切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法，所述切割带一体型半导体背面用薄膜可以抑制由加热导致的切割带与倒装芯片型半导体背面用薄膜之间的剥离力上升。一种切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，具备：具有基材和形成在基材上的粘合剂层的切割带、以及形成在切割带的粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用薄膜，设粘合剂层的表面自由能为γ1，设倒装芯片型半导体背面用薄膜的表面自由能为γ2时，表面自由能γ2与表面自由能γ1之差(γ2-γ1)为10mJ/m2以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
近年来，更进一步要求半导体装置及其封装体薄型化、小型化。因此，作为半导体 装置及其封装体，半导体芯片等半导体元件被倒装芯片连接在基板上的倒装芯片型的半导 体装置得到广泛利用。该倒装芯片连接以半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的 形态进行固定。这种半导体装置等有时通过倒装芯片型半导体背面用薄膜保护半导体芯片 的背面，防止半导体芯片的损伤等。 迄今，存在将这种倒装芯片型半导体背面用薄膜贴合在切割带上制成一体型的切 割带一体型半导体背面用薄膜（例如参见专利文献1)。 现有抟术f献 专利f献 专利文献1 :日本特许第5456440号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题 然而，在切割带一体型半导体背面用薄膜中，存在由于在倒装芯片型半导体背面 用薄膜上贴合晶圆时的加热等导致切割带与倒装芯片型半导体背面用薄膜之间的剥离力 上升、无法拾取的问题。 用于解决问题的方案 本申请专利技术人等为了解决前述问题，针对切割带一体型半导体背面用薄膜进行了 研究。结果发现，通过采用下述方案，能够抑制由加热导致的切割带与倒装芯片型半导体背 面用薄膜之间的剥离力上升，从而完成了本专利技术。即，本专利技术的切割带一体型半导体背面用薄膜的特征在于，具备： 具有基材和形成在前述基材上的粘合剂层的切割带、以及 形成在前述切割带的前述粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用薄膜， 将前述粘合剂层与前述倒装芯片型半导体背面用薄膜在界面处剥离之后，在前述 粘合剂层上使用接触角仪测定水和碘甲烷的接触角，设根据测得的接触角通过几何平均法 算出的表面自由能为Y1，在前述倒装芯片型半导体背面用薄膜上使用接触角仪测定水和 碘甲烷的接触角，设根据测得的接触角通过几何平均法算出的表面自由能为Y2时，前述 表面自由能T2与前述表面自由能y1之差（y2-y1)为lOmJ/m2以上。 -般，对于薄膜表面的表面自由能而言，作为构成材料越含有极性高的成分则越 高，越含有极性低的成分则越低。 根据前述方案，前述差（Y2-Y1)为IOmJAi2以上。因此，构成前述倒装芯片型半 导体背面用薄膜的材料与构成前述粘合剂层的材料使用极性存在差异的材料。因此，一个 层的构成材料不容易向另一层移动。因此，即使进行了加热，也能够抑制切割带与倒装芯片 型半导体背面用薄膜之间的剥离力上升。 在前述方案中，优选的是，前述表面自由能Y1为15mJ/m2以下。前述表面自由能 Y1为15mJ/m2以下时，可以进一步增大前述差（Y2-Y1)。 在前述方案中，优选的是，前述粘合剂层在与前述倒装芯片型半导体背面用薄膜 的界面具有含有有机硅类粘合剂的有机硅粘合剂层。前述粘合剂层在与前述倒装芯片型 半导体背面用薄膜的界面具有含有有机硅类粘合剂的有机硅粘合剂层时，容易增大前述差 (y2-y1) 〇 在前述方案中，优选的是，前述粘合剂层为由含有有机硅类粘合剂的有机硅粘合 剂层的单层形成的层。前述粘合剂层为由含有有机硅类粘合剂的有机硅粘合剂层的单层形 成的层时，容易增大前述差（y2-Y1)。 此外，本专利技术的半导体装置的制造方法的特征在于，其是使用前面所述的切割带 一体型半导体背面用薄膜制造半导体装置的方法，该方法包括以下工序： 工序A，在前述切割带一体型半导体背面用薄膜中的倒装芯片型半导体背面用薄 膜上粘贴半导体晶圆； 工序B，在前述工序A之后，从切割带侧对前述倒装芯片型半导体背面用薄膜进行 激光标记； 工序C，对前述半导体晶圆进行切割从而形成半导体元件； 工序D，将前述半导体元件与前述倒装芯片型半导体背面用薄膜一起自前述粘合 剂层剥离；以及， 工序E，将前述半导体元件倒装芯片连接到被粘物上。 