高韧性双晶片制造技术

技术编号:12444922 阅读:49 留言:0更新日期:2015-12-04 05:56
本实用新型专利技术属于晶体元件技术领域,尤其涉及一种高韧性双晶片。它解决了现有技术使用寿命短等技术问题。本高韧性双晶片包括基板,在基板两面分别设有陶瓷片,每片陶瓷片与基板之间设有第一导电层且在每片陶瓷片的两面分别设有毛细加强结构。本实用新型专利技术优点在于:进一步增强了韧性且使用寿命长。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于晶体元件
,尤其涉及一种高韧性双晶片,可应用于纺织机械、新能源、精密机械和传感器等等

技术介绍
双晶片的结构包括基板结合陶瓷的结构。目前,现有的双晶片其结构强度低,韧性差且使用寿命短。为了能提高双晶片的韧性和延长使用寿命,例如,中国专利文献公开了一种新型双晶片,,包括上下陶瓷基层和中间层,其特征是中间层包括纤维基层,铜皮和川型铜条,纤维基层是玻璃纤维单向排列或交错排列后浇注胶制备而成,铜皮镶嵌于纤维基层表面的端头,川型铜条镶嵌于纤维基层上并与铜皮连接,在上下陶瓷基层表面印刷有导电银胶层。该方案的中间层结构能使压电陶瓷片的电性能和机械性能同时得到兼顾和匹配,提高了双晶片电性能和工作稳定性。上述的方案虽然具有以上的多个优点,但是,这种方案至少存在以下缺陷:设计不合理,上下陶瓷基层的韧性差且无形中缩短了双晶片的使用寿命。
技术实现思路
本技术的目的是针对上述问题,提供一种设计更合理,提高韧性和延长使用寿命的高韧性双晶片。为达到上述目的,本技术采用了下列技术方案:本高韧性双晶片包括基板,在基板两面分别设有陶瓷片,每片陶瓷片与基板之间设有第一导电层且在每片陶瓷片的两面分别设有毛细加强结构。在本申请中,由于设置了毛细加强结构能够进一步增强陶瓷片的韧性,即延长了使用寿命,实用性强且降低了使用成本。在上述的高韧性双晶片中,所述的毛细加强结构包括若干设置在每片陶瓷片两面的毛细槽。在上述的高韧性双晶片中,所述的毛细槽相互平行分布;或者所述的毛细槽相互交叉分布。在上述的高韧性双晶片中,所述的毛细槽为直线槽和弯曲槽中的任意一种。当然还可以是其他各种的形状的槽体,只要能满足使用要求即可。在上述的高韧性双晶片中,所述的毛细槽深度为0.005?0.020mm。毛细槽的深度可以根据使用要求进行设定。在上述的高韧性双晶片中,在每片陶瓷片远离第一导电层的一面设有碳浆层。在上述的高韧性双晶片中,所述的陶瓷片和碳浆层之间设有第二导电层。在上述的高韧性双晶片中,所述的第一导电层和第二导电层均为银浆导电层。在上述的高韧性双晶片中,所述的基板为玻璃纤维基板、碳纤维基板、硼纤维基板、阿拉米的纤维基板和芳纶类纤维基板中的任意一种。在上述的高韧性双晶片中,所述的毛细槽两端与外界连通;或者所述的毛细槽的两端位于陶瓷片的周向侧边内侧。与现有的技术相比,本高韧性双晶片的优点在于:1、设计更合理,由于设置了毛细加强结构能够进一步增强陶瓷片的韧性,即延长了使用寿命,实用性强且降低了使用成本。2、结构简单且易于制造。【附图说明】图1是本技术提供的剖面结构示意图。图2是本技术提供的陶瓷片结合毛细槽结构示意图。图3是本技术提供的第二种毛细槽结构示意图。图4是本技术提供的第三种毛细槽结构示意图。图5是本技术提供的第四种毛细槽结构示意图。图6是本技术提供的毛细槽交叉结构示意图。图7是本技术提供的第二种毛细槽交叉结构示意图。图8是本技术提供的毛细槽呈弯曲结构示意图。图中,基板1、陶瓷片2、第一导电层3、毛细加强结构4、毛细槽41、碳浆层5、第二导电层6。【具体实施方式】以下是技术的具体实施例并结合附图,对本技术的技术方案作进一步的描述,但本技术并不限于这些实施例。实施例一如图1所示,本高韧性双晶片包括基板1,基板I为玻璃纤维基板、碳纤维基板、硼纤维基板、阿拉米的纤维基板和芳纶类纤维基板中的任意一种。在基板I两面分别设有陶瓷片2,每片陶瓷片2与基板I之间设有第一导电层3且在每片陶瓷片2的两面分别设有毛细加强结构4。具体地,本实施例的毛细加强结构4包括若干设置在每片陶瓷片2两面的毛细槽41。该毛细槽41深度为0.005?0.020mm。优化方案,如图2-5和图8所示,本实施例的毛细槽41相互平行分布。