半导体结构及其制造方法技术

一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构的制造方法包含下列步骤：形成第一绝缘层于晶圆基板的第一表面；形成导电垫于第一绝缘层上；形成贯穿于晶圆基板的第一表面与第二表面的镂空区，使得第一绝缘层从镂空区裸露；以及激光蚀刻裸露于镂空区的第一绝缘层，使得第一绝缘层形成第一开口，且导电垫形成从第一开口裸露的凹部。本发明专利技术可提升半导体结构的良率，且可使导电垫的厚度得以减薄，节省成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关一种半导体结构及一种半导体结构的制造方法。
技术介绍
现有的半导体结构可包含具有穿孔的晶圆基板、第一绝缘层、导电垫、第二绝缘层与布线层。第一绝缘层与导电垫位于晶圆基板的表面上，且覆盖晶圆基板的穿孔的一端。当晶圆基板的表面形成第一绝缘层与导电垫后，接着一般是以光微影技术(例如干蚀刻制程)将导电垫上的第一绝缘层形成开口，使导电垫从第一绝缘层的开口露出。之后便可于第一绝缘层与其开口内的导电垫上形成第二绝缘层。接着以光微影技术将导电垫上的第二绝缘层形成开口，并于第二绝缘层与其开口内的导电垫上形成布线层，使布线层电性接触导电垫。然而，当采用干蚀刻制程将导电垫上的第一绝缘层形成开口时，受限于制程能力，易在干蚀刻第一绝缘层时，同步于导电垫形成V形的凹槽。如此一来，当布线层电性接触导电垫时，接触面积会过小而导致接触不良，良率下降。此外，若导电垫的厚度较薄时，则容易因干蚀刻制程所形成的V形凹槽贯穿，而伤到导电垫下方的其他元件。
技术实现思路
本专利技术的一技术态样为一种半导体结构。根据本专利技术一实施方式，一种半导体结构包含晶圆基板、第一绝缘层与导电垫。晶圆基板具有镂空区及相对的第一表面与第二表面。镂空区贯穿第一表面与第二表面。第一绝缘层位于晶圆基板的第一表面上。第一绝缘层具有第一开口，且第一开口连通于镂空区。导电垫位于第一绝缘层相对晶圆基板的表面上，且导电垫覆盖第一开口，使得导电垫从镂空区裸露。导电垫具有朝向第一开口的凹部。第一绝缘层具有围绕第一开口的倾斜面，使得凹部与倾斜面形成剖面形状为U形的凹槽。在本专利技术一实施方式中，上述晶圆基板具有围绕镂空区的第三表面。半导体结构还包含第二绝缘层。第二绝缘层位于凹槽上及晶圆基板的第二表面与第三表面上，且第二绝缘层具有第二开口，使得导电垫从第二开口裸露。在本专利技术一实施方式中，上述半导体结构还包含布线层。布线层位于第二绝缘层上，且电性接触裸露于第二开口的导电垫。在本专利技术一实施方式中，上述凹槽的深度大于第一绝缘层的厚度。本专利技术的另一技术态样为一种半导体结构的制造方法。根据本专利技术一实施方式，一种半导体结构的制造方法包含下列步骤:形成第一绝缘层于晶圆基板的第一表面；形成导电垫于第一绝缘层上；形成贯穿于晶圆基板的第一表面与第二表面的镂空区，使得第一绝缘层从镂空区裸露；以及激光蚀刻裸露于镂空区的第一绝缘层，使得第一绝缘层形成第一开口，且导电垫形成从第一开口裸露的凹部。在本专利技术一实施方式中，上述晶圆基板具有围绕镂空区的第三表面。第一绝缘层具有围绕第一开口的倾斜面。凹部与倾斜面形成凹槽。半导体结构制作方法还包含:形成第二绝缘层于凹槽上及晶圆基板的第二表面与第三表面上。在本专利技术一实施方式中，上述半导体结构制作方法还包含:图案化第二绝缘层，使得第二绝缘层形成裸露导电垫的第二开口。在本专利技术一实施方式中，上述图案化第二绝缘层包含:形成图案化的光阻层于第二绝缘层上；蚀刻未被光阻层覆盖的部分第二绝缘层，使得第二绝缘层形成裸露导电垫的第二开口 ；以及去除光阻层。在本专利技术一实施方式中，上述半导体结构制作方法还包含:形成布线层于第二绝缘层上与裸露于第二开口的导电垫上。在本专利技术一实施方式中，上述激光蚀刻第一绝缘层包含:提供具有穿孔的遮罩。发射激光通过遮罩的穿孔至第一绝缘层。