本发明专利技术实施例提供一种磁性存储装置及方法，磁性存储装置包括：包含至少一个磁畴区的磁性存储轨道，用于存储写入的磁畴；第一写装置，用于在所述磁畴区写入磁畴；第二写装置，用于在所述磁畴区写入与所述第一写装置写入方向垂直的磁畴。能够实现多级存储，提高磁性存储装置的存储量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及存储技术，尤其涉及一种。
技术介绍
磁性存储方法是通过在磁畴区写入磁畴来记录信息的。在磁畴中，磁矩的取向是 一致的,磁畴的大小和磁化方向与磁化的方向能够通过控制磁性材料的属性、形状和大小 以及外部能量而被适当地控制。磁畴壁是每个具有不同磁化方向的相邻磁畴之间的边界， 并且能够通过施加到该磁性材料上的电流或磁场被移动。 将磁畴壁的移动原理应用到磁性存储装置时，可以通过磁畴壁的移动或传播可控 的方式移动磁畴以穿过固定的写头，这样不旋转记录介质也可以实现写数据。但是，随着大 数据时代的到来，在现有的存储数据基础上提高磁性存储的存储量成为亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种，能够实现多级存储，提高磁性存储 装置的存储量。 第一方面，本专利技术实施例提供一种磁性存储装置，包括： 包含至少一个磁畴区的磁性存储轨道，用于存储写入的磁畴； 第一写装置，用于在所述磁畴区写入磁畴； 第二写装置，用于在所述磁畴区写入与所述第一写装置写入方向垂直的磁畴。 在第一种可能的实现方式中，根据第一方面，所述磁性存储轨道为U型磁性存储 轨道；所述第一写装置设置在所述U型磁性存储轨道的底部轨道下方，与所述底部轨道上 一所述磁畴区形成漏磁场；所述第二写装置垂直设置在所述第一写装置下方，与所述底部 轨道上一所述磁畴区形成漏磁场。 在第二种可能的实现方式中，结合第一方面和第一种可能的实现方式， 所述第一写装置与所述U型磁性存储轨道的底部轨道垂直设置，所述第二写装置 与所述第一写装置垂直设置。 在第三种可能的实现方式中，结合第一方面、第一种可能的实现方式和第二种可 能的实现方式。 所述第二写装置上形成有一向所述磁性存储轨道方向的凸起，所述凸起用于使得 所述第二写装置的漏磁场在所述磁畴区上覆盖范围减少，磁场强度增大。 第二方面，本专利技术实施例提供一种磁性存储方法，包括： 在磁性存储轨道上的磁畴区内写入一方向的磁畴； 在所述磁性存储轨道上的磁畴区内写入与所述方向垂直方向的磁畴。 在第一种可能的实现方式中，根据第一方面，所述磁性存储轨道为U型磁性存储 轨道； 所述在所述磁性存储轨道上的磁畴区内写入一方向的磁畴包括： 在所述U型磁性存储轨道的底部轨道上的磁畴区写入与所述底部轨道垂直方向 的磁畴； 所述在所述磁畴区内写入与所述方向垂直方向的磁畴包括： 在所述U型磁性存储轨道的底部轨道上的磁畴区写入与所述底部轨道平行方向 的磁畴。 本专利技术实施例提供的，磁性存储装置包括：包含至少一个磁 畴区的磁性存储轨道，用于存储写入的磁畴；第一写装置，用于在磁畴区写入磁畴；第二写 装置，用于在磁畴区写入与第一写装置写入方向垂直的磁畴。这样一来，第一写装置和第二 写装置可向磁性存储轨道的任一磁畴区写入四个不同方向的磁畴，实现多级存储，从而提 高磁性存储装置的存储量。【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发 明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。 图1为本专利技术实施例提供的磁性存储装置结构示意图； 图2为本专利技术实施例提供的磁性存储装置局部结构示意图； 图3a为本专利技术实施例提供的另一磁性存储装置局部结构示意图； 图3b为本专利技术实施例提供的又一磁性存储装置局部结构示意图； 图4为本专利技术实施例提供的磁性存储方法的流程示意图。