本实用新型专利技术公开了战术灯的强弱光控制电路，包括电源、开关、集成芯片、三极管、发光二极管、电感、检测电阻，电源的正极输出端经开关后依次与电感、发光二极管和三极管的集电极连接，电源的正极输出端经开关后还与集成芯片连接，集成芯片的输出端连接三极管的基极，三极管的发射极经检测电阻后接地；检测电阻的电压反馈到集成芯片，集成芯片根据检测电阻的电压调整PWM占空比。本实用新型专利技术使用电子元件少，成本低、产热少；整体电路简单，易生产，并且可靠性高，检测精度高。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
本技术涉及电子电路领域，具体的说是涉及一种战术灯的强弱光控制电路。【
技术介绍
】—般的战术灯的LED强弱光控制，单片机控制恒流芯片的使能端，采用输出不同的占空比来驱动恒流源，达到不同电流，实现强弱光控制。现有技术的缺点是使用单片机和LED恒流芯片进行控制驱动，不仅增加了整个电路的复杂程度，还增加了整体的使用成本，另外，检测的可靠性较差，不能满足用户的要求。上述缺陷，值得解决。【
技术实现思路
】为了克服现有的技术的不足，本技术提供一种战术灯的强弱光控制电路。本技术技术方案如下所述:战术灯的强弱光控制电路，包括电源、开关、集成芯片、三极管、发光二极管、电感以及检测电阻，其特征在于，所述电源的正极输出端经所述开关后依次与所述电感、所述发光二极管和所述三极管的集电极连接，所述电源的正极输出端经所述开关后还与所述集成芯片连接，所述集成芯片的输出端连接所述三极管的基极，所述三极管的发射极经所述检测电阻后接地；所述检测电阻的电压反馈到所述集成芯片后，所述集成芯片调整PffM占空比。进一步的，所述集成芯片内设有基准电压，所述集成芯片通过比较所述基准电压和所述检测电阻的电压调整所述PWM占空比。进一步的，所述三极管为NPN型三极管。根据上述结构的本技术，其有益效果在于，本技术通过检测电阻上的电压来检测发光二极管的电流，并于单片机内部的基准值比较，通过调整PWM占空比来调整发光二极管的电流，进而实现恒流。本技术使用电子元件少，成本低、产热少；整体电路简单，易生产，并且可靠性高，检测精度高。【【附图说明】】图1为本技术实施例的电路原理图。在图中，S1、开关；IC2、集成芯片；Q1、三极管；L1、电感；LED、发光二极管；R1、检测电阻。【【具体实施方式】】下面结合附图以及实施方式对本技术进行进一步的描述:如图1所示，本技术提供一种战术灯的强弱光控制电路，包括电源、开关、集成芯片、三极管、发光二极管、电感以及检测电阻，电源的正极输出端经开关后依次与所述电感、发光二极管和三极管的集电极连接，电源的正极输出端经开关后还与集成芯片连接，集成芯片的输出端连接三极管的基极，三极管的发射极经检测电阻后接地；检测电阻的电压反馈到集成芯片后，集成芯片调整PWM占空比。优选的，集成芯片内设有基准电压，集成芯片通过比较基准电压和检测电阻的电压调整PffM占空比。优选的，三极管为NPN型三极管。本实施例具体的工作原理为:开关SI接通，电路接通、上电，集成芯片IC2的第2脚按照设定输出PffM信号，进而三极管Ql导通，电感LI进行充电，同时给发光二极管LED供电。通过检测检测电阻Rl上的电压来检测发光二极管LED的电流，通过AD输入检测，并与单片机内设置的基准值比较，若发光二极管LED的电流过大或过小，通过调整PffM的占空比，从而控制发光二极管LED的电流变小或变大，实现恒流。由上可知，可通过调整PWM的占空比，来实现强弱光，调整发光二极管LED的亮度。本技术使用电子元件少，成本低、产热少；整体电路简单，易生产，并且可靠性高，检测精度高。应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本技术所附权利要求的保护范围。上面结合附图对本技术专利进行了示例性的描述，显然本技术专利的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本技术专利的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本技术专利的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本技术的保护范围内。【主权项】1.战术灯的强弱光控制电路，包括电源、开关、集成芯片、三极管、发光二极管、电感以及检测电阻，其特征在于，所述电源的正极输出端经所述开关后依次与所述电感、所述发光二极管和所述三极管的集电极连接，所述电源的正极输出端经所述开关后还与所述集成芯片连接，所述集成芯片的输出端连接所述三极管的基极，所述三极管的发射极经所述检测电阻后接地； 所述检测电阻的电压反馈到所述集成芯片后，所述集成芯片调整PWM占空比。2.根据权利要求1所述的战术灯的强弱光控制电路，其特征在于，所述集成芯片内设有基准电压，所述集成芯片通过比较所述基准电压和所述检测电阻的电压调整所述PWM占空比。3.根据权利要求1所述的战术灯的强弱光控制电路，其特征在于，所述三极管为NPN型三极管。【专利摘要】本技术公开了战术灯的强弱光控制电路，包括电源、开关、集成芯片、三极管、发光二极管、电感、检测电阻，电源的正极输出端经开关后依次与电感、发光二极管和三极管的集电极连接，电源的正极输出端经开关后还与集成芯片连接，集成芯片的输出端连接三极管的基极，三极管的发射极经检测电阻后接地；检测电阻的电压反馈到集成芯片，集成芯片根据检测电阻的电压调整PWM占空比。本技术使用电子元件少，成本低、产热少；整体电路简单，易生产，并且可靠性高，检测精度高。【IPC分类】H05B37/02【公开号】CN204810598【申请号】CN201520325910【专利技术人】许健, 陈忠, 任华纬 【申请人】深圳尚莱特照明技术有限公司【公开日】2015年11月25日【申请日】2015年5月20日本文档来自技高网...
【技术保护点】
战术灯的强弱光控制电路，包括电源、开关、集成芯片、三极管、发光二极管、电感以及检测电阻，其特征在于，所述电源的正极输出端经所述开关后依次与所述电感、所述发光二极管和所述三极管的集电极连接，所述电源的正极输出端经所述开关后还与所述集成芯片连接，所述集成芯片的输出端连接所述三极管的基极，所述三极管的发射极经所述检测电阻后接地；所述检测电阻的电压反馈到所述集成芯片后，所述集成芯片调整PWM占空比。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许健，陈忠，任华纬，
申请(专利权)人：深圳尚莱特照明技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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