本实用新型专利技术公开了一种铜镍金IC封装凸块结构，包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛层、第一铜层、第二铜层、镍层和金层，所述绝缘层上设有孔，露出部分导电层，所述部分导电层的表面至少设有一个中心缓冲块，所述绝缘层的孔边沿设有边部缓冲块，所述钛层贴合部分导电层、中心缓冲块以及边部缓冲块的表面成波浪形，所述第一铜层、第二铜层、镍层和金层也成波浪形。中心缓冲块和边部缓冲块一方面可以吸收钛层与部分导电层之间的应力，另一方面使各金属层成波浪形，降低温度变化时各金属层的横向位移，从而减小相邻金属层之间的应力，进而削弱应力产生的负面影响，提高铜镍金IC封装凸块的可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及IC封装领域，具体涉及一种铜镍金IC封装凸块结构。
技术介绍
驱动IC封装上使用的凸块普遍为纯金，成本高，目前有一种采用铜镍金组合来代替纯金的IC封装凸块，可以有效降低成本，其结构包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛层、第一铜层、第二铜层、镍层和金层，所述绝缘层上设有孔，露出部分导电层，所述钛层底面贴合部分导电层以及绝缘层的表面，但是由于不同金属的膨胀系数不一样，在温度变化时，各金属层之间产生应力，很容易引起基体变形或产生裂纹，甚至会剥离脱落，因此这种铜镍金IC封装凸块的可靠性差。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种铜镍金IC封装凸块结构，可以解决现有铜镍金IC封装凸块在温度变化时，各金属层之间产生应力，很容易引起基体变形或产生裂纹，甚至会剥离脱落，导致可靠性差的问题。本技术通过以下技术方案实现:—种铜镍金IC封装凸块结构，包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛层、第一铜层、第二铜层、镍层和金层，所述绝缘层上设有孔，露出部分导电层，所述部分导电层的表面至少设有一个中心缓冲块，所述绝缘层的孔边沿设有边部缓冲块，所述钛层贴合部分导电层、中心缓冲块以及边部缓冲块的表面成波浪形，所述第一铜层、第二铜层、镍层和金层也成波浪形。本技术的进一步方案是，所述载体为硅片。本技术的进一步方案是，所述导电层为铝垫。本技术的进一步方案是，所述绝缘层为PSV绝缘材料。本技术的进一步方案是，所述中心缓冲块均匀分布于部分导电层的表面。本技术的进一步方案是，所述中心缓冲块和边部缓冲块为聚乙烯制品。本技术与现有技术相比的优点在于:中心缓冲块和边部缓冲块一方面可以吸收钛层与部分导电层之间的应力，另一方面使各金属层成波浪形，降低温度变化时各金属层的横向位移，从而减小相邻金属层之间的应力，进而削弱应力产生的负面影响，提高铜镍金IC封装凸块的可靠性。【附图说明】图1为本技术的结构示意图。【具体实施方式】如图1所示的一种铜镍金IC封装凸块结构，包括从下向上依次设置的硅片载体1、铝垫导电层2、PSV绝缘层3、钛层4、第一铜层5、第二铜层6、镍层7和金层8，所述PSV绝缘层3上设有孔，露出部分铝垫导电层21，所述部分铝垫导电层21的表面均匀溅镀有至少一个聚乙烯中心缓冲块9，所述绝缘层3的孔边沿溅镀有聚乙烯边部缓冲块10，所述中心缓冲块9和边部缓冲块10的横断面可以是矩形、三角形或弧形，所述钛层4贴合部分铝垫导电层21、聚乙烯中心缓冲块9以及边部缓冲块10的表面成波浪形，所述第一铜层5、第二铜层6、镍层7和金层8也成波浪形。【主权项】1.一种铜镍金IC封装凸块结构，包括从下向上依次设置的载体(1)、导电层(2)、绝缘层(3)、钛层(4)、第一铜层(5)、第二铜层(6)、镍层(7)和金层(8)，所述绝缘层(3)上设有孔，露出部分导电层(21)，其特征在于:所述部分导电层(21)的表面至少设有一个中心缓冲块(9)，所述绝缘层(3)的孔边沿设有边部缓冲块(10)，所述钛层(4)贴合部分导电层(21)、中心缓冲块(9)以及边部缓冲块(10)的表面成波浪形，所述第一铜层(5)、第二铜层(6 )、镍层(7 )和金层(8 )也成波浪形。2.如权利要求1所述的一种铜镍金IC封装凸块结构，其特征在于:所述载体(I)为硅片。3.如权利要求1所述的一种铜镍金IC封装凸块结构，其特征在于:所述导电层(2)为铝垫。4.如权利要求1所述的一种铜镍金IC封装凸块结构，其特征在于:所述绝缘层(3)为PSV绝缘材料。5.如权利要求1所述的一种铜镍金IC封装凸块结构，其特征在于:所述中心缓冲块(9)均匀分布于部分导电层(21)的表面。6.如权利要求1所述的一种铜镍金IC封装凸块结构，其特征在于:所述中心缓冲块(9)和边部缓冲块(10)为聚乙烯制品。【专利摘要】本技术公开了一种铜镍金IC封装凸块结构，包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛层、第一铜层、第二铜层、镍层和金层，所述绝缘层上设有孔，露出部分导电层，所述部分导电层的表面至少设有一个中心缓冲块，所述绝缘层的孔边沿设有边部缓冲块，所述钛层贴合部分导电层、中心缓冲块以及边部缓冲块的表面成波浪形，所述第一铜层、第二铜层、镍层和金层也成波浪形。中心缓冲块和边部缓冲块一方面可以吸收钛层与部分导电层之间的应力，另一方面使各金属层成波浪形，降低温度变化时各金属层的横向位移，从而减小相邻金属层之间的应力，进而削弱应力产生的负面影响，提高铜镍金IC封装凸块的可靠性。【IPC分类】H01L23/485【公开号】CN204834607【申请号】CN201520658377【专利技术人】周义亮 【申请人】江苏纳沛斯半导体有限公司【公开日】2015年12月2日【申请日】2015年8月28日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种铜镍金IC封装凸块结构，包括从下向上依次设置的载体（1）、导电层（2）、绝缘层（3）、钛层（4）、第一铜层（5）、第二铜层（6）、镍层（7）和金层（8），所述绝缘层（3）上设有孔，露出部分导电层（21），其特征在于：所述部分导电层（21）的表面至少设有一个中心缓冲块（9），所述绝缘层（3）的孔边沿设有边部缓冲块（10），所述钛层（4）贴合部分导电层（21）、中心缓冲块（9）以及边部缓冲块（10）的表面成波浪形，所述第一铜层（5）、第二铜层（6）、镍层（7）和金层（8）也成波浪形。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周义亮，
申请(专利权)人：江苏纳沛斯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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