(专利权)人：石狮市酷瑞电气有限责任公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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