毛细槽41相对陶瓷片2侧边倾斜;或者毛细槽41相对陶瓷片2的一侧边平行。其次,本实施例的毛细槽41为直线槽和弯曲槽中的任意一种。该结构便于加工制造。如图1所示,在每片陶瓷片2远离第一导电层3的一面设有碳浆层5。在陶瓷片2和碳浆层5之间设有第二导电层6。本实施例的第一导电层3和第二导电层6均为银浆导电层。毛细槽41两端与外界连通;或者所述的毛细槽41的两端位于陶瓷片2的周向侧边内侧。根据使用的需求进行相关结构的设计。优化方案,本实施例的毛细槽41深度为0.010?0.015mm。毛细槽41深度为0.012mmo实施例二本实施例同实施例一的结构及原理基本相同,固在此不作赘述,而不一样的地方在于:如图6-7所示,所述的毛细槽41相互交叉分布。本文中所描述的具体实施例仅仅是对本技术精神作举例说明。本技术所属
的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,但并不会偏离本技术的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。尽管本文较多地使用了基板1、陶瓷片2、第一导电层3、毛细加强结构4、毛细槽41、碳浆层5、第二导电层6等术语,但并不排除使用其它术语的可能性。使用这些术语仅仅是为了更方便地描述和解释本技术的本质;把它们解释成任何一种附加的限制都是与本技术精神相违背的。【主权项】1.一种高韧性双晶片,包括基板(I),其特征在于,所述的基板(I)两面分别设有陶瓷片(2),每片陶瓷片(2)与基板(I)之间设有第一导电层(3)且在每片陶瓷片(2)的两面分别设有毛细加强结构(4)。2.根据权利要求1所述的高韧性双晶片,其特征在于,所述的毛细加强结构(4)包括若干设置在每片陶瓷片(2)两面的毛细槽(41)。3.根据权利要求2所述的高韧性双晶片,其特征在于,所述的毛细槽(41)相互平行分布;或者所述的毛细槽(41)相互交叉分布。4.根据权利要求2或3所述的高韧性双晶片,其特征在于,所述的毛细槽(41)为直线槽和弯曲槽中的任意一种。5.根据权利要求2或3所述的高韧性双晶片,其特征在于,所述的毛细槽(41)深度为0.005 ?0.020mmo6.根据权利要求1或2或3所述的高韧性双晶片,其特征在于,在每片陶瓷片(2)远离第一导电层(3)的一面设有碳浆层(5)。7.根据权利要求6所述的高韧性双晶片,其特征在于,所述的陶瓷片(2)和碳浆层(5)之间设有第二导电层(6)。8.根据权利要求7所述的高韧性双晶片,其特征在于,所述的第一导电层(3)和第二导电层(6)均为银浆导电层。9.根据权利要求1或2或3所述的高韧性双晶片,其特征在于,所述的基板⑴为玻璃纤维基板、碳纤维基板、硼纤维基板、阿拉米的纤维基板和芳纶类纤维基板中的任意一种。10.根据权利要求2或3所述的高韧性双晶片,其特征在于,所述的毛细槽(41)两端与外界连通;或者所述的毛细槽(41)的两端位于陶瓷片(2)的周向侧边内侧。【专利摘要】本技术属于晶体元件
,尤其涉及一种高韧性双晶片。它解决了现有技术使用寿命短等技术问题。本高韧性双晶片包括基板,在基板两面分别设有陶瓷片,每片陶瓷片与基板之间设有第一导电层且在每片陶瓷片的两面分别设有毛细加强结构。本技术优点在于:进一步增强了韧性且使用寿命长。【IPC分类】H01L41/083【公开号】CN204834695【申请号】CN2015206517本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种高韧性双晶片,包括基板(1),其特征在于,所述的基板(1)两面分别设有陶瓷片(2),每片陶瓷片(2)与基板(1)之间设有第一导电层(3)且在每片陶瓷片(2)的两面分别设有毛细加强结构(4)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王振姚金强陈伟郁秋峰庄河辉樊惠强凌峰
申请(专利权)人:浙江嘉康电子股份有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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