在本专利技术上述实施方式中，由于第一绝缘层是以激光蚀刻的方式形成第一开口，且在激光蚀刻第一绝缘层时，导电垫可同步形成从第一开口裸露的凹部，因此第一绝缘层会具有围绕第一开口的倾斜面，使得凹部与倾斜面可形成剖面形状为U形的凹槽。如此一来，当导电垫的表面形成与其电性接触的布线层时，U形的凹槽与布线层具有足够的接触面积而不易产生接触不良的状况，因此可提升半导体结构的良率。此外，因激光蚀刻的精度较高，可降低贯穿导电垫的风险，因此导电垫的厚度得以减薄，节省成本。本专利技术的另一技术态样为一种半导体结构的制造方法。根据本专利技术一实施方式，一种半导体结构的制造方法包含下列步骤:形成第一绝缘层于晶圆基板的第一表面；形成导电垫于第一绝缘层上；形成贯穿于晶圆基板的第一表面与第二表面的镂空区，使得第一绝缘层从镂空区裸露，且晶圆基板形成围绕镂空区的第三表面；形成第二绝缘层于晶圆基板的第二表面与第三表面上及裸露于镂空区的第一绝缘层上；以及激光蚀刻镂空区中的第一绝缘层与第二绝缘层，使得第一绝缘层形成第一开口，第二绝缘层形成第二开口，导电垫形成从第一开口与第二开口裸露的凹部。在本专利技术一实施方式中，上述半导体结构制作方法还包含:形成布线层于第二绝缘层上及裸露于第一开口与第二开口的导电垫上。在本专利技术一实施方式中，上述激光蚀刻第一绝缘层与第二绝缘层包含:提供具有穿孔的遮罩；以及发射激光通过遮罩的穿孔至第一绝缘层。在本专利技术上述实施方式中，由于第一绝缘层与第二绝缘层是以激光蚀刻的方式分别形成第一开口与第二开口，且在激光蚀刻第一绝缘层与第二绝缘层时，导电垫可同步形成从第一开口与第二开口裸露的凹部。如此一来，当导电垫的表面形成与其电性接触的布线层时，U形的凹槽与布线层具有足够的接触面积而不易产生接触不良的状况，因此可提升半导体结构的良率。此外，因激光蚀刻的精度较高，可降低贯穿导电垫的风险，因此导电垫的厚度得以减薄，节省成本。【附图说明】图1绘示根据本专利技术一实施方式的半导体结构的俯视图。图2绘示图1的半导体结构沿线段2-2的剖面图。图3绘示图2的半导体结构的局部放大图。图4绘示根据本专利技术一实施方式的半导体结构的制造方法的流程图。图5绘示图4的第一绝缘层与导电垫形成于晶圆基板后的剖面图。图6绘示图5的晶圆基板形成镂空区后的剖面图。图7绘示图6的第一绝缘层激光蚀刻时的剖面图。图8绘示图2的凹槽及晶圆基板形成第二绝缘层后的剖面图。图9绘示图8的第二绝缘层形成图案化的光阻层后的剖面图。图10绘示图9的第二绝缘层形成第二开口后的剖面图。图11绘示图10的第二绝缘层与导电垫上形成布线层后的剖面图。图12绘示根据本专利技术一实施方式的半导体结构的制造方法的流程图。图13绘示图12的第一绝缘层、导电垫与第二绝缘层形成于晶圆基板后的剖面图。图14绘示图13的第二绝缘层激光蚀刻时的剖面图。图15绘示图14的第一绝缘层、第二绝缘层与导电垫被激光蚀刻后的剖面图。其中，附图中符号的简单说明如下:100:半导体结构10a:半导体结构10b:半导体结构110:晶圆基板112:镂空区114:第一表面116:第二表面118:第三表面120:第一绝缘层122:第一开口124:表面126:倾斜面当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，其特征在于，包含：一晶圆基板，具有一镂空区及相对的一第一表面与一第二表面，其中该镂空区贯穿该第一表面与该第二表面；一第一绝缘层，位于该晶圆基板的该第一表面上，该第一绝缘层具有一第一开口，且该第一开口连通于该镂空区；以及一导电垫，位于该第一绝缘层相对该晶圆基板的表面上，且该导电垫覆盖该第一开口，使得该导电垫从该镂空区裸露，其中该导电垫具有朝向该第一开口的一凹部，该第一绝缘层具有围绕该第一开口的一倾斜面，使得该凹部与该倾斜面形成剖面形状为U形的一凹槽。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：潘俊鹏，张义民，林佳升，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71