【具体实施方式】 为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例 中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是 本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员 在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。 图1为本专利技术实施例提供的磁性存储装置结构示意图，如图1所示，该磁性存储装 置100包括：磁性存储轨道1、第一写装置2、第二写装置3和读装置5,其中，磁性存储轨道 1是由多个磁畴区4组成的。 磁性存储轨道1,用于存储写入的磁畴。 第一写装置2,用于在磁畴区4写入磁畴。 第二写装置3,用于在磁畴区4写入与第一写装置2写入方向垂直的磁畴。 读装置5用于读取在磁畴区上读取第一写装置2或第二写装置3写入的磁畴，或 者，读装置5用于读取在磁畴区上读取第一写装置2和第二写装置3写入的磁畴。 脉冲电源，用于提供脉冲电流或脉冲场，驱动磁性存储轨道上的磁畴区的磁畴壁 沿所述磁性存储轨道移动。 进一步地，第一写装置2和第二写装置3的写装置的结构可以相同，即写装置的结 构是包含两个相反方向磁畴的结合体，这两个相反方向的磁畴中间位置会产生漏磁场，依 靠这个漏磁场来对磁性存储轨道1的磁畴区4进行写入。 举例来说，图2为本专利技术实施例提供的磁性存储装置局部结构示意图，如图2所 示，磁性存储轨道1为U型磁性存储轨道，第一写装置2设置在U型磁性存储轨道的底部轨 道10下方，与底部轨道10上一磁畴区40形成漏磁场；第二写装置3垂直设置在第一写装 置2下方，与底部轨道10上一磁畴区41形成漏磁场。由于磁性存储轨道1底部添加的第 二写装置3,与第一写装置2正交，第一写装置2和第二写装置3可向磁性存储轨道1的任 一磁畴区写入四个不同方向的磁畴，实现多级存储，提升产品竞争力。 举例来说，图3a为本专利技术实施例提供的另一磁性存储装置局部结构示意图，第一 写装置2与U型磁性存储轨道的底部轨道10垂直设置，第一写装置2设置在U型磁性存储 轨道的底部轨道10下方，与底部轨道10上一磁畴区40形成漏磁场。图3b为本专利技术实施 例提供的又一磁性存储装置局部结构示意图，第二写装置3与第一写装置2垂直设置，SP如 图3b所示，第二写装置3与U型磁性存储轨道的底部轨道10平行设置，第二写装置3与底 部轨道10上一磁畴区41形成漏磁场。 进一步地，在上述的结构下，第一写装置2可向U型磁性存储轨道的底部轨道10 中写入平行于X轴的磁畴，即写入Ml方向或M2方向的磁畴。第二写装置3可向U型磁性 存储轨道的底部轨道10中写入平行于z轴的磁畴，即写入M3方向或M4方向的磁畴。 或者，第一写装置2与U型磁性存储轨道的底部轨道10平行设置，第二写装置3 与第一写装置2垂直设置。 如图3b所示，第二写装置3上可以形成有一向磁性存储轨道1方向的凸起30,凸 起30使漏磁场更接近U型磁性存储轨道的底部轨道10,即第二写装置3的漏磁场在磁畴区 41上覆盖范围减少，磁场强度增大，从而使得第二写装置3能够更加稳定的写入磁畴。 进一步地，磁性存储装置100还可以包括脉冲电源（图当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁性存储装置，其特征在于，包括：包含至少一个磁畴区的磁性存储轨道，用于存储写入的磁畴；第一写装置，用于在所述磁畴区写入磁畴；第二写装置，用于在所述磁畴区写入与所述第一写装置写入方向垂直的磁畴。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：傅雅蓉，张树杰，赵俊峰，杨伟，林殷茵，杨凯，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，复旦大学，
类型：发明
国别省市：广东;44
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