根据前述方案，由于使用前述倒装芯片型半导体背面用薄膜，因此即使在例如工 序A等中对切割带一体型半导体背面用薄膜进行了加热，也可抑制切割带与倒装芯片型半 导体背面用薄膜之间的剥离力上升。因此，可抑制工序D中的剥离不良。结果，能够提高所 制造的倒装芯片型半导体装置的成品率。【附图说明】图1是示出本专利技术的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜的一个例 子的剖面示意图。 图2的（a)~图2的（e)是示出使用本专利技术的一个实施方式的切割带一体型半导 体背面用薄膜的半导体装置的制造方法的一个例子的剖面示意图。 附图标iP,说明 1切割带一体型半导体背面用薄膜 2切割带 21 基材 22粘合剂层 23对应于半导体晶圆的粘贴部分的部分40半导体背面用薄膜（倒装芯片型半导体背面用薄膜） 4半导体晶圆 5半导体芯片 51在半导体芯片5的电路面侧形成的凸块 6被粘物 61被粘在被粘物6的连接焊盘上的接合用的导电材料【具体实施方式】 (切割带一体型半导体背面用薄膜） 以下参照附图对本专利技术的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜进行 说明。图1是示出本专利技术的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜的一个例子的 剖面示意图。如图1所示，切割带一体型半导体背面用薄膜1为具备在基材21上设置有粘 合剂层22的切割带2以及倒装芯片型半导体背面用薄膜40 (以下也称为"半导体背面用薄 膜40"）的构成。此外，本专利技术的切割带一体型半导体背面用薄膜如图1所示，可以是在切 割带2的粘合剂层22上仅在对应于半导体晶圆的粘贴部分的部分23形成有倒装芯片型半 导体背面用薄膜40的构成，也可以是在粘合剂层的整面形成有半导体背面用薄膜的构成， 此外，还可以是在大于对应于半导体晶圆的粘贴部分的部分且小于粘合剂层的整面的部分 形成有半导体背面用薄膜的构成。另外，半导体背面用薄膜的表面（会粘贴到晶圆的背面 的一侧的表面）可以在直到粘贴于晶圆背面的期间内被隔离体等保护。 将粘合剂层22与半导体背面用薄膜40在界面之后测得的粘合剂层22的表面自 由能Tl与半导体背面用薄膜40的表面自由能Y2之差（Y2-Y1)为IOmJAi2以上，优选 为15mJ/m2以上，更优选为20mJ/m2以上。 -般，对于薄膜表面的表面自由能而言，作为构成材料越含有极性高的成分则越 大，在含有越多极性低的成分时越小。 由于前述差（Y2-Y1)为IOmJAi2以上，因此构成半导体背面用薄膜40的材料与 构成粘合剂层22的材料使用极性存在差异的材料。因此，一个层的构成材料不容易向另一 层移动。因此，即使进行了加热，也能够抑制切割带2 (粘合剂层22)与半导体背面用薄膜 40之间的剥离力上升。 前述差（Y2-Y1)可以通过适当选择构成粘合剂层22的材料、构成半导体背面用 薄膜40的材料进行控制。 需要说明的是，上述表面自由能是指制成状态下的切割带一体型半导体背面用薄 膜1的状态下的各表面自由能。例如，在粘合剂层22含有辐射线固化型粘合剂（或能量射 线固化型粘合剂）时，是指辐射线照射前（或能量射线照射前）的表面自由能。此外，半导 体背面用薄膜40的表面自由能Y2是指热固化前的表面自由能。 前述表面自由能Yl在满足Y2>Yl的关系的情况下，优选为15mJ/m2以下，更优 选为15~5mJ/m2的范围内，进一步优选为13~7mJ/m2的范围内。前述表面自由能y1为 13mJ/m2以下时，可以进一步增大前述差（Y2-yl)。 此外，前述表面自由能Y2在满足Y2>Y1的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，具备：具有基材和形成在所述基材上的粘合剂层的切割带、以及形成在所述切割带的所述粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用薄膜，将所述粘合剂层与所述倒装芯片型半导体背面用薄膜在界面处剥离之后，在所述粘合剂层上使用接触角仪测定水和碘甲烷的接触角，设根据测得的接触角通过几何平均法算出的表面自由能为γ1，在所述倒装芯片型半导体背面用薄膜上使用接触角仪测定水和碘甲烷的接触角，设根据测得的接触角通过几何平均法算出的表面自由能为γ2时，所述表面自由能γ2与所述表面自由能γ1之差(γ2‑γ1)为10mJ/m2以上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高本尚英，花园博行，福井章洋，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP