电子元件及其制法制造技术

技术编号:12489339 阅读:126 留言:0更新日期:2015-12-11 03:58
本发明专利技术有关于一种电子元件及其制法,该电子元件包括承载板、第一金属层、介电层、半导体层、软质层、至少一第一开孔与至少一第二金属层。第一金属层配置于承载板上。介电层配置于第一金属层上,第一金属层与介电层的图案一致。半导体层配置于介电层上。软质层配置于承载板上,以包覆第一金属层、介电层与半导体层,软质层的杨氏系数小于40十亿帕斯卡。第一开孔贯穿软质层。第二金属层配置于软质层上与第一开孔中,以电性连接半导体层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
目前软性电子(flexibleelectronics)装置或软性显示器为业界的发展重点之 一,为了提升电子装置的挽曲特性,而提出W有机材料(例如有机半导体、有机介电层或有 机导电膜)构成电子元件的作法,然而,现今使用有机材料的电子元件的电性并无法与使 用无机材料的电子元件相比,不易达到产品所需的规格,因此软性电子装置仍需要使用无 机材料来制作电子元件,但是却牺牲了电子元件的挽曲特性,而不符合现今软性电子的发 展趋势。
技术实现思路
[000引本专利技术的目的为提供一种,具有较佳的挽曲特性与电性,并可 节省制作成本及时间。 本专利技术的一实施例提供一种电子元件,包括:承载板;第一金属层,其配置于承载 板上;介电层,其配置于第一金属层上,且第一金属层与介电层的图案一致;半导体层,其 配置于介电层上;软质层,其配置于承载板上,W包覆第一金属层、介电层与半导体层,软质 层的杨氏模数(Young'smo化Ius)小于40十亿帕斯卡(GPa);至少一第一开孔,其贯穿软 质层;W及至少一第二金属层,其配置于软质层上与第一开孔中,W电性连接半导体层。 本专利技术的一实施例提供另一种电子元件,包括:承载板;第一金属层,其配置于承 载板上;介电层,其配置于第一金属层上,且第一金属层与介电层的外缘图案一致,第一金 属层与介电层配置成多个不相连的图案化区块;软质层,其配置于承载板上,W包覆第一金 属层与介电层,且软质层的杨氏模数小于40十亿帕斯卡;至少一第一开孔,其贯穿软质层 与介电层;W及至少一第二金属层,其配置于软质层上与第一开孔中,W电性连接第一金属 层,且不同图案化区块的第二金属层彼此相连。 本专利技术的另一实施例提供一种电子元件的制法,包括:于承载板上形成第一金属 层;于第一金属层上形成介电层;于介电层上形成半导体层;进行图案化制程,W令第一金 属层与介电层的图案一致;于承载板上形成软质层,W包覆第一金属层、介电层与半导体 层,软质层的杨氏模数小于40十亿帕斯卡;形成贯穿软质层的至少一第一开孔,W外露部 分半导体层;W及于软质层上与第一开孔中形成至少一第二金属层,W电性连接半导体层。【附图说明】 图IA至图IE所示者为本专利技术的电子元件制法的第一实施例的剖视图,其中,图 1E-1、图1E-2与图1E-3为图IE的不同实施例; 图2所示者为本专利技术的电子元件的第二实施例的剖视图;图3A至图3C与图3D所示者分别为本专利技术的电子元件的第H实施例的剖视图与 电路图; 图4A至图4C与图4D所示者分别为本专利技术的电子元件的第四实施例的剖视图与 电路图; 图5A至图5C与图5D所示者分别为本专利技术的电子元件的第五实施例的剖视图与 电路图; 图6A至图6D所示者分别为本专利技术的电子元件的第六实施例的剖视图; 图7A与图7B所示者分别为现有的电子元件与本专利技术的电子元件的第走实施例的 剖视图; 图8A、图8B与图8C所示者分别为本专利技术的电子元件的第八实施例的剖视图、现有 的电子元件的特性图与本专利技术的电子元件的特性图;[001引图9A至图9C所示者为本专利技术的电子元件制法的第九实施例的剖视图,其中,图 9C-1为图9C的不同实施例;[001引图IOA与图IOB所示者为本专利技术的电子元件的第十实施例的剖视图,其中,图IOA为图IOB的不同实施例; 图IlA与图IlB所示者为本专利技术的电子元件的第十一实施例的剖视图,其中,图 IlA为图IlB的不同实施例。 其中,附图标记:[001引 10 承载板 11 第一金属层[002U 12 介电层 13、13'半导体层[002引 14 绝缘保护层 15 软质层[002引 16 第一开孔[002引 17 第二金属层 18 第二开孔 19 半导体保护层【具体实施方式】 W下藉由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式,熟悉此技艺的人±可由本说 明书所掲示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。 须知,本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等,均仅用于配合说明书所掲 示的内容,W供熟悉此技艺的人±的了解与阅读,并非用于限定本专利技术可实施的限定条件, 故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本发 明所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本专利技术所掲示的
技术实现思路
得能涵盖的 范围内。同时,本说明书中所引用的用语,也仅为便于叙述的明了,而非用于限定本专利技术可 实施的范围,其相对关系的改变或调整,在无实质变更
技术实现思路
下,当也视为本专利技术可实施 的范畴。 第一实施例图IA至图IE所示者,为本专利技术的电子元件制法的第一实施例的剖视图,其中,图 IE-I、图1E-2与图1E-3为图IE的不同实施例,本实施例可经四次图案化制程。 如图IA所不,于一承载板10上形成第一金属层11,并于第一金属层11上形成介 电层12,再于介电层12上形成半导体层13,形成第一金属层11的材质可例如为钢(Mo)、 铅(Al)、铁(Ti)、铜(Cu)导电材料或其合金材料、亦或是上述材料所构成的多层堆叠结 构,形成介电层12的材质可例如为氧化娃(SiOx)、氮化娃(Si化)、氮氧化娃(SiON)或其 他适合的绝缘材料、亦或是上述材料的多层堆叠结构,形成半导体层13的材质可例如为W 娃材料为主的非晶娃(amo巧hous-Si)、多晶娃(polyc巧StallineSilicon)或是氧化物半 导体(如钢嫁锋氧化物(InGaZnO,IGZO)系统、钢锡氧化物(InSnO, 口0)系统、钢锋氧化物 (In化0,IZ0)系统或钢锡锋氧化物(InSnZnO,ITZO)系统)及其他具氧成分半导体系统、或 是有机半导体(如并五苯(pentacene)、并五苯衍生物、聚(3-己基喔吩)(poly(3-he巧1 thiophene),P3HT)或聚喔吩衍生物)等等。 如图IB所示,将半导体层13图案化成为半导体层13'。 如图IC所示,于介电层12上形成包覆半导体层13'的绝缘保护层14,并进行 图案化制程,W令第一金属层11、介电层12与绝缘保护层14的外缘图案一致,半导体层 13'的范围可小于第一金属层11的范围,绝缘保护层14用于防止后续的制程损伤半导体 层13',但绝缘保护层14并非必要之物,举例来说,若后续使用背通道蚀刻度ack化annel 化ching,BCE),则可不形成绝缘保护层14;若产品为通道保护烟iannelProtect,CHP)层 结构,可形成绝缘保护层14,形成绝缘保护层14的材质可例如为具绝缘特性的氧化物、氮 化物或碳化物材料系统(例如SiOx、Si化、SiCO、Al化、Ti化等)或是上述材料所构成的多 层堆叠结构。 如图ID所示,于承载板10与绝缘保护层14上形成软质层15,W包覆第一金属层 11、介电层12与半导体层13',软质层15的杨氏模数(Young'Smo化Ius)小于40十亿帕 斯卡(GPa),并形成贯穿软质层15与绝缘保护层14的至少一第一开孔16,W外露部份半导 体层13',形成软质层15的材质可例如为有机材料系统,如聚醜亚胺(pol^mide,PI)或其 衍生物,或旋涂式玻璃材料(Spin-〇n-Glass,S0G)系统等等。在一实施例中,可还包括形成 贯穿软本文档来自技高网
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<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/59/CN105140208.html" title="电子元件及其制法原文来自X技术">电子元件及其制法</a>

【技术保护点】
一种电子元件,其特征在于,包括:承载板;第一金属层,其配置于该承载板上;介电层,其配置于该第一金属层上,且该第一金属层与该介电层的图案一致;半导体层,其配置于该介电层上;软质层,其配置于该承载板上,以包覆该第一金属层、该介电层与该半导体层,且该软质层的杨氏模数小于40十亿帕斯卡;至少一第一开孔,其贯穿该软质层;以及至少一第二金属层,其配置于该软质层上与该第一开孔中,以电性连接该半导体层。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:颜精一蔡武卫高伟程陈韦翰
申请(专利权)人:财团法人工业技术研究院
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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